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GaAs/SiO_2超晶格的制备和Raman光谱研究
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作者 衡成林 王孙涛 +5 位作者 秦国刚 王敬 王永鸿 陈坚邦 濮玉梅 陈晶 《光散射学报》 2000年第3期142-146,共5页
我们采用射频磁控溅射方法在 p- Si衬底上成功地制备出四周期的非晶 Ga As/Si O2超晶格 ,并取得其高分辨率电镜像。以 80 0℃快速退火方法使超晶格中非晶的 Ga As层局部晶化 ,利用 Raman散射谱研究了其结构变化。
关键词 超晶格 砷化镓 二氧化硅 拉曼光谱
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功能化氧化石墨烯的细胞相容性(英文) 被引量:12
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作者 张晓 杨蓉 +1 位作者 王琛 衡成林 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1520-1524,共5页
采用改进的Hummers方法制备了纳米尺度的氧化石墨烯.对氧化石墨烯的表面进行羧基化,并连接上聚乙二醇(PEG)使其在细胞培养液中可溶并能稳定保存.采用透射电镜(TEM)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱和zeta电位测量等对修饰后的氧化石墨烯的结... 采用改进的Hummers方法制备了纳米尺度的氧化石墨烯.对氧化石墨烯的表面进行羧基化,并连接上聚乙二醇(PEG)使其在细胞培养液中可溶并能稳定保存.采用透射电镜(TEM)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱和zeta电位测量等对修饰后的氧化石墨烯的结构和功能进行了表征.体外细胞实验表明PEG修饰的氧化石墨烯在水中具有良好的可溶性,对A549细胞没有明显的毒性,在生物医药领域具有潜在的应用价值. 展开更多
关键词 氧化石墨烯 纳米材料 生物相容性 表面功能化
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RF磁控溅射技术制备纳米硅 被引量:1
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作者 马振昌 宗婉华 +2 位作者 衡成林 秦国刚 吴正龙 《微纳电子技术》 CAS 2002年第4期22-24,29,共4页
利用硅-SiO2复合靶,RF磁控溅射技术制备了三种富硅量不同的SiO2薄膜,并在较大的温度范围内进行了退火。利用x射线光电子能谱,对刚淀积的样品进行了分析,结果表明三种样品都存在纳米硅粒子。使用高分辨率透射电子显微镜和电子衍射技术研... 利用硅-SiO2复合靶,RF磁控溅射技术制备了三种富硅量不同的SiO2薄膜,并在较大的温度范围内进行了退火。利用x射线光电子能谱,对刚淀积的样品进行了分析,结果表明三种样品都存在纳米硅粒子。使用高分辨率透射电子显微镜和电子衍射技术研究了退火后样品中纳米硅粒子析出和结晶情况,富硅量较大的两种SiO2薄膜都观测到纳米硅晶粒。统计结果表明:复合靶中硅组分从20%增加到30%,纳米硅晶粒的平均尺寸增加了15%、密度增加了2.5倍,而且随着退火温度从900℃增加到1100℃,纳米硅晶粒的平均尺寸和密度都明显增加。 展开更多
关键词 磁控溅射 薄膜 射频 制备 纳米硅
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(Ce,Yb)共掺杂氧化硅薄膜的发光特性及结构
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作者 李晋桃 衡成林 +1 位作者 张红艳 殷鹏刚 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第2期595-599,共5页
采用磁控溅射技术在单晶硅衬底上制备了稀土(Ce,Yb)共掺杂氧化硅薄膜,研究了薄膜样品的结构和下转换发光性质。样品的发光光谱显示,在He-Cd激光器325 nm线的激发下,Ce3+离子的发光强度较弱而Yb3+离子的发光较强;Yb3+的发光随着退火温度... 采用磁控溅射技术在单晶硅衬底上制备了稀土(Ce,Yb)共掺杂氧化硅薄膜,研究了薄膜样品的结构和下转换发光性质。样品的发光光谱显示,在He-Cd激光器325 nm线的激发下,Ce3+离子的发光强度较弱而Yb3+离子的发光较强;Yb3+的发光随着退火温度的升高逐渐增强;这些结果加上样品的激发光谱和衰变光谱,都显示样品中发生了Ce3+到Yb3+的能量传递过程。X射线衍射结果表明,样品在高温退火时(大于1 000℃)出现晶化,形成了Ce和Yb的硅酸盐结构。笔者认为利用高温退火形成Ce的硅酸盐结构可以明显增强Yb3+的发光,从而提高薄膜的下转换发光效率。 展开更多
关键词 下转换发光 稀土掺杂 氧化硅薄膜 硅酸盐
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不同电极构型的砷烯和砷化锑扩展分子的电子输运性质
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作者 杨亚杰 苏文勇 +1 位作者 衡成林 王锋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第18期18039-18043,共5页
通过杂化密度泛函理论和弹性散射格林函数方法,计算了不同电极结构的Au-As-Au和Au-AsSb-Au扩展分子的电子输运性质。结果表明,在两种Au-As-Au扩展分子中,类型Ⅰ扩展分子容易导通,并在0.5 V时达到较宽的3.8 nA饱和电流;类型Ⅱ扩展分子在0... 通过杂化密度泛函理论和弹性散射格林函数方法,计算了不同电极结构的Au-As-Au和Au-AsSb-Au扩展分子的电子输运性质。结果表明,在两种Au-As-Au扩展分子中,类型Ⅰ扩展分子容易导通,并在0.5 V时达到较宽的3.8 nA饱和电流;类型Ⅱ扩展分子在0.4 V之前几乎没有电流,之后缓慢增加并在1.5 V达到与类型Ⅰ相同的饱和电流。这说明不同的电极接触方式改变了砷烯扩展分子的分子轨道性质,但是并未改变它们的最大电流导通能力。在两种Au-AsSb-Au扩展分子中,类型Ⅰ扩展分子容易导通并在0.5 V时达到较宽的1.8 nA饱和电流;类型Ⅱ扩展分子在1.0 V之前电流增加缓慢,之后迅速增加并在1.25 V达到1.0 nA饱和电流。对比发现,类型Ⅰ扩展分子容易导通且具有较宽的电流平台值;类型Ⅱ扩展分子不易导通,之后会达到一个较窄的电流平台值,这使砷类分子器件具备了更丰富的电子输运性质,从而在电路中满足稳恒输出、阈值开关、线性响应的不同要求。 展开更多
关键词 砷烯 砷化锑 电子输运 饱和电流 阈值开关
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Electron Transport Properties of Two-Dimensional Monolayer Films from Au-P-Au to Au-Si-Au Molecular Junctions
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作者 孙豆豆 苏文勇 +2 位作者 王锋 冯万祥 衡成林 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2018年第1期76-80,共5页
We investigate the electronic-transport properties of two-dimensional monolayer films from Au-P-Au molecular junction to Au-Si-Au molecular junction using elastic scattering Green's function theory. In the process of... We investigate the electronic-transport properties of two-dimensional monolayer films from Au-P-Au molecular junction to Au-Si-Au molecular junction using elastic scattering Green's function theory. In the process of replacing the P atoms with Si atoms every other line from the middle of monolayer blue phosphorus molecular structure, the substitution of Si atoms changes the properties of Au-P-Au molecular junction significantly. Interestingly, the current value has a symmetric change as a parabolic curve with the peak appearing in Au-Si_1P_1-Au molecular junction, which provides the most stable current of 15.00 nA in a wide voltage range of 0.70-2.70 V.Moreover, the current-voltage characteristics of the structures indicate that the steps tend to disappear revealing the property similar to metal when the Si atoms dominate the molecular junction. 展开更多
关键词 Electron Transport Properties of Two-Dimensional Monolayer Films from Au-P-Au to Au-Si-Au Molecular Junctions Si
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Au/(SiO_2/Si/SiO_2)纳米双势垒/n^+-Si结构的电致发光研究 被引量:1
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作者 孙永科 衡成林 +3 位作者 王孙涛 秦国刚 马振昌 宗婉华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第7期1404-1408,共5页
利用射频磁控溅射方法 ,在n+ Si衬底上淀积SiO2 /Si/SiO2 纳米双势垒单势阱结构 ,其中Si层厚度为 2至 4nm ,间隔为 0 .2nm ,邻近n+ Si衬底的SiO2 层厚度固定为 1.5nm ,另一SiO2 层厚度固定为 3nm .为了对比研究 ,还制备了Si层厚度为... 利用射频磁控溅射方法 ,在n+ Si衬底上淀积SiO2 /Si/SiO2 纳米双势垒单势阱结构 ,其中Si层厚度为 2至 4nm ,间隔为 0 .2nm ,邻近n+ Si衬底的SiO2 层厚度固定为 1.5nm ,另一SiO2 层厚度固定为 3nm .为了对比研究 ,还制备了Si层厚度为零的结构 ,即SiO2 (4.5nm) /n+ Si结构 .在经过 6 0 0℃氮气下退火 30min ,正面蒸上半透明Au膜 ,背面也蒸Au作欧姆接触后 ,所有样品都在反向偏置 (n+ Si的电压高于Au电极的电压 )下发光 ,而在正向偏压下不发光 .在一定的反向偏置下 ,电流和电致发光强度都随Si层厚度的增加而同步振荡 ,位相相同 .所有样品的电致发光谱都可分解为相对高度不等的中心位于 2 .2 6eV(5 5 0nm)和 1.85eV(6 70nm)两个高斯型发光峰 .分析指出该结构电致发光的机制是 :反向偏压下的强电场使Au/ (SiO2 /Si/SiO2 )纳米双势垒 /n+ Si结构发生了雪崩击穿 ,产生大量的电子 空穴对 ,它们在纳米SiO2 层中的发光中心 (缺陷或杂质 )上复合而发光 . 展开更多
关键词 电致发光 纳米双势垒 高斯型发光峰
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GaAs颗粒镶嵌薄膜的制备及光吸收特性的研究
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作者 姚伟国 陈贵宾 +3 位作者 衡成林 吴雪梅 石旺舟 戚震中 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1997年第1期17-21,共5页
采用复合靶共溅射技术制备纳米GaAs晶粒镶嵌在a-SiO2中的复合薄膜。通过控制淀积时基片的温度,调节靶面GaAs的百分比,可制备出不同GaAs晶粒尺度与体积百分比的薄膜。XRD、TEM和XPS的分析结果表明薄膜是由... 采用复合靶共溅射技术制备纳米GaAs晶粒镶嵌在a-SiO2中的复合薄膜。通过控制淀积时基片的温度,调节靶面GaAs的百分比,可制备出不同GaAs晶粒尺度与体积百分比的薄膜。XRD、TEM和XPS的分析结果表明薄膜是由a-SiO2基体和均匀地弥散在a-SiO2中的一定尺度的纳米GaAs晶粒构成的。光吸收谱的研究显示,由于量子限域效应,GaAs颗粒的能级分立,吸收边蓝移,蓝移量随粒径的减小而增大。 展开更多
关键词 砷化镓 量子点 光吸收 薄膜 半导体薄膜
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