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Rietveld方法研究Cu掺杂的La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3的晶体结构 被引量:1
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作者 蔡宏灵 《常熟理工学院学报》 2006年第2期58-61,共4页
用标准的固态反应方法制备了Cu掺杂的La0.67Ca0.33Mn1-xCuxO3样品。所有样品的X射线衍射结果用Rietveld全谱拟合的方法来分析。结果表明所有Cu掺杂的样品均表现为单相,空间群为Pnma。当x 0.25时,晶格对称性由正交对称性变为四方对称性... 用标准的固态反应方法制备了Cu掺杂的La0.67Ca0.33Mn1-xCuxO3样品。所有样品的X射线衍射结果用Rietveld全谱拟合的方法来分析。结果表明所有Cu掺杂的样品均表现为单相,空间群为Pnma。当x 0.25时,晶格对称性由正交对称性变为四方对称性。所有样品的电输运性质用小极化子模型和渗流模型来分析。 展开更多
关键词 Rietveld全谱拟合 小极化子模型 渗流模型
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La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3薄膜结构与输运性质 被引量:2
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作者 吴小山 徐金 +8 位作者 蔡宏灵 张爱梅 蒋树声 谭伟石 陈中军 陈兴 孙民华 吴忠华 高炬 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期329-333,共5页
用磁控溅射方法在不同单晶衬底材料上制备了一系列含La2/3Ca1/3MnO3(LCMO)薄膜。当薄膜厚度大于200?,在我们实验条件下可观测到金属-绝缘体转变,且转变温度随厚度和衬底材料而变化。渗流电阻模型被用来解释薄膜材料的电输运特性,结合薄... 用磁控溅射方法在不同单晶衬底材料上制备了一系列含La2/3Ca1/3MnO3(LCMO)薄膜。当薄膜厚度大于200?,在我们实验条件下可观测到金属-绝缘体转变,且转变温度随厚度和衬底材料而变化。渗流电阻模型被用来解释薄膜材料的电输运特性,结合薄膜外延特性(晶格失配)和薄膜与衬底的相互作用,及薄膜表面、界面粗糙度的测量可知薄膜的剩余电阻、极化子的激活能、金属-绝缘体转变温度等密切与薄膜质量相关。 展开更多
关键词 La2/3Ca1/3MnO3薄膜 衬底效应 界面粗糙度 晶格失配
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调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的微应变 被引量:1
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作者 谭伟石 沙昊 +6 位作者 沈波 蔡宏灵 吴小山 蒋树声 郑文莉 贾全杰 姜晓明 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第10期799-804,共6页
用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射线衍射 (HRXRD)测量了其对称反射 (0 0 0 2 )和非对称反射 (10 14 )的倒易空间图 (RSM )。分析结果表明 ,... 用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射线衍射 (HRXRD)测量了其对称反射 (0 0 0 2 )和非对称反射 (10 14 )的倒易空间图 (RSM )。分析结果表明 ,势垒层内部微结构与应变状态和下层i -GaN的微结构与应变状态互相关联 ,当厚度大于 75 0 时 ,势垒层开始发生应变弛豫 ,临界厚度大于5 0 0 。势垒层具有一种“非常规”应变弛豫状态 ,这种状态的来源可能与n -AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α -Al2 展开更多
关键词 调制掺杂 微应变 AlxGa1-x/GaN 异质结构 高分辨X射线衍射 微结构 驰豫线模型 半导体材料 氮化镓
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同步辐射光源简介 被引量:5
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作者 谭伟石 蔡宏灵 吴小山 《常熟理工学院学报》 2006年第2期97-101,共5页
简要介绍了同步辐射概念、同步辐射光源的特点及我国同步辐射光源发展的现状。
关键词 同步辐射光源 同步辐射特点 发展现状
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Gd含量对Gd_5Si_2Ge_2晶体结构和磁性能的影响
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作者 罗广圣 黄军平 +4 位作者 徐鹏 唐少龙 蔡宏灵 徐金 吴小山 《稀土》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期64-67,共4页
用非自耗电弧炉熔炼了Gd5+xSi2Ge2系列样品。用X射线粉末衍射(XRD)和Rietveld方法研究了Gd5+xSi2Ge2系列样品的晶体结构。用自制的仪器测量了样品的居里温度,用振动样品磁强计研究了样品的磁卡效应。对样品的晶体结构分析结果表明:Gd的... 用非自耗电弧炉熔炼了Gd5+xSi2Ge2系列样品。用X射线粉末衍射(XRD)和Rietveld方法研究了Gd5+xSi2Ge2系列样品的晶体结构。用自制的仪器测量了样品的居里温度,用振动样品磁强计研究了样品的磁卡效应。对样品的晶体结构分析结果表明:Gd的含量x的变化对Gd5Si2Ge2化合物的晶体结构有较大的影响,当x>0时,样品中含有Gd5(Si,Ge)4和Gd5(Si,Ge)3两个相,并且随着x的增加Gd5(Si,Ge)4相会减少,Gd5(Si,Ge)3相会增加;当x<0时,样品会形成Gd5(Si,Ge)4和Gd(Si,Ge)两相,并且随着x的减少Gd5(Si,Ge)4相会减少,Gd(Si,Ge)相会增多。对样品的磁性能分析结果表明:Gd的含量x>0和x<0时都会降低样品的磁卡效应,样品的居里温度会随着x的增加而增加。 展开更多
关键词 磁熵变 RIETVELD方法 晶体结构 退火 磁卡效应
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AlGaN/GaN异质结构的X射线衍射研究
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作者 谭伟石 徐金 +5 位作者 蔡宏灵 沈波 吴小山 蒋树声 郑文莉 贾全杰 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期413-416,共4页
在(0001)取向的蓝宝石(α-Al2O3)基片上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长了势垒层厚度为1000?的Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构;;利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术测量了样品的对称反射(0002)和非对称反射(1014)的倒易空间Mapping(R... 在(0001)取向的蓝宝石(α-Al2O3)基片上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长了势垒层厚度为1000?的Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构;;利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术测量了样品的对称反射(0002)和非对称反射(1014)的倒易空间Mapping(RSM)。结果表明;;样品势垒层的内部微结构与应变状态和下层i-GaN的微结构与应变状态互相关联。样品势垒层的微应变已经发生弛豫;;而且具有一种“非常规”应变弛豫状态;;这种弛豫状态的来源可能与n-AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α-Al2O3界面应变弛豫状态有关。掠入射X射线衍射研究表明样品内部的应变是不均匀的;;由表层的横向压应变状态过渡到下层的张应变状态;;与根据倒易空间Mapping分析得到的结果一致。 展开更多
关键词 AIGaN/GaN异质结构 倒易空间Mapping 应变弛豫 掠入射X射线衍射
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La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3簿膜的掠入射X射线衍射研究
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作者 谭伟石 蔡宏灵 +5 位作者 吴小山 蒋树声 贾全杰 郭立平 何庆 高矩 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期914-918,共5页
利用90°离轴射频磁控溅射方法将La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3(LCMO)沉积于(001)取向的SrTiO_3(STO)、MgO和α-Al_2O_3(ALO)单晶基片上,薄膜厚度均为500A。通过掠入射X射线衍射技术测量了LCMO薄膜的横向晶格常数(即面内晶格常数),结合常规... 利用90°离轴射频磁控溅射方法将La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3(LCMO)沉积于(001)取向的SrTiO_3(STO)、MgO和α-Al_2O_3(ALO)单晶基片上,薄膜厚度均为500A。通过掠入射X射线衍射技术测量了LCMO薄膜的横向晶格常数(即面内晶格常数),结合常规X射线衍射研究了LCMO薄膜的晶格应变及其弛豫情况。结果表明,LCMO薄膜在MgO和ALO基片上的应变弛豫临界厚度很小,这可能与薄膜—基片之间高的晶格失配率有关。LCMO薄膜的应变弛豫与四方畸变的弛豫可能具有不同的机制。利用掠入射X射线衍射对LCMO薄膜面内生长取向的研究给出了与利用电子显微技术研究相同的结果。 展开更多
关键词 La07Ca0.3MnO3薄膜 掠入射X射线衍射 应变弛豫 面内晶格常数
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铅基钙钛矿铁电晶体高临界转变温度的机器学习研究 被引量:5
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作者 杨自欣 高章然 +3 位作者 孙晓帆 蔡宏灵 张凤鸣 吴小山 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第21期37-45,共9页
铁电材料由铁电相转化为顺电相的临界温度被称为居里温度,是铁电材料的一个关键指标.本文使用固溶体组成元素的基本物理性质等特征对不同组分和配比的铅基钙钛矿铁电固溶体进行了统一的描述,采用岭回归、支持向量回归、极端随机森林回... 铁电材料由铁电相转化为顺电相的临界温度被称为居里温度,是铁电材料的一个关键指标.本文使用固溶体组成元素的基本物理性质等特征对不同组分和配比的铅基钙钛矿铁电固溶体进行了统一的描述,采用岭回归、支持向量回归、极端随机森林回归等机器学习方法对铅基钙钛矿铁电固溶体的居里温度进行了学习.使用交叉验证的方法对学习效果进行验证,得到上述机器学习方法对材料居里温度的预测值与实验值之间的平均误差分别为14.4,14.7,16.1 K,集成三种回归方法优化的模型在交叉验证中测得的平均误差为13.9 K.在此基础上对超过20万种铅基钙钛矿的居里温度进行了预测,给出了两种可能具有高居里温度的铁电材料. 展开更多
关键词 机器学习 铁电 居里温度 钙钛矿
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界面粗糙度对Co/Cu/Co/NiO自旋阀磁电阻的影响
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作者 张爱梅 吴小山 +11 位作者 孙亮 蔡宏灵 杜军 胡安 蒋树声 谭伟石 黄军平 罗广圣 陈中军 陈兴 孙民华 吴忠华 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期485-488,共4页
用磁控溅射方法制备了一系列含NiO反铁磁层的Co/Cu/Co自旋阀结构。电磁输运测量表明,对相同Co/Cu/Co结构的自旋阀,NiO在自旋阀的顶部(TSV)和在自旋阀的底部(BSV)表现了不同的磁电阻值和热稳定特性。X射线镜面反射和横向漫散射测量证明... 用磁控溅射方法制备了一系列含NiO反铁磁层的Co/Cu/Co自旋阀结构。电磁输运测量表明,对相同Co/Cu/Co结构的自旋阀,NiO在自旋阀的顶部(TSV)和在自旋阀的底部(BSV)表现了不同的磁电阻值和热稳定特性。X射线镜面反射和横向漫散射测量证明小的界面粗糙度是导致磁电阻增大的主要原因,而Co与NiO层间的耦合减弱将导致MR减小,两者共同的作用决定了含NiO的自旋阀的磁电阻。我们由此设计实验将:BSV自旋阀的磁电阻值提高近1倍,即达到-12%,而对称自旋阀的磁电阻则提高到15%。 展开更多
关键词 NiO自旋阀 X射线镜面反射和散射 界面粗糙度
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Magnetic Damping Properties of Single-Crystalline Co_(55)Mn_(18)Ga_(27) and Co_(50)Mn_(18)Ga_(32) Films
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作者 陈家瑞 龚钰婷 +13 位作者 陆显扬 张晨宇 胡勇 王铭志 时钟 付帅 蔡宏灵 刘若柏 袁源 卢羽 刘天宇 游彪 徐永兵 杜军 《Chinese Physics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第4期74-79,共6页
We investigate the structural,static magnetic and damping properties in two Mn-deficient magnetic Weyl semimetal Co-Mn-Ga(CMG) alloy films,i.e.,Co_(55)Mn_(18)Ga_(27)(CMG1) and Co_(50)Mn_(18)Ga_(32)(CMG2),which were ep... We investigate the structural,static magnetic and damping properties in two Mn-deficient magnetic Weyl semimetal Co-Mn-Ga(CMG) alloy films,i.e.,Co_(55)Mn_(18)Ga_(27)(CMG1) and Co_(50)Mn_(18)Ga_(32)(CMG2),which were epitaxially grown on MgO(001) substrates.CMG1 has a mixing phase of B2and L21,larger saturation magnetization(M_(s) ~760 emu/cm^(3)),stronger in-plane magnetic anisotropy.CMG2 has an almost pure B2phase,smaller M_(s)(~330 emu/cm^(3)),negligible in-plane magnetic anisotropy.Time-resolved magneto-optical Kerr effect results unambiguously demonstrate an obvious perpendicular standing spin wave(PSSW) mode in addition to the Kittel mode for both of the CMG films.The intrinsic damping constant is about 0.0055 and 0.015 for CMG1 and CMG2,respectively,which are both significantly larger than that of the stoichiometric CMG(i.e.,Co_(2)MnGa)film reported previously.In combination with the first-principles calculations,the intrinsic damping properties of the Mn-deficient CMG films can be well explained by considering the increase of density of states at the Fermi level,reduction of M_(s),and excitation of the PSSW mode.These findings provide a new clue to tuning the magnetic damping of the magnetic Weyl semimetal film through slight off-stoichiometry. 展开更多
关键词 alloy MAGNETIC film
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Effects of Si surficial structure on transport properties of La_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3 films
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作者 顾晓敏 王伟 +4 位作者 周国泰 高凯歌 蔡宏灵 张凤鸣 吴小山 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第10期287-292,共6页
LaSrMnOfilms are deposited on(001) silicon substrates,in which the silicon surfaces have artificially been treated into the scallops-like,pyramid-like,and smooth polishing structure,by pulsed laser deposition.The magn... LaSrMnOfilms are deposited on(001) silicon substrates,in which the silicon surfaces have artificially been treated into the scallops-like,pyramid-like,and smooth polishing structure,by pulsed laser deposition.The magnetoresistances of the films on etched substrates under low applied field are very sensitive to the applied field,and much larger(14.3% for acid-etched,and 42.9% for alkali-etched) than that on the polished Si at 5 K.Zero-field-cooled and field-cooled magnetization behaviors are measured and analyzed.Remarkable upturn behaviors in temperature-dependent resistivity for all samples are observed at low temperature,which follows the Efros-Shkloskii variable range hopping law and the Arrhenius law.We believe that the rough surface may be useful in device design. 展开更多
关键词 La_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3 film silicon microstructure MAGNETORESISTANCE
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Microstructural stability of NiO-containing spin valves annealed at room temperature
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作者 张爱梅 蔡宏灵 +3 位作者 翟章印 杜军 吴小山 贾全杰 《Chinese Physics C》 SCIE CAS CSCD 2009年第11期944-948,共5页
Microstructure of NiO-containing Co/Cu/Co spin valves (CCC-SV) annealed at room temperature for nearly four years has been studied by synchrotron radiation X-ray diffraction. With the annealing time expanding, the t... Microstructure of NiO-containing Co/Cu/Co spin valves (CCC-SV) annealed at room temperature for nearly four years has been studied by synchrotron radiation X-ray diffraction. With the annealing time expanding, the thickness of each sub-layer remains nearly unchanged while the interface roughness varies obviously compared with that of samples without annealing. The roughness at the interface of NiO/Co decreases with the annealing time increasing for both of the samples with NiO layer on the top (TSV) and under the bottom (BSV) of CCC-SV. On the other hand, the roughness at Co/Cu interface increases with the annealing time expanding for BSV while it decreases for TSV. These results indicate that the structure of TSV is more stable than that of BSV. 展开更多
关键词 interface roughness X-ray reflectivity spin valves
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