电化学还原法制备PZT薄膜

以Ｐｂ（ＮＯ３）２、ＴｉＣｌ３为电解质，利用电化学还原方法在不锈钢基底上制备了钙钛矿型ＰＺＴ薄膜（Ｐｂ／Ｚｒ＋Ｔｉ＝１．０７，Ｚｒ／Ｔｉ＝５２／４８），并对薄膜样品性能进行了测试，其介电系数接近１３００，介质损耗０．６，剩余极化强度１２μＣ／ｃｍ２，矫顽场强６３ｋＶ／ｃｍ。

GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中的激子在纵向外电场中的性质

用变分法分别计算了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ单量子阱和多量子阱在纵向（垂直于异质结界面的方向）外电场作用下激子的基态能级，讨论了电场对激子的峰移、偶极振予强度和交换能的影响。

磁控溅射a-Si/Ni多层膜的研究

利用超高真空多靶磁控溅射设备制备ａＳｉ／Ｎｉ多层膜，经ＸＰＳ和Ｒａｍａｎ谱的分析研究表明：在所取工艺参数条件下制备的ａＳｉ／Ｎｉ多层膜为周期性的成份调制结构。以特殊的表面电极结构。

电化学还原方法制备锆钛酸铅薄膜的研究

以Pb（NO3）2、TiCl3和ZrOCl2为电解质，就利用电化学还原法及退火晶化处理在不锈钢基底上制备钙钛矿型PZT薄膜进行了研究。结果表明：在一定条件下，淀积在基底上的膜层，其组份比与电解液的组份摩尔浓度、还原电流密度和还原时间存在某种确定的关系。通过调整电解液中组份的摩尔浓度，选择合适的还原电流密度和还原时间，可以控制膜层的组份比，再经过退火处理制备出所需化学配比的钙钛矿结构PZT薄膜。

在（311）面上所生长的Al_xGa_（1－x）As／GaAs单量子阱特性

文章报道了用分子束外延（ＭＢＥ）法在６００℃和６５０℃下，在Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ衬底的（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上成功地生长了高质量的ＡｌｘＧａ１－Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱材料。计算了光荧光（ＰＬ）峰值能量，并与实验作了比较。讨论了（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上的不同生长特性。

α-Si/Ni多层膜的制备及光电特性研究

简述用超高真空多靶磁控设备制取α－Ｓｉ／Ｎｉ多层膜，用ＸＰＳ和Ｒａｍａｎ谱对新研制的多层膜进行组份分析，结果表明α－Ｓｉ／Ｎｉ多层膜具有周期性成份调制结构．对其光偏振特性及横向光电特性进行了部分测试，结果表明入射线偏振光经α－Ｓｉ／Ｎｉ多层膜反射后出现旋光现象，按设计的电极进行测试，α－Ｓｉ／Ｎｉ多层膜具有横向光电效应．

升华法制备C_(60)的HPLC研究

对升华法所得Ｃ(６０)进行了ＨＰＬＣ和ＵＶ吸收测定．所得结果与文献工作一致．

升华法制备碳笼的显微结构研究

讨论了在氮气氛下用升华法从碳灰中提取碳笼的方法．通过扫描电子显微镜观察。