印制电路板表面终饰工艺的研究与发展趋势

热风整平工艺一直是印刷电路板制造中最后的表面处理工艺,但随着印刷电路板的精细化和复杂化以及环境保护的需要,热风整平工艺已被限制应用。由此,产生了一些替代工艺,包括有机焊接保护剂、化学镀镍/金、化学浸锡以及化学浸银等。本文对热风整平及其主要替代工艺作出评价和探讨,并对未来印刷电路版表面终饰技术的研究和发展提出一些看法。

高倍聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池研究

在综述高倍聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池的研究现状与发展趋势的基础上,对高倍聚光太阳电池的关键技术、性能提升方法和可靠性进行了研究。指出提高隧穿电流和降低串联电阻是高倍聚光三结太阳电池的关键技术,并提出了相应的解决方法。采用多异质结构隧穿结提高了隧穿电流,减小横向扩展电阻和栅线电阻降低了总的串联损耗。此外,通过分别提高GaInP顶电池和底电池禁带宽度、降低InGaAs中电池禁带宽度可进一步提高太阳电池的转换效率。最后探讨了高倍聚光太阳电池的可靠性测试标准。

不同缓冲层对GaAs基In_(0.3)Ga_(0.7)As材料特性的影响

采用组分跳变和低温大失配缓冲层技术在GaAs衬底上外延了In0.3Ga0.7As材料。测试结果表明,采用组分跳变缓冲层生长的In0.3Ga0.7As主要依靠逐层间产生失配位错来释放应力,并导致表面形成纵横交错的Cross-hatch形貌;而采用低温大失配缓冲层技术则主要通过在低温缓冲层中形成大量缺陷来充分释放应力,并在后续外延的In0.3Ga0.7As表面没有与失配位错相关的Cross-hatch形貌出现。此外,仅需50nm厚的低温大失配缓冲层即可促使In0.3Ga0.7As中的应力完全释放,这种超薄缓冲层技术在工业批产中显得更为经济。

空间用GaInP/GaAs/In_(0.3)Ga_(0.7)As(1 eV)倒装三结太阳电池研制

采用阶变缓冲层技术(step-graded)外延生长了具有更优带隙组合的倒装GaInP/GaAs/In0.3Ga0.7As(1.0eV)三结太阳电池材料,TEM和HRXRD测试表明晶格失配度为2%的In0.3Ga0.7As底电池具有较低的穿透位错密度和较高的晶体质量,达到太阳电池的制备要求.通过键合、剥离等工艺制备了太阳电池芯片.面积为10.922cm2的太阳电池芯片在空间光谱条件下转换效率达到32.64%(AM0,25C),比传统晶格匹配的GaInP/GaAs/Ge(0.67eV)三结太阳电池的转换效率提高3个百分点.