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ICCD选通脉冲源的设计与实验研究 被引量：4
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作者 虎俊宇 裴承全 +3 位作者 田进寿 王俊锋 方玉熳 温文龙 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期145-152,共8页
基于微处理器并结合模拟延迟电路以及数字逻辑电路,设计了分辨率可达5ns、最小脉宽为65ns、频率高达1MHz、且通过上位机可以远程控制的选通脉冲源.用该脉冲源结合选通电源测试了阴极上镀有金属导电基底和没有金属导电基底的ICCD的选通... 基于微处理器并结合模拟延迟电路以及数字逻辑电路,设计了分辨率可达5ns、最小脉宽为65ns、频率高达1MHz、且通过上位机可以远程控制的选通脉冲源.用该脉冲源结合选通电源测试了阴极上镀有金属导电基底和没有金属导电基底的ICCD的选通快门时间.结果表明当镀有金属基底时,ICCD具有更短的开启时间.建立相应的等效电路模型和阴极开关过程满足的RC等效方程,定性分析得出阴极面电阻的减小是使得ICCD开启时间缩短的主要因素. 展开更多
关键词 ICCD 脉冲发生 脉冲整形 比较器 选通门宽 光阴极
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