YXO4（X=Nb,V）的结构与基质发光

采用高温固相法制备了一系列YNb1-xO4∶xV样品,通过连续改变Nb和V的比例获得了具有不同结构的材料.研究发现,VO4^3-与NbO4^3-基团的发光分别位于约420和400 nm处,但是YNbO4中掺杂少量的V^5+和YVO4中掺杂少量的Nb^5+对发光的影响明显不同.通过连续改变V和Nb的比例,其发光性质并不能连续从一种发光变为另一种发光,而是在某一组成时达到最低.对所制备材料的结构、组成及发光变化进行了研究,结果表明存在2种发光猝灭机理.

近红外发光材料Mg2SnO4∶Cr3+的制备及发光性质

采用高温固相法合成了一种新型近红外发光材料Mg 2-x SnO4:x Cr^3+。利用X射线粉末衍射仪对样品的结构进行了表征,证明所得到的荧光粉具有单一尖晶石结构,掺杂离子的加入并没有改变晶体结构。利用荧光光谱和荧光衰减光谱对荧光粉的发光性质进行了研究。当被470 nm的蓝光激发时,荧光粉在700 nm处出现一个尖锐的发射峰(R锐线)和中心发射在750 nm处的宽带发射峰,分别归属于Cr^3+的2E→4A2和4T2(4F)→4A 2跃迁。研究不同浓度Cr^3+掺杂对样品发光性质的影响,发现样品的发光强度随着Cr^3+浓度的增加而增大。当Cr^3+掺杂浓度x=0.02时达到最大值,之后出现发光强度的猝灭,猝灭机理为多极相互作用。样品的荧光寿命随着Cr^3+掺杂浓度的增大逐渐减小,从而证明Cr^3+之间存在着能量传递现象。Mg2-x SnO4:x Cr^3+系列荧光粉还表现出了近红外长余辉发光性质。

白光LED用荧光粉Na3Ce(PO4)2∶Dy^3+ 的制备与发光性能

采用高温固相法合成了Na3Ce1-x(PO4)2∶xDy^3+系列白色荧光粉。利用X射线粉末衍射、荧光光谱和荧光寿命技术对样品进行了表征。实验结果表明,在313nm紫外光激发下,Na3Ce(PO4)2:∶Dy^3+显示了3个发射带:363nm的宽带发射可归属为Ce3+离子的4f05d1→4f1跃迁;483nm和575nm的2个窄带分别来自于Dy^3+的4F9/2→6H15/2和4F9/2→6H13/2跃迁。Na3Ce1-x(PO4)2∶xDy^3+(x=0.005~0.12)系列样品的发射峰形状并未随掺杂剂浓度的变化而改变。其强度在Dy^3+摩尔浓度等于0.01时达到最大值,进一步增加Dy^3+浓度将导致浓度猝灭现象发生。样品的荧光寿命随着Dy^3+掺杂浓度的增大而逐渐减小,表明Dy^3+离子之间存在能量传递现象。Na3Ce(PO4)2∶Dy^3+荧光粉的色坐标为(0.3429,0.3183),位于白光区域,是潜在的白光LED用荧光粉材料。