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相变光盘的多层膜结构 被引量:2
1
作者 薛松生 范正修 干福熹 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1991年第3期47-50,共4页
实用的相变光盘膜应由包含相变介质膜和匹配膜的多层膜结构绍成。本文根据膜系特征导纳矩阵,匹配设计了相变光盘的多层膜结构。设计结果表明:(1)λ=8300 处多层膜结构较单层膜结构(只有相变记录介质膜)对写入激光吸收提高一倍左右;(2)... 实用的相变光盘膜应由包含相变介质膜和匹配膜的多层膜结构绍成。本文根据膜系特征导纳矩阵,匹配设计了相变光盘的多层膜结构。设计结果表明:(1)λ=8300 处多层膜结构较单层膜结构(只有相变记录介质膜)对写入激光吸收提高一倍左右;(2)反射率对比度有较大提高,R_c∶R_a可达4∶1。最后对设计结果给出了实验证实。 展开更多
关键词 相变交盘 多层膜结构 光存储器
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金刚石薄膜研究进展述评 被引量:2
2
作者 薛松生 范正修 干福熹 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1989年第6期18-22,17,共6页
本文综述了金刚石薄膜(DTF)研究的最新进展,着重分析了金刚石薄膜的制备方法、成膜机理和各种性能表征技术。最后将金刚石薄膜和类金刚石薄膜进行了简单比较。
关键词 金刚石薄膜 人造 工艺
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乐山大佛的审美享受
3
作者 徐泽虹 薛松生 《四川教育学院学报》 2006年第1期69-70,共2页
闻名遐迩的乐山大佛,作为世界级的“自然与文化”双重遗产,具有极高的美学价值:顶天立地的雄伟美、庄严慈和的气质美、比例匀称巧夺天工的构造美、与周围景观融为一体的和谐协调美、引人遐思的意象美,以及大佛景区自然景观的色彩美、声... 闻名遐迩的乐山大佛,作为世界级的“自然与文化”双重遗产,具有极高的美学价值:顶天立地的雄伟美、庄严慈和的气质美、比例匀称巧夺天工的构造美、与周围景观融为一体的和谐协调美、引人遐思的意象美,以及大佛景区自然景观的色彩美、声音美、动态美、朦胧美,人文景观的劳动美、意境美、情感美、道德美、智慧美,均可使人获得多维度的高层次审美享受。 展开更多
关键词 乐山大佛 雄伟 气质 构造 意象
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磁控溅射薄膜的厚度分布 被引量:13
4
作者 范正修 薛松生 何朝玲 《应用科学学报》 CAS CSCD 1993年第2期136-140,共5页
论述了磁控溅射薄膜的厚度分布,从理论上分析了固定基体、基体转动和自转加公转三种状态下的膜厚分布.计算表明,膜厚分布很大程度上取决于基体高度.适当调节基体高度和靶的距离,可以得到很好的膜厚均匀性.实验证实了这个结果.
关键词 磁控溅射 薄膜 厚度
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磁控共溅射制备(Sb2Se3)1—xNix合金薄膜及其可擦除光记录特性
5
作者 薛松生 范正修 《薄膜科学与技术》 1992年第4期6-10,共5页
关键词 光存贮 光记录 薄膜 SbSeNi
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相变记录介质GeSb_2Te_4薄膜的光学性质,晶体结构和晶化特性 被引量:3
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作者 薛松生 范正修 干福熹 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第3期274-278,共5页
采用高频磁控溅射制备了GeSb_2Te_4薄膜.系统地研究了真空热退火对GeSb_2Te_4薄膜光学性质和晶体结构的影响.对非晶态GeSb_2Te_4薄膜进行了热分析,给出了其结晶过程的动力学参数.
关键词 晶体结构 晶化 非晶态薄膜 相变
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相变记录介质GaSb薄膜的光学性质、微观结构及其记录性质
7
作者 薛松生 范正修 干福熹 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第4期377-381,共5页
本文系统地研究了热致相变对射频磁控溅射的GaSb薄膜光学性质和微观结构的影响.发现在270℃左右具有连续无序网络结构的非晶GaSb薄膜发生相变,转变为具有立方晶系的多晶薄膜,其晶格常数为α_0=0.6095nm,相变后薄膜的吸收减小,GaSb薄膜... 本文系统地研究了热致相变对射频磁控溅射的GaSb薄膜光学性质和微观结构的影响.发现在270℃左右具有连续无序网络结构的非晶GaSb薄膜发生相变,转变为具有立方晶系的多晶薄膜,其晶格常数为α_0=0.6095nm,相变后薄膜的吸收减小,GaSb薄膜的光能隙由0.7eV升高为0.94eV.用精密四探针法测量了GaSb薄膜电阻随温度变化的过程.给出了GaSb薄膜的一次写入记录特性,研究了光致晶化记录畴的微结构. 展开更多
关键词 相变记录介质 微结构 薄膜 砷化镓
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非晶态GeSb_2Te_4薄膜在热退火过程中的FCC亚稳晶相和六方稳定晶相
8
作者 薛松生 范正修 干福熹 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第12期1075-1077,共3页
一、引言 自1970年,Ovshinsky首次报道利用硫系合金薄膜的可逆结构相变来进行光学数据存贮以来,Te基合金由于具有大的光吸收、低的热导率和适当的晶化特性而得到了广泛的研究,如TeGeSbS,TeSeGa,TeGeSnAu,TeGe,GeSbTe等,其中以GeSb_2Te_... 一、引言 自1970年,Ovshinsky首次报道利用硫系合金薄膜的可逆结构相变来进行光学数据存贮以来,Te基合金由于具有大的光吸收、低的热导率和适当的晶化特性而得到了广泛的研究,如TeGeSbS,TeSeGa,TeGeSnAu,TeGe,GeSbTe等,其中以GeSb_2Te_4化合物半导体材料最具有吸引力。Yamada报道了GeSb_2Te_4材料的光记录特性,可用50(ns) 展开更多
关键词 非晶戊 GeSbTe 薄膜 热退火
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相变记录薄膜的光致记录畴
9
作者 薛松生 范正修 千福熹 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第2期111-114,共4页
通过高分辨透射电镜分析,深入研究了TeSeIn相变记录薄膜的可逆光存贮机理,提出了对应TeSeIn记录薄膜写入和擦除过程中光致记录畴变化的瞬态相变过程的物理模型。
关键词 相变 记录薄膜 光致 记录畴 光盘
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TeSeIn相变记录介质膜稳定性的研究
10
作者 薛松生 范正修 谢诒芳 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第12期729-732,共4页
本文从理论和实验上分析指出亚稳非晶态薄膜的等温(室温)结晶导致TeSeIn薄膜光学性质的变化,简要讨论了热蒸发制备非晶态膜的条件.
关键词 TeSeIn 相变薄膜 稳定性 薄膜
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TeSeIn相变记录薄膜及其可逆光存贮特性
11
作者 薛松生 范正修 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第12期1109-1114,共6页
本文报道了从理论和实验上对相变记录薄膜Te_x(In_ySe_(1-y))_(1-x)系统的研究结果.当记录薄膜TeSeIn的组成对应共晶区域(x=0.7,y=0.2~0.5)时,TeSeIn膜具有稳定的光致可逆相变循环过程,擦除时间10μs,读出信号对比度0.23,擦写循环次数... 本文报道了从理论和实验上对相变记录薄膜Te_x(In_ySe_(1-y))_(1-x)系统的研究结果.当记录薄膜TeSeIn的组成对应共晶区域(x=0.7,y=0.2~0.5)时,TeSeIn膜具有稳定的光致可逆相变循环过程,擦除时间10μs,读出信号对比度0.23,擦写循环次数达10~5以上. 展开更多
关键词 碲硒铟合金 可擦除光盘 记录薄膜
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TeSeIn相变记录薄膜的微观特性研究
12
作者 范正修 薛松生 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第7期640-645,共6页
TeSeIn是一种可逆光存贮介质.分别用单源热蒸发和磁控溅射制备TeSeIn膜.利用透射电镜(TEM)研究了膜的结构和微观形貌.利用俄歇剖面技术(AES-PRO)给出了膜的组分深度剖面,分析了TeSeIn记录介质膜与ZnS保护膜界面间的互扩散大小.利用X光... TeSeIn是一种可逆光存贮介质.分别用单源热蒸发和磁控溅射制备TeSeIn膜.利用透射电镜(TEM)研究了膜的结构和微观形貌.利用俄歇剖面技术(AES-PRO)给出了膜的组分深度剖面,分析了TeSeIn记录介质膜与ZnS保护膜界面间的互扩散大小.利用X光电子能谱(XPS)分析了组元深能级结合能的化学位移.最后根据上面实验结果简要讨论了制备稳定的多元记录介质膜的方法. 展开更多
关键词 光学薄膜 相变纪录薄膜
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相变记录介质Sb_2Se_3薄膜的光学性质和微观结构 被引量:1
13
作者 薛松生 范正修 干福熹 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第9期559-563,共5页
采用热蒸发制备了非晶态Sb_2Se_3薄膜。系统地研究了真空热退火对Sb_2Se_3薄膜光学性质和微观结构的影响。
关键词 记录介质 SbSe薄膜 光学性质 结构
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Metastable FCC Phase and Stable Hexagonal Phase in the Thermal Annealed Amorphous GeSb_2Te_4 Thin Films
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作者 薛松生 范正修 干福熹 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1993年第11期891-894,共4页
1 Introduction The use of chalcogenide alloys for optical data storage was first reported by S R. Ovshinsky in 1970. Research works dealt mostly with Te-based alloys because the Te-based media have high optical absorp... 1 Introduction The use of chalcogenide alloys for optical data storage was first reported by S R. Ovshinsky in 1970. Research works dealt mostly with Te-based alloys because the Te-based media have high optical absorption, low thermal conductivity and adequate glass formation ability, such as TeGebS, TeSeGa, TeGeSnAu, TeGe, GeSb<sub>2</sub>Te<sub>4</sub> etc., of which GeSb<sub>2</sub>Te<sub>4</sub> com- 展开更多
关键词 GeSb2Te4 recording media METASTABLE FCC PHASE STABLE hexagonal PHASE THERMAL annealing effects.
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