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GaAs_(1-x)P_x∶N间接能隙材料的光致发光谱 被引量:1
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作者 丁维清 林振金 +1 位作者 杨锡震 蔡萃丽 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS 1981年第2期59-66,共8页
前言近年来,对GaAs1-xPx材料的发光性质,国外已进行了许多研究。尤其是关于等电子杂质氮的参与对发光性质的影响,引起了更多人的注意,通过离子注入氮的掺杂,又使研究的范围向间接能隙区推进。以上这些研究所围绕的中心问题,在应用上,主... 前言近年来,对GaAs1-xPx材料的发光性质,国外已进行了许多研究。尤其是关于等电子杂质氮的参与对发光性质的影响,引起了更多人的注意,通过离子注入氮的掺杂,又使研究的范围向间接能隙区推进。以上这些研究所围绕的中心问题,在应用上,主要是发光二极管(LED)的发光效率和发光波长两方面。而GaAsP材料正是目前国内以致国际制造LED的重要材料,对它进行研究是有一定意义的。 展开更多
关键词 等电子杂质 发光二极管 能隙 发光效率 x)P_x 发光性质 发光波长 发光强度 流明效率 国际制造
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