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界面掺杂FeMn对CoFe/CrPt交换偏置体系的影响
1
作者
代波
蔡健旺
赖武彦
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期727-729,733,共4页
采用磁控溅射的方法制备了CoFe/CrPt钉扎的交换偏置体系,用外加磁场真空退火以获得钉扎场。通过把反铁磁的FeMn掺入到该钉扎体系中发现,约0.7nm厚度的FeMn掺入在CoFe/CrPt的界面时,可以使体系的钉扎场从原来的5.6×103A/m增加到1.55...
采用磁控溅射的方法制备了CoFe/CrPt钉扎的交换偏置体系,用外加磁场真空退火以获得钉扎场。通过把反铁磁的FeMn掺入到该钉扎体系中发现,约0.7nm厚度的FeMn掺入在CoFe/CrPt的界面时,可以使体系的钉扎场从原来的5.6×103A/m增加到1.55×104A/m,而体系的Blocking温度仍然可以达到600℃。
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关键词
交换偏置
钉扎场
反铁磁
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职称材料
题名
界面掺杂FeMn对CoFe/CrPt交换偏置体系的影响
1
作者
代波
蔡健旺
赖武彦
机构
西南科技大学材料科学与工程学院
中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期727-729,733,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(50271081)
西南科技大学资助项目(053114)
文摘
采用磁控溅射的方法制备了CoFe/CrPt钉扎的交换偏置体系,用外加磁场真空退火以获得钉扎场。通过把反铁磁的FeMn掺入到该钉扎体系中发现,约0.7nm厚度的FeMn掺入在CoFe/CrPt的界面时,可以使体系的钉扎场从原来的5.6×103A/m增加到1.55×104A/m,而体系的Blocking温度仍然可以达到600℃。
关键词
交换偏置
钉扎场
反铁磁
Keywords
exchange bias
pinning field
antiferromagnetic
分类号
O482.54 [一般工业技术—材料科学与工程]
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
界面掺杂FeMn对CoFe/CrPt交换偏置体系的影响
代波
蔡健旺
赖武彦
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
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