C频段常温HEMT-FET低噪声放大器

介绍C频段常温HEMT-FET低噪声放大器研制过程中的元件选择、电路设计、关键技术及研制结果。

卫星通信C频段常温50KGaAs-FET低噪声放大器

本文介绍了卫星通信C频段常温50K GaAs-FET低噪声放大器的设计考虑,并给出了研制设备的测试结果.其主要技术指标,已达到世界上有代表性的日本NEC公司和美国LNR公司同类产品的近期水平.可以替代进口产品.

4GH_zGaAsFET低噪声放大器及其CAD

本文报告了一种用于某卫星通信工程的4GHz频段低噪声放大器的研制情况及实验结果。在放大器的设计中,采用了先进的计算机辅助设计(CAD)方法,对放大器的增益-频率响应及输入、输出驻波比进行优化,而对放大器的噪声性能进行了精心的实验调整,均获得较好结果。在3.7～4.2GHz频率范围内,4级放大器净增益大于50dB,带内波动小于±0.5dB,等效噪声温度≤70K。