将高频电感器的绕组损耗减到最小的方法

采用金属薄膜绕组技术，可以减小大的浪涌电流和高的功率电平状况下电感器的损耗，以及免去一些加工程序。使用利兹线（Litzwire）进行绕组的最优化设计，为在高频状态下降低绕组损耗给工程ON／J提供了新的设计工具。

采用谐振变换器提高电源效率

全球性的节能减排绿色革命运动促进了电子电器产品电源系统的效率无论是在工作状态或待机状态都在不断提高。同时，轻便易于携带的使用要求，也推动了许多电子产品的外形尺寸减小，重量减轻。这仲使用要求也相应给电源系统的设计提出了条件。为减小开关电源的尺寸、重量，提高开关频率是重要的基础性技术。

模拟变压器准确的发热部位指导其改进设计和性能

在电能的输送和分配系统中，电源变压器是其关键的部件，因此，防止其由于发热引起其被击穿是十分重要的。采用检测或者计算机模拟的办法确定其发热的准确部位及其温度等重要参数，对变压器的用户和生产厂商都是非常有益的。这篇文章叙述一种用计算机模拟变压器的准确发热部位的方法，这种方法可以对不同类型冷却措施和不同绕组结构的变压器的发热部位和温度进行预测。为此，该程序可以用来指导电源变压器的设计制造，作为工具能够用来检验证明变压器发热部位的温度是否太高，并且可以核查不同参数和不同技术措施对发热部位温度的影响（例如绕组结构的几何形状、冷却方法或者散热片的数量等）。这种模拟方法的知识可以与用户共同分享，用来改进变压器的负载状态。

一种薄膜电感器的设计制造

文章介绍一种薄膜电感器的设计与制造工艺，并列举了一例在高速DC／DC电源变换器中应用的结果。这种微型贴装式薄膜电感器为移动通信等等便携式小型轻量化高性能电子设备的发展进步作出了重要贡献。

一种适用于ZVS的可饱和换向电感器

文章介绍一种小型的适用于零电压开关（zvs）换向的可饱和电感器。电感器的饱和条件由以下两个冈素决定：一是使用了含有可饱和铁心的PWM控制器；二是使用的饱和变压器产生电流反馈时，在不增加传输损耗的条件下，减少开关损耗以及开关的浪涌电流和电压。采用这种电感器的直流电压变换器，可以在1MHz的开关工作频率上获得高达90％以上的效率。这是由于流经开关的无功电流非常小，开关中的浪涌电流和电压得到了抑制，故开关损耗大为降低。

高频电子设备应用的集成螺旋管型电感器及其特性

高频电子设备应用的新型集成螺旋管型电感器已经采用表面微机械加工技术和聚合物保护层制作成功，并且对它们的几何结构特性进行了研究。将集成电感器与其相类似的分立式电感器比较，可以发现，在通常情况下，集成电感器可能因为其品质因数Q值和，或自谐振频率的降低而带来一些损失。螺纹型电感器被优先选用为集成电感器中的一种，需要具有相对较大的两维（2-D）空间距离。另外，螺纹型电感器的磁通方向与其基片相互垂直，在这种情况下，对存在垂直地叠装的多芯片模型（McM）的基础电路或其它集成的无源元件可能产生较大的干扰。本研究课题提出的电感器是无磁芯（Aircore）的，这样，可以减小由于存在磁心而产生的不需要的杂散电容值，而采用电镀的铜线圈可以减小串联电阻值。本文中所提出的这种电感器在几何结构上的一个重要特征是在其基片和导体线圈两者之间引入了空气隙，以便减小基片的介电常数影响。这种空气隙可以用聚合物保护层和表面微机械加工技术来实现。由此，还可以使得电感器的基片减小对磁性能的依赖，减小杂散电容值，获得更高的功率因数Q值。具有不同几何空间（例如空气隙的高度，磁芯的尺寸和线圈匝数）的电感器已经在陶瓷基片上设计与制作成功。在这类电感器的变性研究中，完成了它们在高频段工作时，其几何空间对电感器性能影响的评估。测量这些电感器的参数，其电感量从2nH到20nH不等，而最大品质因数Q值则从10变化到60。

晶片级封装的无源元件制造

文章介绍采用晶片级封装（WLP）技术制造高性能无源元件之片上电感器和片上天线的工艺过程：使用电镀方法电镀出较厚的铜（Cu）膜，在膜上进行二次布线（以减小电阻值），并用较厚的树脂薄膜把电感器与硅基片进行隔离，从而组成无源元件。这种元件性能优良，如片上电感器在F=2GHz时，L=5nH，Q-30；而且，Si基片对片上电感器性能的影响仅为传统电感器的十分之一。为了增加这种电感器的电感值L，还制作了在晶片上添加一层铁氧体膜的电感器。关于晶片级封装的片上天线，以300mW的信号传输功率达到片上天线与传输模块间的最大范围的通信距离，在接收功率为10μw时可超过400mm。这项技术与实际的芯片尺寸封装（CSP）结合，即可获得高性能的片上封装无源元件。

一种用于微型电源模块的薄膜电感器

文章提出了一种把电感器、电容器和控制集成电路紧密地封装在一起的、高度仅为1．3mm的高效率低高度的DC—DC电压变换器。实现这种微小型电源模块的关键是使其采用的电感器达到微小型化，本文将重点介绍采用薄膜磁心绕线型电感器的制作与性能。