期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe量子限制Stark效应光调制器 被引量：2
1
作者 唐九耀 川上养一 藤田茂夫 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期79-84,共6页
研究了Ｚｎ１－ ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ 多量子阱Ｓｔａｒｋ 效应光调制器的研制及其在室温下的光学特性，包括透射谱、反射谱以及在不同外场作用下的微分透射谱和微分反射谱，指出了这类调制器目前可以达到的调制幅度，及可能的应用... 研究了Ｚｎ１－ ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ 多量子阱Ｓｔａｒｋ 效应光调制器的研制及其在室温下的光学特性，包括透射谱、反射谱以及在不同外场作用下的微分透射谱和微分反射谱，指出了这类调制器目前可以达到的调制幅度，及可能的应用前景． 展开更多
关键词 光调制器 ZnCdSe/ZnSe 量子限制 STARK效应
下载PDF
光CVD法制作电子薄膜材料
2
作者 藤田静雄 藤田茂夫 郭秀芬 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1990年第1期70-76,共7页
在近几年来的电子器件制备中,对三维的各方向均提出了微细化和在平面内均匀性等高精度和优良的可控性要求.为此,对新的薄膜制法和加工方法进行了广泛的研究,为新型电子器件的实现做出了很大的贡献.最近几年,在薄膜制备中采用光能的方法... 在近几年来的电子器件制备中,对三维的各方向均提出了微细化和在平面内均匀性等高精度和优良的可控性要求.为此,对新的薄膜制法和加工方法进行了广泛的研究,为新型电子器件的实现做出了很大的贡献.最近几年,在薄膜制备中采用光能的方法引起了人们的关注. 展开更多
关键词 光 CVD法 电子薄膜 电子材料
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部