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高温超导Bolometer的原理性实验
被引量:
3
1
作者
黄宗坦
苏培超
+1 位作者
曾光丽
薛南屏
《红外技术》
CSCD
1989年第3期19-21,共3页
简要介绍了用固态反应法制备出高温超导体材料。材料经切磨减薄并压焊引线后制成超导测辐射热计(Bolometer)实验芯片,芯片安装在带窗口的低温恒温器中,在材料中点转变温度128K附近观测到了明显的辐照热敏效应,直流灵敏度约1V/W。
关键词
超导
BOLOMETER
芯片
红外探测器
下载PDF
职称材料
长波红外材料n型Hg_(1-x)Cd_xTe载流子寿命
被引量:
1
2
作者
邵式平
薛南屏
+3 位作者
肖绍泽
郭云成
庄维莎
邵康
《红外技术》
CSCD
北大核心
1999年第2期31-34,共4页
测量了3种不同生长方法(加速坩埚旋转布里奇曼法、固态再结晶法和改进的布里奇曼生长大直径晶体法)制备的长波红外蹄镉汞晶体(块晶)载流子寿命的温度变化关系,与窄禁带半导体载流子复合机构的理论计算结果比较表明,优质晶体中是...
测量了3种不同生长方法(加速坩埚旋转布里奇曼法、固态再结晶法和改进的布里奇曼生长大直径晶体法)制备的长波红外蹄镉汞晶体(块晶)载流子寿命的温度变化关系,与窄禁带半导体载流子复合机构的理论计算结果比较表明,优质晶体中是以带间碰撞复合为主。
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关键词
载流子寿命
复合机构
碲镉汞材料
SPRITE探测器
下载PDF
职称材料
132元InSb光伏线列的研究
3
作者
张星灿
雷胜琼
+3 位作者
黄承彩
薛南屏
李卫
田正伦
《红外技术》
CSCD
1991年第3期1-3,共3页
报道了我们研制出的132元InSb光伏线列的制备工艺及其性能。线列是采用流行的Cd扩散工艺和光刻剥离技术制成的,每个线列装于封离的检测杜瓦瓶中,77K,线列典型检测元的探测率D~*(500,1000,1)为(0.8~1.5)×10^(10)cm·Hz^(1/2)/W。
关键词
INSB
光伏
132元线列
红外探测器
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职称材料
n型HgCdTe晶片少子寿命分布的小光点测量
4
作者
邵式平
薛南屏
李汉宾
《红外技术》
CSCD
1995年第4期31-33,48,共4页
用聚焦的激光光点(宽度约为0.1mm)测量了n型Hg1-xCdxTe(x=0.2)长条状薄片样品的少数载流子寿命沿样品长条方向的分布,结果表明分布是不均匀的。讨论了引起这种不均匀的可能原因。
关键词
少数载流子寿命
小光点测量
汞
镉
碲
下载PDF
职称材料
题名
高温超导Bolometer的原理性实验
被引量:
3
1
作者
黄宗坦
苏培超
曾光丽
薛南屏
机构
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
1989年第3期19-21,共3页
文摘
简要介绍了用固态反应法制备出高温超导体材料。材料经切磨减薄并压焊引线后制成超导测辐射热计(Bolometer)实验芯片,芯片安装在带窗口的低温恒温器中,在材料中点转变温度128K附近观测到了明显的辐照热敏效应,直流灵敏度约1V/W。
关键词
超导
BOLOMETER
芯片
红外探测器
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
长波红外材料n型Hg_(1-x)Cd_xTe载流子寿命
被引量:
1
2
作者
邵式平
薛南屏
肖绍泽
郭云成
庄维莎
邵康
机构
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
1999年第2期31-34,共4页
文摘
测量了3种不同生长方法(加速坩埚旋转布里奇曼法、固态再结晶法和改进的布里奇曼生长大直径晶体法)制备的长波红外蹄镉汞晶体(块晶)载流子寿命的温度变化关系,与窄禁带半导体载流子复合机构的理论计算结果比较表明,优质晶体中是以带间碰撞复合为主。
关键词
载流子寿命
复合机构
碲镉汞材料
SPRITE探测器
Keywords
Carrier Iifetime, Recombination mechanism,HgCdTe, SPRITE detectors
分类号
TN213 [电子电信—物理电子学]
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
132元InSb光伏线列的研究
3
作者
张星灿
雷胜琼
黄承彩
薛南屏
李卫
田正伦
机构
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
1991年第3期1-3,共3页
文摘
报道了我们研制出的132元InSb光伏线列的制备工艺及其性能。线列是采用流行的Cd扩散工艺和光刻剥离技术制成的,每个线列装于封离的检测杜瓦瓶中,77K,线列典型检测元的探测率D~*(500,1000,1)为(0.8~1.5)×10^(10)cm·Hz^(1/2)/W。
关键词
INSB
光伏
132元线列
红外探测器
Keywords
InSb
Photovoltaic
Linear array
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
n型HgCdTe晶片少子寿命分布的小光点测量
4
作者
邵式平
薛南屏
李汉宾
机构
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
1995年第4期31-33,48,共4页
文摘
用聚焦的激光光点(宽度约为0.1mm)测量了n型Hg1-xCdxTe(x=0.2)长条状薄片样品的少数载流子寿命沿样品长条方向的分布,结果表明分布是不均匀的。讨论了引起这种不均匀的可能原因。
关键词
少数载流子寿命
小光点测量
汞
镉
碲
Keywords
Minority carrier lifetime Small light spot technique HgCdTe
分类号
TN247 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高温超导Bolometer的原理性实验
黄宗坦
苏培超
曾光丽
薛南屏
《红外技术》
CSCD
1989
3
下载PDF
职称材料
2
长波红外材料n型Hg_(1-x)Cd_xTe载流子寿命
邵式平
薛南屏
肖绍泽
郭云成
庄维莎
邵康
《红外技术》
CSCD
北大核心
1999
1
下载PDF
职称材料
3
132元InSb光伏线列的研究
张星灿
雷胜琼
黄承彩
薛南屏
李卫
田正伦
《红外技术》
CSCD
1991
0
下载PDF
职称材料
4
n型HgCdTe晶片少子寿命分布的小光点测量
邵式平
薛南屏
李汉宾
《红外技术》
CSCD
1995
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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