OCCO四个电子态及CO(A^1π)和CO(X^1∑)碰撞传能机制的SDCI和MRSDCI研究

在SDCI水平上,用双ζ加上极化函数的基组(OZ+P),计算了OCCO分子几个低电子态X^3∑_g^-。α′Δ_g,A^3π_g和J^1π_g的平衡构型和激发能.在MRSDCI水平上研究了OCCO(I^1π_8)的解离过程及CO(A^1π)和CO(X^1∑)碳端共线碰撞生成激基复合物(Exciplex)OCCO的可能性.此计算结果能较好地解释CO(A^1π→CO(X^1∑)之间高效的电子能量转移机制.

SiC_2分子电子光谱的ab initio研究

在MRSDCI/DZ+P水平上,计算了SiC_2分子7个电子态X^1A_1,~3B_2,~1B_2,~38_1,~1B_1,~3A_2和~1A_2的平衡构型和激发能。所得X^1A_1,和~1B_2态的平衡构型以及X^1A_1→~1D_2的激发能和实验值符合很好。在MRSDCI波函数的基础上,计算了1B_2→X^A_2和1B_1→X^1A_1跃迁的电子跃迁偶极矩、振子强度以及~1B_2和~1B_1态的辐射寿命,预测的结果和实验相近。