真空荧光显示屏阵列材料氧化过程的研究

研究了真空荧光显示屏阵列材料FeNi42Cr6合金在高温湿氢气氛中的氧化行为,其氧化过程为:首先形成Cr2O3,然后(Fe,Mn)Cr2O4氧化物形核、生长,形成完整氧化膜,成熟氧化膜由颗粒状刚玉型氧化物Cr2O3和块状尖晶石型(Fe,Mn)Cr2O4氧化物组成。实验同时表明,阵列板电阻率随氧化膜厚度增加而增大,电阻率过高会导致与之焊接的Ni丝熔断,氧化膜厚度应控制在1μm^2μm。借助扫描电镜、X射线衍射研究了氧化时间、氢气流量、氢气露点等工艺参数对阵列板氧化增重、氧化膜相结构及、氧化膜表面形貌的影响。得出氧化温度为950℃,时间40min^60min,氢气露点(dp)35℃,流量8L/min为最佳阵列材料氧化工艺。