基于金属辅助化学腐蚀的大高宽比硅纳米结构制备

为了获得大高宽比的硅纳米结构,结合电子束光刻和等离子刻蚀方法制备厚度为5 nm/20 nm的Ti/Au微纳结构,然后以氢氟酸、去离子水和双氧水作为腐蚀液,利用各向异性金属辅助化学腐蚀制备大高宽比硅纳米结构,并进行了实验验证。研究了双氧水的浓度和腐蚀温度对硅纳米结构形貌的影响,分析了大高宽比硅纳米结构的金属辅助化学腐蚀机理。实验结果表明:在较低的双氧水浓度和较低的腐蚀温度下,可以形成侧壁陡直、光滑的大高宽比硅纳米结构,在纳米光栅结构和阵列结构的X射线掩模制造中显示出其优越性。基于氢氟酸、去离子水和双氧水的浓度分别为4.8、50和0.12 mol/L的腐蚀液,在2℃下进行金属辅助化学腐蚀,得到了高度为4.2μm的300 nm特征尺寸的硅纳米柱结构,对应高宽比为14∶1。

L波段高功率高效率功率放大器芯片设计

基于InGaP/GaAs HBT工艺,设计实现了一款L波段高功率高效率功率放大器芯片。该功率放大器利用预匹配电容与基极稳流电阻对功率放大器的基本功率单元进行设计,并对晶体管功率合成器电路进行了改进。仿真结果表明,在工作频段1650 MHz处,小信号增益达到43.5 dB,输入输出回波小于-13 dB,饱和输出功率大于36 dBm,饱和功率附加效率大于53.8%,芯片面积仅为0.9 mm×0.7 mm。采用此改进设计后,该款芯片在较小面积内实现了较高的功率放大器效率指标。

企业营运能力分析的局限性及完善

公司的营运能力体现在它对资源的有效利用与资源合理规划整合上,强大的营运能力有利于公司在经济上的收入增长。其能力基础来源于两个方面,一方面来自内部,另一方面来自外部,综合内外部的数据和相关资源分析判断可以大大地增加公司在财务上的安全度,同时分析出总体的资源和资本的使用情况,分析投入与回报的具体情况。在此基础上,债权人可以充分了解公司的经营状况并以此作为投资和信贷的根据与凭证。