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KDP晶体缺陷形成机理的研究
被引量:
6
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作者
王耀水
朱锐
+11 位作者
叶桂芬
刘向阳
洪远珍
蔡诗武
Bennema
P.
VanEnckvort
W.J.P.
VanKessel
J.W.M.
Dam
B
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989年第2期108-111,共4页
采用激光散射层析术及 X 射线形貌术研究了 KDP(KH_2PO_4)晶体中散射颗粒及位错等缺陷的形成机理。作者采用微分干涉衬差显微镜(DICM)装置、通过录相放大系统观察研究了晶体生长过程中有机和无机固态包杂物的成因。
关键词
KDP晶体
磷酸二氢钾
位错
下载PDF
职称材料
题名
KDP晶体缺陷形成机理的研究
被引量:
6
1
作者
王耀水
朱锐
叶桂芬
刘向阳
洪远珍
蔡诗武
Bennema
P.
VanEnckvort
W.J.P.
VanKessel
J.W.M.
Dam
B
机构
中国科学院福建物质结构研究所
RIM Lab of Solid State Chemistry
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989年第2期108-111,共4页
文摘
采用激光散射层析术及 X 射线形貌术研究了 KDP(KH_2PO_4)晶体中散射颗粒及位错等缺陷的形成机理。作者采用微分干涉衬差显微镜(DICM)装置、通过录相放大系统观察研究了晶体生长过程中有机和无机固态包杂物的成因。
关键词
KDP晶体
磷酸二氢钾
位错
Keywords
Crystal
Dislocation
Inclusion
In situ observation
Laser scattering tomography
X-ray topograph
Laser damage
分类号
TN244 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
KDP晶体缺陷形成机理的研究
王耀水
朱锐
叶桂芬
刘向阳
洪远珍
蔡诗武
Bennema
P.
VanEnckvort
W.J.P.
VanKessel
J.W.M.
Dam
B
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989
6
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