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题名聚乙烯醇基底上氧化物薄膜晶体管的制备及其特性
被引量:1
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作者
蔡乾顺
杨帆
王超
王艳杰
杨小天
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机构
吉林建筑大学寒地建筑综合节能教育部重点实验室
吉林建筑大学电气与计算机学院
吉林师范大学
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出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第12期1546-1552,共7页
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基金
吉林省科技发展计划(No.20200201177JC)
吉林省科技厅中央引导地方科研项目(No.202002012JC)
吉林省教育厅科学技术研究项目(No.JJKH20210256KJ,No.JJKH20210277KJ,No.JJKH20210276KJ)。
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文摘
本文介绍了聚乙烯醇(PVA)衬底薄膜晶体管(TFT)的器件制备、电学性能分析和器件溶解特性的演示。该器件以高介电材料氧化铪(HfO_(2))作为绝缘层,铝掺杂氧化锌(AZO)作为有源层,铝作为栅极、源级与漏极。采用低温磁控溅射(PVD)法成功在PVA衬底上制备出高介电常数(高k)绝缘层的薄膜晶体管,并基于该器件的绝缘层结构做了进一步优化:利用氧化铪(HfO_(2))氧化铝(Al_(2)O_(3))的叠层结构作为绝缘层。结果表明相比于单层氧化铪绝缘层结构的TFT,叠层结构绝缘层的TFT器件性能更优,具有更低的漏电流、更高的开关比和较低的亚阈值摆幅,更适合作为聚乙烯醇衬底薄膜晶体管的绝缘层。“三明治”叠层结构绝缘层的器件开/关比达到2.5×10^(6),阈值电压为10.6 V,亚阈值摆幅为0.53 V·dec^(-1),载流子迁移率为3.01 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)。
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关键词
薄膜晶体管
瞬态电子学
聚乙烯醇(PVA)
可溶解
叠层结构绝缘层
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Keywords
thin-film transistor
transient electronics
polyvinyl alcohol(PVA)
dissoluble
insulation layer of stacked structure
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分类号
TN321.5
[电子电信—物理电子学]
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