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一种高线性度CMOS有源混频器的设计
1
作者
蔡新午
戴庆元
吴日新
《电子器件》
CAS
2009年第5期867-870,共4页
设计了一个用于数字电视ZERO-IF结构接收机射频前端的CMOS下变频混频器。基于对有源混频器的噪声机制及线性度的物理理解,对传统的有源混频器电路采用电流注入技术,实现了增益,噪声和线性度折中。电路采用UMC0.18RFCMOS工艺实现,SSB噪...
设计了一个用于数字电视ZERO-IF结构接收机射频前端的CMOS下变频混频器。基于对有源混频器的噪声机制及线性度的物理理解,对传统的有源混频器电路采用电流注入技术,实现了增益,噪声和线性度折中。电路采用UMC0.18RFCMOS工艺实现,SSB噪声系数为18dB,1/f噪声拐角频率100kHz。电压转换增益为5dB和8dB两档增益,输入1dB压缩点为0dBm,IIP3为15dBm(5dB增益),7dBm(8dB增益)。全差分电路在1.8V供电电压下的功耗不到7mW,可以满足数字电视零中频结构射频前端对高线性度、低闪烁噪声和可变增益的要求。
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关键词
CMOS
射频集成电路
下变频混频器
数字电视接收机
下载PDF
职称材料
移动数字电视接收机中宽带RF RSSI的设计
被引量:
2
2
作者
褚敏
戴庆元
蔡新午
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期169-173,共5页
基于UMC 0.18μm RF CMOS工艺,设计并实现了一个应用于移动数字电视接收机射频前端的接收信号强度指示仪(RF RSSI)。提出了一种全新的功率检测电路,相对于传统的非平衡源级耦合对整流器,具有设计简单、功耗低以及良好的宽带功率指示功能...
基于UMC 0.18μm RF CMOS工艺,设计并实现了一个应用于移动数字电视接收机射频前端的接收信号强度指示仪(RF RSSI)。提出了一种全新的功率检测电路,相对于传统的非平衡源级耦合对整流器,具有设计简单、功耗低以及良好的宽带功率指示功能;电路中前置放大器采用恒定跨导(Gm)偏置技术,输出放大器为三运放仪表放大器(IA),其增益均为片上电阻的比值,因此受工艺、温度、电源电压影响较小。芯片测试结果表明,在1.8 V电源电压下,工作频率470~860 MHz范围内,该RF RSSI的动态功率检测范围为-25~-15 dBm,非线性误差小于±1.5 dB,同时功耗仅为7 mW。满足接收机系统要求。
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关键词
互补型金属氧化物半导体射频集成电路
恒定跨导偏置
接收信号强度指示
仪表放大器
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职称材料
题名
一种高线性度CMOS有源混频器的设计
1
作者
蔡新午
戴庆元
吴日新
机构
上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室
出处
《电子器件》
CAS
2009年第5期867-870,共4页
文摘
设计了一个用于数字电视ZERO-IF结构接收机射频前端的CMOS下变频混频器。基于对有源混频器的噪声机制及线性度的物理理解,对传统的有源混频器电路采用电流注入技术,实现了增益,噪声和线性度折中。电路采用UMC0.18RFCMOS工艺实现,SSB噪声系数为18dB,1/f噪声拐角频率100kHz。电压转换增益为5dB和8dB两档增益,输入1dB压缩点为0dBm,IIP3为15dBm(5dB增益),7dBm(8dB增益)。全差分电路在1.8V供电电压下的功耗不到7mW,可以满足数字电视零中频结构射频前端对高线性度、低闪烁噪声和可变增益的要求。
关键词
CMOS
射频集成电路
下变频混频器
数字电视接收机
Keywords
CMOS
RF IC
down-conversion mixer
TV tuner
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
移动数字电视接收机中宽带RF RSSI的设计
被引量:
2
2
作者
褚敏
戴庆元
蔡新午
机构
上海交通大学微纳米科技研究所微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期169-173,共5页
文摘
基于UMC 0.18μm RF CMOS工艺,设计并实现了一个应用于移动数字电视接收机射频前端的接收信号强度指示仪(RF RSSI)。提出了一种全新的功率检测电路,相对于传统的非平衡源级耦合对整流器,具有设计简单、功耗低以及良好的宽带功率指示功能;电路中前置放大器采用恒定跨导(Gm)偏置技术,输出放大器为三运放仪表放大器(IA),其增益均为片上电阻的比值,因此受工艺、温度、电源电压影响较小。芯片测试结果表明,在1.8 V电源电压下,工作频率470~860 MHz范围内,该RF RSSI的动态功率检测范围为-25~-15 dBm,非线性误差小于±1.5 dB,同时功耗仅为7 mW。满足接收机系统要求。
关键词
互补型金属氧化物半导体射频集成电路
恒定跨导偏置
接收信号强度指示
仪表放大器
Keywords
CMOS RF IC
constant-Gm bias
RSSI
IA
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
操作
1
一种高线性度CMOS有源混频器的设计
蔡新午
戴庆元
吴日新
《电子器件》
CAS
2009
0
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职称材料
2
移动数字电视接收机中宽带RF RSSI的设计
褚敏
戴庆元
蔡新午
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011
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