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低温硅双极晶体管电流增益研究
被引量:
1
1
作者
李彦波
薄仕群
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期32-36,共5页
着重分析了多晶硅发射极对提高电流增益的作用和低温下集电区中性杂质碰撞电离引起的电流倍增效应。导出多晶硅发射极晶体管电流增益的表达式,很好地解释了实验结果。
关键词
硅双极晶体管
电流倍增
多晶硅发射极
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职称材料
低温下晶体管击穿电压的温度特性与分析
2
作者
薄仕群
李彦波
张旭东
《河北省科学院学报》
CAS
1997年第1期15-19,共5页
本文给出了从200K到10K低温下,硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果,建立了理论模型。
关键词
低温
击穿电子
晶体管
温度特性
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职称材料
低温下硅双极晶体管击穿电压的温度特性与分析
3
作者
李彦波
薄仕群
张旭东
《半导体情报》
1997年第4期39-42,共4页
给出了从200~10K低温下,硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果,建立了理论模型,并对实验结果作出合理解释。
关键词
硅双极晶体管
低温
击穿电压
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职称材料
硅双极晶体管的低温h_(FE)
4
作者
林兆军
薄仕群
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第6期454-459,共6页
低温下hFE主要决定于发射效率γ和集电区倍增因子M.影响γ的是禁带收缩和基区费米能级.M则主要由中性杂质被碰撞电离而造成的电流倍增效应决定,并且这是一种自抑制效应,以上观点与实验结果基本相符合。
关键词
双极晶体管
低温hFE
发射效率
集电区倍增因子
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职称材料
全息信息存贮记录
5
作者
薄秀华
薄仕群
《河北省科学院学报》
CAS
1996年第1期30-32,共3页
本文阐述了对全息存贮记录的改进方法,利用编振消光的原理,在实验光路中引入偏振装置,提高了对参考光斑和物光斑位置的分辨率,使参考光和物光光斑中心重合,达到了记录信息无遗漏现象的目的。
关键词
全息存贮记录
参考光斑
激光全息信息
物光光斑
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职称材料
MOS器件的热载流子效应
被引量:
1
6
作者
薄仕群
林兆军
《河北大学学报(自然科学版)》
CAS
1994年第2期42-46,共5页
热载流子效应产生的原因,首先是在沟道强电场中形成迁移率偏低的热载流子,然后由于碰撞电离而使热载流子大量增加。热电子和热空穴能够越过界面势垒向栅氧化层发射。进入栅氧化层的热载流子,或者穿透氧化层,或者造成随时间而增加的...
热载流子效应产生的原因,首先是在沟道强电场中形成迁移率偏低的热载流子,然后由于碰撞电离而使热载流子大量增加。热电子和热空穴能够越过界面势垒向栅氧化层发射。进入栅氧化层的热载流子,或者穿透氧化层,或者造成随时间而增加的界面态,或者造成载流子陷阱。热电子或热空穴也可以受结电场的作用而进入衬底。抑制热载流子效应的方向,一是在沟道两侧制作轻掺杂区,以降低沟道电场强度;二是对栅氧化层进行氮化处理和提高氧化温度,以改善氧化层的质量,增强抗热载流子效应的能力。
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关键词
热载流子效应
MOS器件
界面态
陷阱
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职称材料
题名
低温硅双极晶体管电流增益研究
被引量:
1
1
作者
李彦波
薄仕群
机构
河北大学电子系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期32-36,共5页
文摘
着重分析了多晶硅发射极对提高电流增益的作用和低温下集电区中性杂质碰撞电离引起的电流倍增效应。导出多晶硅发射极晶体管电流增益的表达式,很好地解释了实验结果。
关键词
硅双极晶体管
电流倍增
多晶硅发射极
Keywords
Silicon bipolar transistor Low temperature Current multiplication Polysilicon emitter
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
TN325.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
低温下晶体管击穿电压的温度特性与分析
2
作者
薄仕群
李彦波
张旭东
机构
河北大学电子与信息工程系
出处
《河北省科学院学报》
CAS
1997年第1期15-19,共5页
文摘
本文给出了从200K到10K低温下,硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果,建立了理论模型。
关键词
低温
击穿电子
晶体管
温度特性
Keywords
Silicon bipolar transistor,Low-temperature,Breakdown voltage
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
低温下硅双极晶体管击穿电压的温度特性与分析
3
作者
李彦波
薄仕群
张旭东
机构
河北大学电子与信息工程系
出处
《半导体情报》
1997年第4期39-42,共4页
文摘
给出了从200~10K低温下,硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果,建立了理论模型,并对实验结果作出合理解释。
关键词
硅双极晶体管
低温
击穿电压
Keywords
Millimeter wave ASK modulator pin diode
分类号
TN322.806 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
硅双极晶体管的低温h_(FE)
4
作者
林兆军
薄仕群
机构
中国科学院半导体研究所
河北大学电子系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第6期454-459,共6页
文摘
低温下hFE主要决定于发射效率γ和集电区倍增因子M.影响γ的是禁带收缩和基区费米能级.M则主要由中性杂质被碰撞电离而造成的电流倍增效应决定,并且这是一种自抑制效应,以上观点与实验结果基本相符合。
关键词
双极晶体管
低温hFE
发射效率
集电区倍增因子
Keywords
Electron emission
Gain control
Low temperature phenomena
Semiconducting gallium
Semiconducting silicon
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
全息信息存贮记录
5
作者
薄秀华
薄仕群
机构
河北省科学院
河北大学电子系
出处
《河北省科学院学报》
CAS
1996年第1期30-32,共3页
文摘
本文阐述了对全息存贮记录的改进方法,利用编振消光的原理,在实验光路中引入偏振装置,提高了对参考光斑和物光斑位置的分辨率,使参考光和物光光斑中心重合,达到了记录信息无遗漏现象的目的。
关键词
全息存贮记录
参考光斑
激光全息信息
物光光斑
分类号
O438 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
MOS器件的热载流子效应
被引量:
1
6
作者
薄仕群
林兆军
出处
《河北大学学报(自然科学版)》
CAS
1994年第2期42-46,共5页
文摘
热载流子效应产生的原因,首先是在沟道强电场中形成迁移率偏低的热载流子,然后由于碰撞电离而使热载流子大量增加。热电子和热空穴能够越过界面势垒向栅氧化层发射。进入栅氧化层的热载流子,或者穿透氧化层,或者造成随时间而增加的界面态,或者造成载流子陷阱。热电子或热空穴也可以受结电场的作用而进入衬底。抑制热载流子效应的方向,一是在沟道两侧制作轻掺杂区,以降低沟道电场强度;二是对栅氧化层进行氮化处理和提高氧化温度,以改善氧化层的质量,增强抗热载流子效应的能力。
关键词
热载流子效应
MOS器件
界面态
陷阱
Keywords
Hot carriers Hot carriers effect MOS devices Interface State Traps Defect Mobility
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低温硅双极晶体管电流增益研究
李彦波
薄仕群
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998
1
下载PDF
职称材料
2
低温下晶体管击穿电压的温度特性与分析
薄仕群
李彦波
张旭东
《河北省科学院学报》
CAS
1997
0
下载PDF
职称材料
3
低温下硅双极晶体管击穿电压的温度特性与分析
李彦波
薄仕群
张旭东
《半导体情报》
1997
0
下载PDF
职称材料
4
硅双极晶体管的低温h_(FE)
林兆军
薄仕群
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
0
下载PDF
职称材料
5
全息信息存贮记录
薄秀华
薄仕群
《河北省科学院学报》
CAS
1996
0
下载PDF
职称材料
6
MOS器件的热载流子效应
薄仕群
林兆军
《河北大学学报(自然科学版)》
CAS
1994
1
下载PDF
职称材料
已选择
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