考虑氧化作用的CMP接触去除模型分析

针对目前大多数化学机械抛光(CMP)材料去除模型没有考虑到氧化薄膜作用的现象,提出一种考虑氧化后的芯片与磨粒之间的接触模型,该模型的建立基于接触力学理论和接触微凸体由弹性变形向弹塑性变形及最终向完全塑性变形的转化过程,并将该模型与传统的塑性去除模型进行了对比分析。结果表明:低压CMP精抛过程中,磨粒在外载荷的作用与氧化后的芯片表面发生接触去除,且随着工作载荷的增大,芯片表面的压痕深度、卸载回弹量、最大应力和材料去除量也随之增大;当载荷为1200-4250n N时,芯片弹塑性接触去除率小于传统理想塑性接触去除率;当载荷约为1650n N时,相对误差达到最大值28%。因此,氧化后的芯片与磨粒并非简单的塑性去除,考虑氧化后的芯片去除将更有利于后续精确地统计实际CMP去除率,为进一步优化CMP工艺提供一定的理论基础。

新课程背景下体育有效教学的实施策略

新课程背景下对教师实现教学目标或教学意图而采用的一系列教学方法提出更高的要求，只有这样，才能提高课堂效率。具体地说，在体育教学活动的进程中，无论是在准备阶段，还是在实施阶段，都需要教师以全新的理念和教学方式调动学生学习的积极性，引起学生学习的兴趣，这样才能打造新课程背景下的高效课堂。

互连芯片化学机械抛光材料去除的仿真分析

针对互连芯片化学机械抛光去除机理的认知不足,假设金属材料弹塑性变形连续,对单磨粒划擦互连芯片的材料去除进行了数值表征.通过芯片应力分布和工艺参数对材料去除率分析发现:平均法向力大于平均切向力;滑动摩擦系数、材料去除率随抛光速度增加而增加;当抛光速度为10~12 mm·s^(-1)时,粒径为30 nm的磨粒材料去除率最大;当工作载荷为6μN,抛光速度为6~10 mm·s^(-1)时,粒径为30 nm的磨粒材料去除率略低,粒径为60 nm的磨粒的材料去除率最大.

投加石灰调节水体硬度问题研究

硬度作为水体水质的一个重要指标,不管工业生产用水还是居民生活用水都有严格要求,高硬度水对产品品质和居民身体健康造成不利影响。调节或去除水体硬度的方法有很多种,本文针对目前市场应用最广泛、经济适用的的石灰投加软化法进行介绍,并根据工程经验对石灰投加系统的常见问题进行解析。石灰投加处理水体硬度是常规的工艺,提高投加的精度及系统的稳定是研究的主要目的,石灰容易吸潮板结及管道结垢是阻碍系统稳定的主要原因。

新型桩间超薄模筑混凝土单边支模逆作法施工技术

新型桩间超薄模筑混凝土逆作法通过调整单侧模板拉杆体系、创新混凝土浇筑设备及方式,采取逆作法进行桩间模筑混凝土施工,有效解决了超薄模筑混凝土入模及振捣困难、单侧模板体系固定难度大等问题,提高了工效及桩间模筑混凝土的施工质量,降低了安全风险,在实际工程应用中取得了良好的效果和经济效益,具有很好的实用性。

基于数值模拟的盾构近距离穿越箱涵施工技术

以长沙地铁4号线某区间隧道近距离下穿箱涵为工程背景,通过FLAC3D数值模拟,预测盾构下穿箱涵的施工风险,并制订了预埋袖阀管和二次注浆的应急预案措施。在盾构下穿箱涵的施工过程中,通过掘进参数控制和施工过程控制,成功地保证了沉降的稳定,对类似盾构下穿箱涵施工的工程有一定的借鉴意义。