国外几种半导体新器件的发展概况

本文对一些半导体新器件,如HEMT、HBT、超晶格器件、约瑟夫逊器件、三维器件等,的工作原理,器件结构,工艺技术,器件水平和应用前景进行了评述。

发展中的绝缘体上硅材料技术

在高可靠、抗核加固IC和亚微米CMOSFET VLSI电路应用中,绝缘体上硅 (SOI)是一种很有前途的材料技术。本文对形成SOI的各种技术及其优缺点和目前状况以及未来前景作了评述。对国内的SOI研究作了简单的介绍。

焊接机器人工作站在农用机械上的应用

为了进一步提高农机生产厂家的焊接工作效率和工作质量,本研究分析了焊接机器人工作站所包含的焊接机器人、编程控制系统、焊接电源系统、焊接工装夹具、安全保护设施等5个重要组成部分,对焊接机器人工作站在农用机械机架上的应用原理和协同运用控制策略进行了深入论述,以期能推动农机设备焊接工作更快速、高效、高质量完成。

1μm宽硅深槽刻蚀技术

介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响对蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现１μｍ宽的硅深槽刻蚀工艺途径；并给出了１μｍ宽、８μｍ深、侧壁及底部光洁的硅深糟刻蚀工艺条件。

名牌战略与包装意识

在国际市场竞争日益激烈的今天,名牌商标显示出超常的价值与市场开拓力。有人曾经这样比喻:市场是海,质量是船,名牌是帆,只有坚固的船体,稳定的质量,而且又有名牌的帆,企业才可能在市场经济的汪洋大海之中乘风破浪,向前迈进。中国从来不乏名牌。诸如,秦砖汉瓦、唐宋窑瓷、明清刺绣……;胡庆馀堂制药、都锦生织锦、张小泉剪刀……;凤凰自行车、娃哈哈饮料、熊猫电器……不一而足。然而,有些已随历史湮没。

智能功率和高压集成电路及相关MOS技术

本文阐述了MOS高压和功率集成电路的现状。在前言部分叙述了这些集成结构的发展,回顾了与分立器件相比的一些主要优点,提出了一些关于集成方法的问题。对于用MOS技术制作并用作集成电路功率开关的各种器件结构进行了评述。考虑了最近开发的两大电路系列:(1)智能功率技术,它包括与控制电路和保护电路集成在一起的单个或多个纵向(共漏)功率开关;(2)高压集成电路,其功率器件是横向的,电流能力较低,其控制电路(CMOS或双极)具有较高的集成密度。提出了设计智能功率开关的一些主要功能问题。对于主要的晶体管单元结构,特别是限热电路和稳偏网络,作了详细介绍。可以看出,在电气波动和与工艺有关的参数变化方面及非稳定因素方面,所涉及的模拟电路都可做到非常稳定。

具有失调和电荷注入补偿的高分辨率二级增量A/D变换器

过采样和噪声整形中的∑-△调制是高精度A/D变换器中使用的一种著名技术。通信应用就使用这样的变换器,它的特性是由交流性能(如信噪比)来表征的,而且主要是用于允许有失调和增益误差的场合。另一方面,在测量和仪表应用中却要求绝对精度,例如不允许有失调误差和增益误差。这些应用是通过直流特性,如微分和积分线性误差、失调和增益误差等,来表征的,常常要求很高的分辨率。二级增量A/D变换器就可满足这样的要求,这种变换器使用了简单的数字滤波器中的∑-△调制技术。作者通过采用SACMOS 3μm技术制作的电路进行了实验,结果表明,即使用低的参考电压也完全可以获得15位的绝对精度。

8位800MHz数/模转换器

本文报道了一种转换速率为800MHz的8位视频D/A转换器,该转换器采用双层多晶硅发射极自对准工艺。为了提高速度和减少毛刺,采用了多电平发射极耦合逻辑(MEL)译码器电路和多路数据输入,功耗仅为750mW。

用横向固相外延在低温下形成SOI结构

本文对用固相外延工艺在低温(550～600℃)下形成绝缘体上硅结构进行了研究。通过微探针(μ)反射高能电子衍射观察发现,固相外延(SPE)的定向晶体生长是从引晶区开始扩展的。分析了随机核化、外延对准和局部掺杂对横向固相外延(L-SPE)产生的各种影响。结果表明,在绝缘区上可获得一个相当大的L-SPE区域,这个区域从引晶区开始可向外延伸14μm。通过使用μ-拉曼能谱分析和场效应晶体管的制作研究了L-SPE层的晶体质量和电特性。其应力场(2.5×10~9达因/cm^2)和高电子迁移率(720cm^2/Vs)可与体硅相比。