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题名一种高性能CMOS二级运算放大器的设计
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作者
邓鸿添
蔡佳奎
徐铫峰
金豫浙
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机构
扬州大学广陵学院机械电子工程系
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出处
《中国集成电路》
2024年第7期50-56,共7页
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基金
江苏省高等学校大学生创新创业训练计划(202313987014Y)
扬州大学广陵学院自然科学研究项目(ZKZD23001)。
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文摘
基于0.18μm标准CMOS工艺设计了一款高性能的二级运算放大器,输入级采用pmos差分对输入的折叠式共源共栅结构,输出级采用共源级结构,两者级联实现双端输入单端输出;整个电路由带隙基准源提供稳定的偏置。在1.8V工作电压和0.9V共模电压下进行仿真,该运放静态功耗为1.37mW,开环直流增益为117.36dB,相位裕度为77.73°,单位增益带宽100.4MHz(负载电容2pF),压摆率为51.24V/μs,共模抑制比为109.41dB,负电源抑制比为123.58dB,版图面积为180μm×253.5μm。仿真结果表明本文设计的电路结构稳定,性能优越。
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关键词
折叠式共源共栅
带隙基准
高增益
运算放大器
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Keywords
folded-cascode
bandgap
high gain
operational amplifier
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分类号
TN722.77
[电子电信—电路与系统]
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