塑封基板类器件翻新件无损鉴别方法研究

本研究提出了一种针对塑封基板类翻新件的无损鉴别方法。通过外观特征分析、声学扫描电子显微镜分析和X射线分析等技术方法,实现了塑封基板类翻新件的无损鉴别方法。结合相关案例,揭示了塑封基板类器件的典型翻新物理特征,有效指导了塑封基板类翻新器件的鉴别方向。针对典型翻新物理特征进行综合评价和风险分级,进一步加强了塑封基板类器件在应用过程中的风险规避。

国产化元器件替代可靠性评价与验证技术研究

国产化元器件在设计、工艺、原料等方面同进口元器件存在差异性,国产化元器件直接引入与应用会对终端产品可靠性产生影响,因此,需要制定相应评价与验证的质量保障体系,以确保终端应用产品的安全可靠。本文通过对国产化元器件选型标准与供应商管理,国内外元器件性能与结构比对分析,板级应用层面的可靠性验证与评价等相关技术内容的研究,构建了一套系统的国产化元器件替代可靠性评价与验证体系,为国产化元器件的导入与应用评价提供指导。

宇航级集成电路筛选过程质量管控措施

宇航级集成电路作为集成电路中质量保证等级要求最高的一种,其筛选过程中的质量管控要求注定也将最为严格。当前随着对宇航级集成电路的需求量不断增大,宇航级集成电路的供应量紧缺与器件的高可靠质量要求发生了矛盾与冲突。为此,加强宇航级集成电路的筛选过程质量管控,制定相应的质量管控措施应作为各单位检验部门的工作重点。通过对宇航级集成电路筛选过程要求的分析与归纳,总结出了宇航级集成电路筛选过程中的质量管控措施,可以更好地指导宇航级集成电路检验的相关工作,为未来中国实现航天科技强国目标奠定坚实的基础。

不同温度应力下陶封器件Au-Al键合可靠性研究

为研究不同温度应力对Au-Al键合的可靠性影响,对陶封器件采用温度循环试验、高温贮存试验,分析陶封器件Au-Al键合点的金属间化合物(IMC)微观组织结构。结果显示,两种温度应力条件下都出现明显分层现象,且由于固固扩散反应,分层界面处应力集中,裂纹更易萌生扩展,降低可靠性;对比3000次温循、150℃/360h、250℃/360h试验条件下分层界面处的裂纹形貌,裂纹长度逐渐增加,说明恒定温度应力更易促进IMC裂纹生长,且温度越高,裂纹生长越快,对器件可靠性影响也越大。

基于容抗法的C_(DM)测试技术设计

网络运放输入差模电容可通过电容不同特性计算推导,而实际测试设备的精度往往无法达到理论推导结果的准确性,这主要是由于运放差分输入OFFSET问题导致差分输入信号无法达到完全一致。首先,为了深入地了解寄生电容的主要产生机制,对传统Bipolar器件和CMOS器件的结构以及等效模型进行了分析介绍;然后,分别根据运放频域特性和寄生电容的充放电特性原理,对运放的输入差分寄生电容进行推导;最后,利用仿真方法对测试结果进行了验证。结果表明,采用容抗法测得的结果更接近于真实值,从而验证了所提出的方法的有效性,对于提高差模电容测试精度具有重要的意义。

协同分析在集成电路失效定位中的应用探讨

随着集成电路规模和制造工艺的发展,对失效电路进行失效点定位的难度也越来越大,单独依靠一种分析方法很难实现失效点定位。利用先进分析仪器设备,采用多种方法协同分析,成为针对大规模集成电路失效定位分析的必然选择。从有效实现失效定位为出发点,根据失效分析的标准和流程,将定位分析过程和设备仪器划分成三个层次,结合在各分析阶段发现的失效案例,说明多种分析方式协同使用可以实现大规模集成电路失效点的快速、准确定位,分析过程中获取的信息可以为后续的失效机理和失效原因分析提供可靠依据。

军用裸芯片KGD筛选方法探讨

军用SIP、MCM、混合IC等先进封装产品对裸芯片的需求日益增大,选用通过可靠性筛选后的KGD是确保最终产品成品率和可靠性的有效保障。基于现有的国内外标准、检测设备和检验环境,针对KGD获取方式中的分立形态裸芯片,通过对单个芯片进行临时夹具装载/卸载,开展电老炼和三温测试,建立分立裸芯片的KGD筛选方法和环境控制方法,使筛选后的裸芯片在技术指标和可靠性指标上达到封装成品的等级要求。对筛选后的合格产品进行可靠性验证,证明提出的KGD筛选方法可以获得满足用户使用要求的KGD产品。

高密度CQFP封装IC的CA结构分析研究

针对高密度CQFP封装的质量评价,现有标准主要立足于电路本身,没有考虑到工程应用的组装、试验和使用过程中可能会发生的各种失效问题,仅仅按照国军标的规定通过鉴定和质量一致性等可靠性试验和检验无法全面有效地保证其应用可靠性。通过结合实际工程应用关注封装外壳、互联区域和芯片之间本身结构上的薄弱点,以高密度CQFP封装IC为例,对其进行结构单元分解,确定分析流程和检验项目,并以实际应用案例说明了对高密度CQFP封装IC进行结构分析的重要性。

集成电路真伪辨识方法

随着电子产品的高度集成化,电子元器件不断更新换代,旧版本的集成电路逐步停产,加上国外公司的禁运等多种因素的影响,翻新、假冒和伪劣的集成电路越来越多,给电子产品和军用装备的可靠性带来很大的风险。按照从简单到复杂、从外部到内部、从非破坏性到破坏性的顺序介绍了几种辨识假冒伪劣集成电路的方法,通过检查集成电路的外部标识、引线、表面状况以及内部工艺,配合二筛的环境适应性试验及电性能测试,可以有效判断是否为假冒伪劣集成电路。

人体组织中光子密度波漫射理论的模拟研究

运用矩阵变换方法对已有的无限长矩形条件下的扩散方程的解析解进行了化简,大大提高了计算机模拟的速度。利用给定的人体前臂组织的典型光学参数,给出了扩散方程解析解的模拟计算结果。分析了介质的基本光学特性参数对漫射光子密度的影响,在验证已有的理论基础上,发现该模型下的解析解不适用于漫射系数D较大的情况。

多散射介质中光子密度波扩散方程的二阶求解

对于生物医学光子学领域中的新技术——扩散光子密度波技术进行了理论上的研究与扩展,给出了长为a,宽为b,高为无限大的矩形边界条件下光子密度波扩散方程的二阶微扰解析解。由于实际测到的物理量多为光通量,演算出了与入射面相对应面处的光子通量和介质中的吸收系数改变量之间的关系。并利用人体前臂肌肉组织的典型光学参数,给出了二阶微扰解的模拟计算结果,并与一阶微扰计算结果进行了比较。结果表明,二阶微扰解比原有的一阶微扰解在计算精度上有一定的提高,尤其是在异常体附近精度更是有较大的提高。所得二阶结果不仅为利用扩散方程进行生物组织成像问题提供了更加精确的理论基础,而且对于图像质量尤其是分辨异物的能力的提高具有促进作用。

光子密度波扩散方程中的格林函数

在分析有关格林函数在光子密度波扩散方程中应用情况的基础上,根据所设定的实验模型要求,将展开法与电像法相结合求解了满足扩散方程的格林函数,并详细推导了获得该函数的过程.该函数更加适合于所设定的实验模型,并便于对扩散方程进行更为精确的求解.

铜线键合塑封器件破坏性物理分析技术

铜线替代传统的金线键合已经成为半导体封装工艺发展的必然趋势,因其材料和制造工艺的特点,其破坏性物理分析方法不同于金线或铝线键合的器件。提出铜丝键合塑封器件破坏性物理分析的步骤及判据参照标准,讨论了器件激光开封技术的工艺步骤和参数值以及键合强度测试判据和典型断裂模式,以解决铜线键合塑封器件的破坏性物理分析问题。

工艺阱深对CMOS集成电路抗闩锁性能的影响

闩锁效应是体硅CMOS电路中最为严重的失效机理之一,而且随着器件特征尺寸越来越小,使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出。以P阱CMOS反相器和CMOS集成电路的工艺结构为基础,采用可控硅等效电路模型,较为详细地分析了闩锁效应的形成机理,并利用试验证实,通过加深P阱深度,可以明显提升CMOS电路的抗闩锁性能。

基于GJB7400的军用塑封集成电路检验标准探讨

塑封集成电路凭借其五大优势,势必会在军用集成电路发展之路上大有作为。目前我国军用塑封集成电路正在处于高速发展阶段,提高其可靠性是军用塑封集成电路发展的重要任务。为加强军用集成电路质量控制,制定了GJB7400-2011《合格制造厂认证用半导体集成电路通用规范》,是军用塑封集成电路筛选检验的主要标准。通过梳理GJB7400关于军用塑封集成电路可靠性检验标准,可以分析我国军用塑封集成电发展的方向。探讨军用塑封集成电路检验标准要求,帮助了解目前我国军用塑封集成电路发展现状与目标的差距,为未来实现高可靠性的国产化军用塑封集成电路指引领航。

基于AEC标准的汽车芯片可靠性测试方法研究

近年来,自动驾驶技术逐渐成为Tier1汽车电子智能系统的最先进技术,解决自动驾驶技术的关键在于提升自动驾驶芯片的可靠性,保障汽车运行中的安全。目前国内尚未有关于汽车芯片可靠性的标准,该文基于国际AEC-Q100系列标准,结合可靠性加速因子,研究了可靠性测试方法以及数据管控方法,根据参数零件平均测试PPAT方法,优化了静态PAT和动态PAT测试流程,为提高国产汽车芯片质量可靠性提供一定的参考依据。

扫描超声显微镜检查在塑封集成电路检测中的应用

进口工业级塑封集成电路在军用武器装备中的使用范围越来越广泛，随之也出现了一些问题，如塑封集成电路内部易进入水汽产生界面分层、模塑工艺过程中留下的空洞等。为满足高可靠性应用环境的需求，需要使用非破坏性的扫描超声显微镜检查技术来剔除存在缺陷的塑封器件。通过收集整理近几年塑封器件出现的失效情况，结合GJB4027A-2006中关于塑封集成电路扫描超声显微镜检查的相关检验条款，对重点关注的缺陷判据结合实际案例做了进一步的讨论，有助于提高后期判图的准确性。

叠层芯片粘接强度与剪切强度试验研究

为解决芯片粘接强度与剪切强度试验在微电子器件可靠性考核中选用不清晰的问题,文中对国内外相关试验标准进行对比分析,并总结两种试验的方法及试验载荷曲线的相关性规律。结果表明,芯片粘接强度试验与芯片剪切强度试验的载荷比值随着芯片粘接区域面积的增大,呈现先增大、后减小、再增大的趋势,最小比值为1.07,最大比值达到5.93。然后,通过对比试验及有限元仿真方法,对大、小两款叠层芯片分别进行粘接强度试验、剪切强度试验及有限元仿真,研究其试验过程中的最大应力状态。得出对于小面积芯片,建议使用剪切强度试验进行考核;对于大面积芯片,建议使用粘接强度试验进行考核。

电子产品综合应力沙尘试验方法研究

本文研究了一种电子产品综合应力沙尘试验评价方法。该方法基于产品的实际应用环境特点与沙尘应力同其它环境因素的耦合效应,引入了温度应力形成综合应力条件,开展了电子产品综合应力沙尘试验方法的研究,并给出了综合应力试验严酷度选择方法以及试验后产品的性能表征与风险等级判定方法,为评价电子产品综合沙尘应力条件下的可靠性提供指导。

长期湿热下塑封电路Cu-Al和Au-Al的金属间化合物生长差异探究

为探究塑封电路Cu-Al、Au-Al键合点在长期湿热环境下的可靠性,分别设置2组湿热应力试验条件加速Cu-Al、Au-Al键合退化。采用扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)对键合界面形貌、成分进行观测。试验结果表明:湿热环境下塑封电路Cu-Al键合界面金属间化合物生长速率比Au-Al慢的多,具有良好的键合界面,无明显影响力学性能的裂纹、空洞的产生。