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GaAs_(1-x)P_x∶N间接能隙材料的光致发光谱
被引量:
1
1
作者
丁维清
林振金
+1 位作者
杨锡震
蔡萃丽
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
1981年第2期59-66,共8页
前言近年来,对GaAs1-xPx材料的发光性质,国外已进行了许多研究。尤其是关于等电子杂质氮的参与对发光性质的影响,引起了更多人的注意,通过离子注入氮的掺杂,又使研究的范围向间接能隙区推进。以上这些研究所围绕的中心问题,在应用上,主...
前言近年来,对GaAs1-xPx材料的发光性质,国外已进行了许多研究。尤其是关于等电子杂质氮的参与对发光性质的影响,引起了更多人的注意,通过离子注入氮的掺杂,又使研究的范围向间接能隙区推进。以上这些研究所围绕的中心问题,在应用上,主要是发光二极管(LED)的发光效率和发光波长两方面。而GaAsP材料正是目前国内以致国际制造LED的重要材料,对它进行研究是有一定意义的。
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关键词
等电子杂质
发光二极管
能隙
发光效率
x)P_x
发光性质
发光波长
发光强度
流明效率
国际制造
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职称材料
题名
GaAs_(1-x)P_x∶N间接能隙材料的光致发光谱
被引量:
1
1
作者
丁维清
林振金
杨锡震
蔡萃丽
机构
北京师范大学物理系
北京有色所
出处
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
1981年第2期59-66,共8页
文摘
前言近年来,对GaAs1-xPx材料的发光性质,国外已进行了许多研究。尤其是关于等电子杂质氮的参与对发光性质的影响,引起了更多人的注意,通过离子注入氮的掺杂,又使研究的范围向间接能隙区推进。以上这些研究所围绕的中心问题,在应用上,主要是发光二极管(LED)的发光效率和发光波长两方面。而GaAsP材料正是目前国内以致国际制造LED的重要材料,对它进行研究是有一定意义的。
关键词
等电子杂质
发光二极管
能隙
发光效率
x)P_x
发光性质
发光波长
发光强度
流明效率
国际制造
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs_(1-x)P_x∶N间接能隙材料的光致发光谱
丁维清
林振金
杨锡震
蔡萃丽
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
1981
1
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