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(B/Ti)_n/TaN薄膜点火桥的制备及点火性能
被引量:
8
1
作者
蔡贤耀
蒋洪川
+3 位作者
闫裔超
张宇新
邓新武
张万里
《含能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第3期265-269,共5页
利用磁控溅射与微细加工技术,将B/Ti多层膜沉积在TaN模桥制备了(B/Ti)n/TaN薄膜点火桥(膜桥),其中TaN膜桥的尺寸为80m×40m×2m,B/Ti多层膜尺寸为4mm×4mm,层数为40层,第一层B厚度400nm,其后每层B或Ti厚度为200nm,总μ...
利用磁控溅射与微细加工技术,将B/Ti多层膜沉积在TaN模桥制备了(B/Ti)n/TaN薄膜点火桥(膜桥),其中TaN膜桥的尺寸为80m×40m×2m,B/Ti多层膜尺寸为4mm×4mm,层数为40层,第一层B厚度400nm,其后每层B或Ti厚度为200nm,总μμμ厚度约8m。用电压40V、电容47F的钽电容对样品进行发火性能测试。结果表明:TaN膜桥的点火延迟时间为85s、点火输μμμ入能量15mJ、爆炸温度2500-3500K、火焰持续时间0.15ms左右、炸药持续高度5mm左右,而(B/Ti)n/TaN膜桥的点火延迟时间为37s、点火输入能量6mJ、爆炸温度4000-8500K、火焰持续时间大于0.25ms、火焰持续高度10mm以上。在点火桥上沉积B/Tiμ多层膜可降低点火延迟时间和点火输入能量,有效提升火工品的点火性能。
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关键词
磁控溅射
(B/Ti)n/TaN膜桥
TaN膜桥
B/Ti多层膜
下载PDF
职称材料
题名
(B/Ti)_n/TaN薄膜点火桥的制备及点火性能
被引量:
8
1
作者
蔡贤耀
蒋洪川
闫裔超
张宇新
邓新武
张万里
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《含能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第3期265-269,共5页
基金
国防预研基金资助(9140A12040412DZ02138)
文摘
利用磁控溅射与微细加工技术,将B/Ti多层膜沉积在TaN模桥制备了(B/Ti)n/TaN薄膜点火桥(膜桥),其中TaN膜桥的尺寸为80m×40m×2m,B/Ti多层膜尺寸为4mm×4mm,层数为40层,第一层B厚度400nm,其后每层B或Ti厚度为200nm,总μμμ厚度约8m。用电压40V、电容47F的钽电容对样品进行发火性能测试。结果表明:TaN膜桥的点火延迟时间为85s、点火输μμμ入能量15mJ、爆炸温度2500-3500K、火焰持续时间0.15ms左右、炸药持续高度5mm左右,而(B/Ti)n/TaN膜桥的点火延迟时间为37s、点火输入能量6mJ、爆炸温度4000-8500K、火焰持续时间大于0.25ms、火焰持续高度10mm以上。在点火桥上沉积B/Tiμ多层膜可降低点火延迟时间和点火输入能量,有效提升火工品的点火性能。
关键词
磁控溅射
(B/Ti)n/TaN膜桥
TaN膜桥
B/Ti多层膜
Keywords
magnetron sputtering
(B/Ti)n/TaN thin-film initiator bridge
TaN thin-film initiator bridge
B/Ti multilayer films
分类号
TQ565 [化学工程—炸药化工]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
(B/Ti)_n/TaN薄膜点火桥的制备及点火性能
蔡贤耀
蒋洪川
闫裔超
张宇新
邓新武
张万里
《含能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
8
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职称材料
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