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Organic Light Emitting Diode Using Inorganic Material as Electron Transport Layer
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作者 YANG Xiao-hui HUA Yu-lin +3 位作者 TENG Feng HOU Yan-bing XU Xu-rong HUANG Zhong-hao 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 1997年第12期946-948,共3页
In this letter we report a new kind of organic light emitting diode in which an inorganic material was used as electron transport layer.The incorporation of this inorganic material layer increased the brightness in on... In this letter we report a new kind of organic light emitting diode in which an inorganic material was used as electron transport layer.The incorporation of this inorganic material layer increased the brightness in one order. 展开更多
关键词 DIODE INORGANIC ELECTRON
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TFEL发光层体内的点缺陷及其作用 被引量:4
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作者 娄志东 A.N.Georgobiani +3 位作者 徐征 徐春祥 藤枫 徐叙 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第11期1210-1214,共5页
通过对薄膜的光致发光谱的测量 ,研究了分层优化的ZnS∶Er3 + 薄膜电致发光器件的发光层体内点缺陷的种类及其在禁带中的能级位置 .结果表明 :ZnS∶Er3 + 体内除了作为发光中心的替位铒离子ErZn外 ,主要的点缺陷是S空位VS、Zn空位VZn、... 通过对薄膜的光致发光谱的测量 ,研究了分层优化的ZnS∶Er3 + 薄膜电致发光器件的发光层体内点缺陷的种类及其在禁带中的能级位置 .结果表明 :ZnS∶Er3 + 体内除了作为发光中心的替位铒离子ErZn外 ,主要的点缺陷是S空位VS、Zn空位VZn、浅施主ClS 和FS、深受主Cu+ 等 .S空位是双施主能级 ,V1+ S 和V2 + S 分别位于导带底 1 36和 2 36eV处 ;Zn空位是双受主能级 ,V1-Zn 和V2 -Zn 距价带顶分别约为 1 0 0和 1 5 0eV ;Cu+能级位于价带顶 1 2 6eV处 .另外 ,还讨论了上述点缺陷对薄膜电致发光的影响 .通过S空位的俄歇型无辐射能量转移 ,降低了稀土掺杂的ZnS薄膜电致发光器件的短波发射强度 ;ClS 和FS 的场发射及Zn空位的碰撞离化是发光层内产生空间电荷的两个可能的因素 . 展开更多
关键词 光致发光谱 点缺陷 薄膜电致发光 TFEL器件
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