超薄基区SiGe HBT基区渡越时间能量传输模型

通过求解玻尔兹曼能量平衡方程,得出基区的电子温度分布,建立了考虑电子温度变化,适用于超薄基区SiGe HBT的基区渡越时间模型。该模型考虑了电子温度对迁移率的影响,基区重掺杂和Ge引起的禁带变窄效应及速度饱和效应。比较了用能量传模型与漂移扩散模型计算的截止频率,利用器件模拟软件ATLAS进行了模拟,结果与能量传输模型计算结果吻合。

SiGe和SiGeC HBT速度过冲模型

建立了超薄基区Si Ge和Si GeC HBT的速度过冲模型。通过求解能量平衡方程,得到电子温度分布,B-C结附近的电子温度远高于晶格温度。Ge的分布对Si Ge BHT速度分布影响很大,对于线性分布,Ge梯度越大,速度过冲越明显;Ge梯度一样时,线性分布比梯形分布的速度大。梯形分布的Si Ge HBT基区也发生速度过冲。Si GeC HBT速度过冲现象与Si Ge HBT相似。

中国企业跨国经营战略探索

跨国经营战略是为了在实现推进产业整体素质不断提高 ,并最终强大的国家竞争力目标前提下 ,对提高企业国际竞争力而做出的长远性、整体性的国际经营策划。文章着眼于当前跨国投资战略选择的几个因素 ,进而分别从国家、产业和企业三方面来分析如何制定有效的战略 ,以保证中国企业跨国经营活动持续、快速。

侧壁开窗式上颌窦底提升后不植骨的研究进展

上颌后牙区缺牙后的种植修复,常由于上颌窦的存在、缺牙后的解剖生理性改变而采用上颌窦底提升植骨技术增加骨量来解决垂直骨高度不足的问题。但是至今仍没有明确的证据表明上颌窦底黏膜提升后是否必须植入植骨材料。近年来,许多学者发现无论是经牙槽嵴顶路径的上颌窦底提升(TAFSE)还是经侧壁开窗式上颌窦底提升(LASFE)均可采用不植骨的方式来完成,并进行后续种植修复,但其疗效仍存在争议。本文就经侧壁开窗式上颌窦底黏膜提升后不植骨的相关研究进展做如下综述。