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H2/O2燃烧掺HCl氧化技术
1
作者
蔡木本
《微电子技术》
1993年第2期54-59,共6页
关键词
氧化硅膜
掺HCl
制备
水汽氧化法
下载PDF
职称材料
铝栅自对准工艺
2
作者
彭进
蔡木本
+2 位作者
郑宜钧
初桂珍
阚文良
《微电子学》
CAS
CSCD
1992年第1期19-22,共4页
铝栅自对准电路具有集成度高和性能价格比高等优点。本文从离子注入与合金(退火)两方面着手,研究铝栅自对准工艺。成功地研制出可与国外样品互换的铝栅自对准电路。
关键词
自对准工艺
离子注入
集成电路
下载PDF
职称材料
125mm铝栅CMOS工艺技术开发及其应用
3
作者
吴巍
蔡木本
《微电子技术》
1998年第1期27-30,共4页
铝栅CMOSIC作为一种功能较简单,性能比较低,集成度不高的低挡IC产品,长期以来一直采用75~100mm图片材料进行图片加工。本文阐述了一种采用125mm图片,与3μm硅极CMOS大生产线完全兼容的铝栅CMOS工艺技术。详细地讨论了它的开发过程...
铝栅CMOSIC作为一种功能较简单,性能比较低,集成度不高的低挡IC产品,长期以来一直采用75~100mm图片材料进行图片加工。本文阐述了一种采用125mm图片,与3μm硅极CMOS大生产线完全兼容的铝栅CMOS工艺技术。详细地讨论了它的开发过程及其技术特点,以及在产品生产上的应用前景。
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关键词
125mm
铝栅CMOS
开发
应用
下载PDF
职称材料
题名
H2/O2燃烧掺HCl氧化技术
1
作者
蔡木本
出处
《微电子技术》
1993年第2期54-59,共6页
关键词
氧化硅膜
掺HCl
制备
水汽氧化法
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
铝栅自对准工艺
2
作者
彭进
蔡木本
郑宜钧
初桂珍
阚文良
机构
华晶电子集团公司中央研究所一室
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1992年第1期19-22,共4页
文摘
铝栅自对准电路具有集成度高和性能价格比高等优点。本文从离子注入与合金(退火)两方面着手,研究铝栅自对准工艺。成功地研制出可与国外样品互换的铝栅自对准电路。
关键词
自对准工艺
离子注入
集成电路
Keywords
Self-aligned technology, Low temperature annealing, Ion implantation
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
125mm铝栅CMOS工艺技术开发及其应用
3
作者
吴巍
蔡木本
机构
中国华晶电子集团公司MOS总厂
出处
《微电子技术》
1998年第1期27-30,共4页
文摘
铝栅CMOSIC作为一种功能较简单,性能比较低,集成度不高的低挡IC产品,长期以来一直采用75~100mm图片材料进行图片加工。本文阐述了一种采用125mm图片,与3μm硅极CMOS大生产线完全兼容的铝栅CMOS工艺技术。详细地讨论了它的开发过程及其技术特点,以及在产品生产上的应用前景。
关键词
125mm
铝栅CMOS
开发
应用
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
H2/O2燃烧掺HCl氧化技术
蔡木本
《微电子技术》
1993
0
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职称材料
2
铝栅自对准工艺
彭进
蔡木本
郑宜钧
初桂珍
阚文良
《微电子学》
CAS
CSCD
1992
0
下载PDF
职称材料
3
125mm铝栅CMOS工艺技术开发及其应用
吴巍
蔡木本
《微电子技术》
1998
0
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职称材料
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