一种用于光隔离IGBT栅极驱动的智能型LED驱动电路

采用双极型工艺设计了一种智能型高速LED驱动电路,可用于光隔离IGBT栅极驱动芯片的输入驱动。该设计采用一种新型逻辑门结构来实现信号传输、故障反馈以及外部置位等功能,同时达到降低信号传输延迟时间的目的。测试结果表明,在常温条件下,LED驱动电路的输入信号传输延迟时间为70 ns,复位信号有效到故障消除的延迟时间为4.59μs。所设计的驱动电路能够满足光耦隔离IGBT栅极驱动芯片的使用要求。

矿质元素硅、钙对水稻抗逆性影响的研究进展

从水稻生物学特性方面阐述了硅、钙对水稻抗逆性的作用及其机理。介绍了硅,钙对水稻生长发育的作用,并对今后该领域的研究趋势做了展望。

硅肥和钙肥对超级杂交稻茎秆抗倒力学的影响

比较了3种不同的施硅肥、钙肥水平下超级杂交稻品种准两优527、两优293生育后期的茎秆抗倒力学差异.结果表明:两优293的倒4节间折断弯矩M明显大于准两优527,主要因为构成茎秆材料数量的增加;施硅肥对提高倒4节间M值、降低折断指数BI作用明显,尤以中量(五水偏硅酸钠的施用量为300kg/hm2)最佳;施钙肥不利于降低准两优527成熟期的BI值,但能明显提高两优293倒4节间的抗折断能力,最佳施钙量为中量(熟石灰施用量450kg/hm2);在不同品种间或不同处理下,超级杂交稻的主要茎秆材料学参数M值、BI值在生育后期的变化趋势不一致.

硅肥在水稻上的应用研究进展

回顾了我国对水稻硅肥的认识过程,概述了国内外水稻硅肥应用情况,总结了硅对水稻的作用及应用效果,归纳了硅肥在水稻上的用途。

施硅对超级杂交稻抗倒性的影响

研究了超级杂交稻准两优527、两优0293在3种不同的施硅水平下生育后期的抗倒伏能力、抗倒形态及生理性状指标变化情况,结果表明:施硅对提高超级杂交稻的抗倒伏能力作用明显,其中以施用中量硅肥的处理(施五水偏硅酸钠300kg/hm2)效果较好;两优0293的抗倒伏能力在各时期均明显强于准两优527;超级杂交稻生育后期随生育进程的后移,单株抗折力明显下降,倒伏指数明显上升,降低株高、单株生物量和茎鞘物质输出率,增加茎鞘干重有利于提高超级杂交稻生育后期的抗倒伏能力,降低倒伏风险。

施硅、钙肥对超级杂交稻产量的影响

研究了在3种不同用量的硅、钙肥水平下,超级杂交稻品种准两优527、两优293的产量及其构成因素。结果表明:施硅不利于提高准两优527的理论产量及其大部分构成因素,但能大幅减少因倒伏所造成的产量损失;施硅对提高两优293产量的作用不大,低量施硅甚至产生负作用;高量施钙有利于提高准两优527的产量及其构成因素,中量施钙能通过降低其表观倒伏率而达到增产的效果;施钙不利于提高两优293的理论产量及其大部分构成因素;相关分析结果表明,准两优527的表观倒伏率与实际产量呈显著负相关。

双相不锈钢焊接热影响区的TEM分析

对超级双相不锈钢（Ｚｅｒｏｎ１００）焊接的热影响区进行了透射电镜ＴＥＭ分析．采用的焊接条件为：厚板（１８ｍｍ）多道埋孤对焊，单位长度热流量为１．４９ｋＪ／ｍｍ．确定了在热影响区中存在Ｃｒ２Ｎ，ＣｒＮ，Ｓｉｇｔｎａ，Ｃｈｉ，π等析出相。其中，立方氮化铬（ＣｒＮ）系首次在此钢中观察到，在熔焊线附近发现有Ｓｉ，Ａｌ，Ｃｒ等元素的偏聚物．由本研究可知，此种材料的可焊性良好．

施钙对超级杂交稻抗倒性的影响

在3种不同施钙水平下,研究了超级杂交稻品种"准两优527"、"两优293"生育后期的抗倒伏能力、抗倒形态及生理性状指标变化情况。结果表明:施钙(特别是中、高量)对提高"准两优527"生育后期的抗倒伏能力作用明显,但不利于降低"两优293"成熟期的倒伏指数;超级杂交稻的抗倒伏能力品种间差异明显;"准两优527"、"两优293"生育后期的倒伏指数明显上升,但倒伏敏感期不同;单株抗折力、表观倒伏率、株高、单株生物量、茎鞘干质量、茎鞘物质输出率与倒伏指数呈显著或极显著的相关关系。

Ti(CN)基金属陶瓷微观组织的研究

用X－射线，电子探针及磁性测量等手段对Ti（CN）基金属陶瓷切削刀具的显微组织进行了系统分析，以瑞典山特维克同类刀具与国产刀具进行对比，发现国产刀具中Co-Ni粘结相中出现了无磁性的Ni3TiC相，从而降低了材料的磁饱和、矫顽磁力及抗弯强度。Ni3TiC的出现与烧结气氛有关，是烧结时材料脱碳的结果。文章对材料中的硬质相、粘结相等进行了微区成份定量分析，确认了各元素的分配状况。对于轻元素氮的分市则采用了X－射线波谱仪对刀具断面进行扫描，发现与国外名牌产品相比，国产刀具中氮的分布欠均匀。