一种合成HgBa_2Ca_2Cu_3O_（8＋δ）超导体的新方法

采用加压烧结工艺在１０～３０ＭＰａ压强下合成了超导化合物ＨｇＢａ_２Ｃａ_２Ｃｕ_３Ｏ_（８＋δ）。样品的ＸＲＤ、磁化率和电阻测量结果表明：这种方法制备的Ｈｇ系超导样品的起始转变温度在１３０Ｋ以上，样品主要由ＨｇＢａ_２Ｃａ_２Ｃｕ_３Ｏ_（８＋δ）（即Ｈｇ－１２２３相）组成。由经验得知：在１０～３０ＭＰａ压强范围内，压力变化对Ｈｇ系超导体的起始转变温度无明显影响，但烧结过程中的升温速率对样品制备十分重要。

采用单片机的干燥速率测定装置

介绍一种新型常压干燥速率测定装置。检测部分由位移传感器、电压频率转换器、单片机构成。单片机实行温度控制和数据采集。实验测定了感石英砂的干燥曲线，并考察了空气温度、石英砂厚度对干燥速率的影响。结果表明，该装置的灵敏性和数据的重复性均较满意。

压埋法制备MgB_2超导材料的工艺

介绍了一种用压埋法合成块状MgB2超导体的新方法。采用该方法得到的样品的临界温度可高达38 4K,与常规方法得到的样品的临界温度相近。对这种方法的合成工艺进行了探讨,发现烧结温度(Ts)和保温时间(t)对样品的临界温度影响很大。在相同的0 5h保温时间条件下,烧结温度在1073～1123K温区获得的样品临界温度最高。固定烧结温度(1123K),不同保温时间下获得的样品的临界温度随着保温时间的增加而降低。进一步对样品的剩余电阻率比(RRR)进行研究,实验结果表明随着RRR数值的增加临界转变温度下降。这可能与样品内过量的杂质有关。

无机械磨损的金属电子逸出功实验仪

将光电编码器使用在金属电子逸出功实验仪中,实现金属电子逸出功仪器中电流电压的无磨损调节。手动旋转光电编码器,由此产生控制信号,经单片机处理,DA数模转换,产生实验所需要的直流高压或电流。改装后的金属电子逸出功实验仪实现了电压调节装置的永久性使用而不产生机械磨损,不受环境温度等因素的影响,克服了电位器带来的各种弊端。结果显示了实验数据精度的提高。

数控直流可调稳压电源

高等院校的教学实验中，有时需要稳压电源的电压从零或某一电压值开始以一定的步长均匀增加，或从某一电压值开始以一定的步长均匀减小到零，使用机械电位器调节的稳压电源难以满足要求，而采用数字电位器调节的稳压电源可以实现这一目的。本文作者使用数字电位器X9511，配合高精度运算放大器OP07和集成稳压器LM317或LM338，设计并制作了输出电压0-15V的数控直流可调稳压电源。

加压烧结合成HgBa_2Ca_2Cu_3O_(8+δ)超导体的研究

自Putilin和Schilling等人发现了Hg-Ba-Ca-Cu-O系统的T_c可达130K以上的超导性以来,世界上掀起了一个研究Hg系超导体的高潮,这不仅因为它创造了T_c的最高记录,而更重要的是该化合物系具有值得深入研究的、十分有趣的物理特性及超导机制.然而,由于HgO的熔点低、易挥发、且毒性大,所以造成制备这一系统的超导样品的难度相当大.目前通常采用两种方法来制备该系统的超导样品:①高压法;②封管法.