中医药分期论治周围性面神经炎的临床研究进展

周围性面神经炎是多发于单侧的不同程度的面神经炎性水肿卡压、缺血受损而出现以额纹消失、闭眼不合、口角歪斜等为主症的临床常见神经系统相关性疾病之一,属于祖国传统医学“面瘫”的范畴。西药治疗以激素为主,虽然疗效确切,但激素所致的不良副作用亦严重影响患者的健康。而运用中医药分期治疗本病,其临床治疗效果令人满意,具有明显的特色与优势。因此,笔者通过检索近十年中医药疗法分期论治周围性面神经炎的相关研究进行综述,希冀为本病患者提供有效的、适应症广的治疗方案。

PS(X^2Π_r)基态势能函数与光谱常数研究

根据群论及原子分子反应静力学的有关原理,推导了PS基态分子电子态及其合理的离解极限.采用Gaussian 03软件中的密度泛函理论B3LYP和B3P86结合6-311++G(3df,3pd)、6-311++G、6-311G(3df,3pd)、cc-p VTZ和D95基组,对PS分子基态平衡结构和谐振频率进行了计算.通过比较计算结果,发现B3P86方法结合cc-p VTZ基组计算所得结果与实验值最接近.在该水平下对PS分子的基态进行了单点势能扫描计算,利用正规方程组拟合三参数的Murrell-Sorbie函数和修正的Murrell-Sorbie+C6函数,得到了基态PS分子完整的势能函数与相应的光谱常数ωe、ωexe、Be和αe的值.计算结果表明,利用三参数的Murrell-Sorbie函数计算所得的光谱常数与实验数据吻合得更好.

InxGa1-xN／GaN柱形量子点中电子的能级研究

在有效质量的理论框架下，考虑量子点的三维约束效应，研究了InxGa1-xN／GaN柱形量子点中电子的能级，讨论了柱形量子点中电子的基态（m=0）和激发态（m=1）能量以及柱形量子点的电子云概率密度。计算结果发现，InxGa1-xN／GaN量子点中电子Z方向的能量较大，Z方向越窄，其能量越大，径方向能量与角动量量子数m、径向半径R有关，角量子数m越大，能级越高，当角量子数m确定后，量子点的能量与径向半径R有关，径向半径越大，能量越小。当柱形量子点处于基态时，其电子云概率密度分布呈类椭圆形，越靠近中心处概率密度越大，并随着径向坐标ρ的增大而减小。