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智能金属结构中光纤光栅传感器的无粗化镀膜工艺
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作者 方亮 唐安琼 +5 位作者 胡佳 殷波 薛生杰 吴俊 刘立 章鹏 《重庆大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期78-83,共6页
为了用金属直接固化代替目前的环氧粘接技术,从而实现光纤光栅传感器的无胶粘接,提出了一种无需粗化的光纤光栅传感器表面金属化工艺方法,并通过化学镀镍磷(Ni-P)合金,实现了光纤传感器的金属化封装。采用扫描电子显微镜、能谱仪、X射... 为了用金属直接固化代替目前的环氧粘接技术,从而实现光纤光栅传感器的无胶粘接,提出了一种无需粗化的光纤光栅传感器表面金属化工艺方法,并通过化学镀镍磷(Ni-P)合金,实现了光纤传感器的金属化封装。采用扫描电子显微镜、能谱仪、X射线衍射仪及热振试验分别对涂层的表面形貌、成分、结构和结合力进行了检测和分析,结果表明,制备所得涂层表面光滑、平整且致密;同时,通过镀膜光纤光栅传感器件与金属构件的实际键合试验,证明其结合力强、力学性能良好,能满足光纤光栅传感器的使用要求。 展开更多
关键词 光纤 光纤光栅传感器 无胶粘接 化学镀 无粗化 镍磷合金
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光纤布拉格光栅表面化学镀的研究进展
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作者 唐安琼 方亮 +3 位作者 薛生杰 吴俊 刘立 章鹏 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期49-51,66,共4页
用化学镀方法在光纤表面进行金属封装以获得较薄的智能涂层,可实现光纤智能金属结构的集成。对国内外化学镀从前处理、化学镀镍、化学镀铜、镀层结合性能及金属封装后光纤布拉格光栅传感器(FBG)的传感性能等方面进行了归纳与分析,指出... 用化学镀方法在光纤表面进行金属封装以获得较薄的智能涂层,可实现光纤智能金属结构的集成。对国内外化学镀从前处理、化学镀镍、化学镀铜、镀层结合性能及金属封装后光纤布拉格光栅传感器(FBG)的传感性能等方面进行了归纳与分析,指出了存在的问题与今后的发展方向。 展开更多
关键词 化学镀 表面金属化 光纤布拉格光栅传感器 光纤智能金属结构
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大功率LED散热用微通道铝基板的有限元仿真 被引量:4
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作者 闫泉喜 张淑芳 +2 位作者 龙兴明 薛生杰 方亮 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第3期417-420,424,共5页
对带微通道的铝基板上封装的不同功率LED,用Comsol Multiphysics软件对其温度场进行了有限元模拟,重点研究了微通道的孔大小、孔间距、绝缘层的厚度和热导率对基板散热性能的影响,结果表明:铝基板厚度为1.5mm左右,微通道方形孔,孔长0.8... 对带微通道的铝基板上封装的不同功率LED,用Comsol Multiphysics软件对其温度场进行了有限元模拟,重点研究了微通道的孔大小、孔间距、绝缘层的厚度和热导率对基板散热性能的影响,结果表明:铝基板厚度为1.5mm左右,微通道方形孔,孔长0.8mm,孔间距0.8mm,绝缘层厚度50μm,热导率1.5W/(m·K),为最佳散热性能铝基板。微通道铝基板封装3W灯珠与普通铝基板和氮化铝基板相比,热阻分别下降了5.44和3.21℃/W,表明微通道铝基板能更好地满足大功率LED散热的需求。 展开更多
关键词 大功率LED 散热 微通道铝基板 仿真
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Influence of ITO, Graphene Thickness and Electrodes Buried Depth on LED Thermal-Electrical Characteristics Using Numerical Simulation 被引量:7
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作者 薛生杰 方亮 +5 位作者 龙兴明 卢毅 吴芳 李万俊 左佳奇 张淑芳 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2014年第2期137-140,共4页
Finite elements methods are used to investigate the thermal-electrical characteristics of gallium-nitride (GaN) light-emitting diodes (LEDs) with different transparent conductive layers (TCLs) and buried depths ... Finite elements methods are used to investigate the thermal-electrical characteristics of gallium-nitride (GaN) light-emitting diodes (LEDs) with different transparent conductive layers (TCLs) and buried depths of electrodes, where the transparent conductive layers include indium tin oxide (ITO), graphene (Gr) and the combination of them (ITO/Gr). The optimal material parameters and the precision and accuracy of the simulation model are validated. Moreover, the parameters' sensitivity analysis is carried out as well. The results indicate that the LED with the TCL of a lO0-nm ITO or 4-1ayer Gr has a good thermal-electrical performance from the viewpoint of the maximum temperature and the current density deviation of multiple quantum well (MQW), where the maximum temperature occurs at the n-Pad rather than p-Pad. The compound TCL with a 20-nm ITO and 3- layer Gr reaches a thermal-electrical performance better than that of a lO0-nm ITO or 4-layer Gr. Moreover, their maximum temperatures decrease about -0.43% and 1.21%, and the current density uniformities increase up to -6.09% and 17.41%, respectively. Furthermore, when the electrode buried depth is 0.51 μm, the thermal-electrical performance of the GaN LEDs can be further improved. 展开更多
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几分欢悦 几分忧伤──也谈《归去来兮辞》的思想感情
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作者 薛生杰 《中学语文教学》 北大核心 2001年第9期31-32,共2页
关键词 《归去来分辞》 陶渊明 思想感情 中学 语文教学 阅读鉴赏
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