低阈值N+P双MOS管辐照加固设计和工艺技术

本文针对一种对管MOSFET产品6A/20V、-4.4A/-20V进行研究。产品具有低压、低阈值、低导通电阻,且具有抗单粒子37Mev/(mg/cm^(2))、抗电离总剂量100K rad(Si)要求特性,对产品进行了方案设计以及关键设计技术和关键工艺技术分析,同时利用二维仿真软件ISE-TCAD对器件的电学特性进行了仿真模拟,产品经过最终流片、封装测试,技术参数达到了国外对应型号FDW2520C的技术特性指标,开关特性还优于FDW2520C,可以替代国外同类型号产品。

一种新型塑封高压硅堆的研制

本文通过对研制的一种新型塑封高压整流硅堆,提升硅堆器件内部通电功率为目标,经过对传统硅堆工艺结构的设计进行改进,使研制的新工艺结构硅堆产品的通电功率优于传统工艺的硅堆产品,并对产品特性加以验证。

密封性半导体分立器件内部气氛控制技术

本文从器件内部气氛的组成、国内行业普遍存在的问题和气氛控制技术几大方面,对器件内部气氛控制方法进行论述,寻求行之有效的方法,提高产品的可靠性。