溶胶-凝胶旋涂法制备In-N共掺ZnO薄膜及其光学性能研究

ZnO是目前使用广泛的半导体材料,但本征ZnO存着在一定的缺陷,现通过溶胶-凝胶旋涂法分别以乙酸锌(Zn(CH_(3)COO)_(2)·2H_(2)O)为锌源、硝酸铟(In(NO 3)_(3)·H_(2)O)为铟源、氯化铵(NH_(4)Cl)为氮源制备了In-N共掺的ZnO薄膜,由此来改善其相关性能。所制备样品的晶格结构、表面形貌、光学透过率及光学带隙分别通过X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)来进行表征和分析。结果表明:随着N掺杂量的增加,In-N共掺ZnO薄膜的结晶度有了明显的改善,晶粒大小均匀且尺寸逐渐减小,光透过率逐渐增加,相比于单掺样品禁带宽度减小。当N掺杂量为8.0 at%时,ZnO薄膜的晶粒尺寸及分布最为均匀、表面平整、光透过率达90%、禁带宽度轻微减小,所形成的薄膜质量最好。

利用旋转烟室演示光的各种现象

在中学实验探究阶段,光的各种实验现象的演示实验是十分重要的,但由于传统教具的不足,实验利用自制的旋转烟室,该装置可以在立体空间中完成对光的反射、折射定律的探究及光的全反射、可逆现象、镜面倾斜的反射和漫反射现象的演示。