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面向CMOS图像传感器应用的列级模数转换器研究进展
1
作者
廖文丽
张植潮
+2 位作者
张九龄
蔡铭嫣
陈铖颖
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第11期961-971,共11页
随着有源像素工艺以及互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路技术迅速发展,CMOS图像传感器(CIS)朝着高分辨率、高动态范围、低功耗、小体积的方向不断发展,在数码相机、汽车驾驶、安防监控、医学等多个领域中逐渐取代原市场主流的电荷耦...
随着有源像素工艺以及互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路技术迅速发展,CMOS图像传感器(CIS)朝着高分辨率、高动态范围、低功耗、小体积的方向不断发展,在数码相机、汽车驾驶、安防监控、医学等多个领域中逐渐取代原市场主流的电荷耦合器件(CCD)图像传感器。模数转换器(ADC)作为模拟信号和数字信号的转换端口,是CMOS图像传感器中的重要组成部分,其性能的优劣直接决定了CMOS图像传感器的成像质量。对应用于CMOS图像传感器的模数转换器进行了综述,分析了几种主流架构的优缺点,阐述了面临的挑战以及解决方案,最后对未来的发展前景进行了展望。
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关键词
CMOS图像传感器(CIS)
模数转换器(ADC)
单斜(SS)ADC
逐次逼近寄存器(SAR)ADC
循环ADC
Sigma-Delta
ADC
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职称材料
基于碳基500nm工艺的双采样真随机数发生器
2
作者
蔡铭嫣
张九龄
+3 位作者
陈智峰
廖文丽
陈译
陈铖颖
《半导体技术》
CAS
2024年第8期732-741,757,共11页
碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)因其极小的尺寸、超高的载流子迁移率、准一维结构的弹道输运等特性,顺应了未来集成电路高集成化和微型化的发展趋势。基于课题组构建的500 nm碳基工艺设计包,设计了一款真随机数发生器(TRNG)。碳基真随机...
碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)因其极小的尺寸、超高的载流子迁移率、准一维结构的弹道输运等特性,顺应了未来集成电路高集成化和微型化的发展趋势。基于课题组构建的500 nm碳基工艺设计包,设计了一款真随机数发生器(TRNG)。碳基真随机数发生器利用慢时钟振荡器对快时钟振荡器进行采样获取随机源,通过在慢时钟振荡器中添加电阻热噪声以增加环形振荡器的相位抖动,经单比特频数测试、重叠子序列检测等随机性测试,证实本设计提高了熵源的非相关性与不可预测性。碳基真随机数发生器的最高工作频率达到7.04 MHz,功耗为1.98 mW,版图面积为2.3 mm×1.5 mm。输出序列通过了随机性检验,适用于现代密码系统的纳米级芯片。
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关键词
碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)
紧凑模型
真随机数发生器(TRNG)
振荡器
时钟抖动
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职称材料
题名
面向CMOS图像传感器应用的列级模数转换器研究进展
1
作者
廖文丽
张植潮
张九龄
蔡铭嫣
陈铖颖
机构
厦门理工学院光电与通信工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第11期961-971,共11页
基金
福建省自然科学基金引导性项目(2023H0052)
厦门市重大科技项目(3502Z20221022)。
文摘
随着有源像素工艺以及互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路技术迅速发展,CMOS图像传感器(CIS)朝着高分辨率、高动态范围、低功耗、小体积的方向不断发展,在数码相机、汽车驾驶、安防监控、医学等多个领域中逐渐取代原市场主流的电荷耦合器件(CCD)图像传感器。模数转换器(ADC)作为模拟信号和数字信号的转换端口,是CMOS图像传感器中的重要组成部分,其性能的优劣直接决定了CMOS图像传感器的成像质量。对应用于CMOS图像传感器的模数转换器进行了综述,分析了几种主流架构的优缺点,阐述了面临的挑战以及解决方案,最后对未来的发展前景进行了展望。
关键词
CMOS图像传感器(CIS)
模数转换器(ADC)
单斜(SS)ADC
逐次逼近寄存器(SAR)ADC
循环ADC
Sigma-Delta
ADC
Keywords
CMOS image sensor(CIS)
analog-to-digital converter(ADC)
single slope(SS)ADC
successive approximation register(SAR)ADC
cyclic ADC
Sigma-Delta ADC
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN792 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
基于碳基500nm工艺的双采样真随机数发生器
2
作者
蔡铭嫣
张九龄
陈智峰
廖文丽
陈译
陈铖颖
机构
厦门理工学院光电与通信工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
2024年第8期732-741,757,共11页
基金
福建省自然科学基金(2023H0052)
厦门市重大科技计划项目(3502Z20221022)。
文摘
碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)因其极小的尺寸、超高的载流子迁移率、准一维结构的弹道输运等特性,顺应了未来集成电路高集成化和微型化的发展趋势。基于课题组构建的500 nm碳基工艺设计包,设计了一款真随机数发生器(TRNG)。碳基真随机数发生器利用慢时钟振荡器对快时钟振荡器进行采样获取随机源,通过在慢时钟振荡器中添加电阻热噪声以增加环形振荡器的相位抖动,经单比特频数测试、重叠子序列检测等随机性测试,证实本设计提高了熵源的非相关性与不可预测性。碳基真随机数发生器的最高工作频率达到7.04 MHz,功耗为1.98 mW,版图面积为2.3 mm×1.5 mm。输出序列通过了随机性检验,适用于现代密码系统的纳米级芯片。
关键词
碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)
紧凑模型
真随机数发生器(TRNG)
振荡器
时钟抖动
Keywords
carbon nanotube field effect transistor(CNTFET)
compact model
true random number generator(TRNG)
oscillator
clock jitter
分类号
TN710.4 [电子电信—电路与系统]
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
面向CMOS图像传感器应用的列级模数转换器研究进展
廖文丽
张植潮
张九龄
蔡铭嫣
陈铖颖
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023
0
下载PDF
职称材料
2
基于碳基500nm工艺的双采样真随机数发生器
蔡铭嫣
张九龄
陈智峰
廖文丽
陈译
陈铖颖
《半导体技术》
CAS
2024
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职称材料
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