用硅半导体探测器测量快中子平均能量的方法

本文叙述了用两个硅半导体探测器测量~3H(d,n)~4He 反应中子平均能量的方法,并将所得结果与用^(58)Ni(n,p)^(58m+g)Co 和^(58)Ni(n,2n)^(57)Ni 反应截面比测定的平均中子能量做了比较.

^(204)Pb(n,2n)^(203)Pb和^(206)Pb(n,α)^(203)Hg反应截面的测量

用活化法进行了13.50—14.81MeV中子能区^(204)Pb(n,2n)^(203)Pb和^(206)Pb(n,α)^(203)Hg反应截面的测量。用^(27)Al(n,α)^(24)Na反应作为中子注量标准。中子能量用锆、铌截面比测定。所得结果和有关文献的结果作了比较。

ZL-I散射式自动跟踪γ料位计的研制

本文描述了一台散射式自动跟踪γ料位计。它的主要技术指标是：跟踪范围４ｍ；跟踪最大速度６ｍｍ／ｓ；对壁厚２０ｍｍ钢板容器充满沥青介质的测量精度±１ｍｍ。

8031单片机在穆斯堡尔谱仪中的应用

本文描述了用８０３１单片机组成的穆斯堡尔谱仪的数据采集和传输系统的硬件和软件。系统道数为５１２道，每道计数容量为１０￣８－１。与ＩＢＭＰＣ／ＸＴ及其兼容机相连构成计算机穆斯堡尔谱仪。

锗探测器γ谱仪系统的死时间测量

本文研究了测定HpGeγ谱仪死时间的技术。依次测量γ源(1)、γ源(1)+γ源(2)的γ射线谱。分别求出多道分析器上两谱的γ源(1)的特征γ射线的全能峰计数率m_p和全谱计数率m_0,从而计算出死时间。

强流中子发生器n-γ辐射场参数的测量

为满足强流中子发生器14 MeV 中子的辐照实验要求,已建立了基本配套的中子注量测量装置和两个环境剂量监测站.在样品待辐照的近靶区,测量了中子能谱、中子和γ剂量的空间分布.n-γ辐射场参数的测量将为中子物理实验和加速器的安全运行提供有用数据.

^(97)M_0(n,p)^(97)N_b 反应截面的测量

钼的天然同位素较多,活化后的γ谱复杂,给用活化法测量^(97)M_0(n,p)^(97)N_b快中子反应截面带来了很大困难,以前虽然有多人曾经测量过^(97)M_0(n,p)^(97)N_b 的反应截面,但大多数只测量了个别能量点的数据,这些现存的数据分散较大,国内尚未见有报道,且钼又是核聚变的结构材料之一,所以精确测量^(97)M_0(n,p)^(97)N_b反应截面是十分必要的,为此我们用活化法测量了13.40～14.79MeV 中子能区的^(97)M_0(n,p)^(97)N_b 反应截面并和所能收集到的数据进行了比较。

^Zr（n,2n）^89Zr反应截面测量

用活化法以＾９３Ｎｂ（ｎ，２ｎ）＾９２ｍＮｂ反应截面为中子注量标准，对＾９０Ｚｒ（ｎ，２ｎ）＾８９Ｚｒ反应截面进行了测量，测得的１３．６４，１３．８０，１４．０１，１４．３５，１４．６２和１４．８０ＭｅＶ中子引起的＾９０Ｚｒ（ｎ，２ｎ（＾８９Ｚｒ反应截面值分别为４８３．０±１０．６，５３９．７±１１．９，６０６．３±１３．３，７１０．７６±１５．６，７７５．４±１７．１和８２５．５±１８．２ｍｂ，

T（d,n）^4He中子源出射中子能量的单色性与最佳出射角

从核反应的Ｑ方程出发，讨论了Ｔ（ｄ，ｎ）４Ｈｅ反应出射中子能量的单色性问题，给出了在Ｔ（ｄ。

^(179)Hf(n,2n)^(178)Hf^(m2)和^(209)Bi(n,2n)^(208)Bi反应截面的测量

用活化法测量相对于^(93)Nb(n,2n)^(92)Nb^m反应的^(179)Hf(n,2n)^(178)Hf^(m2)的反应截面和相对于^(27)Al(n,2n)^(24)Na反应的^(209)Bi(n,2n)^(208)Bi的反应截面。在中子能量为14.4 MeV处^(179)Hf(n,2n)^(178)Hf^(m2)反应的测量截面为(6.04±0.32)×10^(-31)m^2。在中子能量为14.6 MeV处^(209)Bi(n,2n)^(208)Bi反应的测量截面为(2279±173)×10^(31)m^2。在这些测量中,中子能量是用^(90)Zr(n,2n)^(89)Zr^(m+8)反应和^(93)Nb(n,2n)^(92)Nb^m反应的截面比法测定的。

^(65)Cu(n,2n)^(64)Cu,^(63)Cu(n,α)^(60)Co 和^(46)Ti(n,p)^(46)Sc反应截面测量

本文用活化法以^(27)Al(n,α)^(24)Na 反应截面为中子注量标准,测得的14.9 MeV 中子^(65)Cu(n,2n)^(54)Cu 和^(46)Ti(n,p)^(46)Sc 反应截面分别为9334±32和297±10mb,测得的14.62MeV中子^(63)Cu(n,α)^(60)Co 反应截面值为42.3±1.5 mb.单能中子由 T(d,n)~4He 反应获得,中子能量是用铌锆截面比法测定的.在文中还把本文的结果与其他一些作者的数据进行了比较.

^(67)Zn(n,p)^(37)Cu 和^(66)Zn(n,2n)^(35)Zn 反应截面测量

本文报告了 En=13.50～14.80MeV 中子能区用活化法以^(27)Al(n,α)^(24)Na 截面为中子注量标准测得的^(67)Zn(n,p)^(67)Cu 和^(66)Zn(n,2n)^(65)Zn 反应截面.中子能量是用铌锆截面比法测定的.文中还列举了尽可能收集到的数据以作比较.

^(148)Sm(n,p)^(148m)Pm、^(144)Sm(n,p)^(144)Pm和^(150)Sm(n,α)^(147)Nd反应截面的测量

报道了从１３．４ＭｅＶ到１４．９ＭｅＶ中子能区用活化法相对９３Ｎｂ（ｎ，２ｎ）９２ｍＮｂ的反应截面，对１４８Ｓｍ（ｎ，ｐ）１４８ｍＰｍ、１４４Ｓｍ（ｎ，ｐ）１４４Ｐｍ和１５０Ｓｍ（ｎ，α）１４７Ｎｄ三个反应截面的初步测量，并将所得结果和已有数据进行了比较．中子能量是用铌锆截面比法测定的．

^(154)Sm(n,2n)^(153)Sm和^(148)Sm(n,p)^(148)Pm反应截面的测量

报道了在Ｅｎ＝１４．５－１４．９ＭｅＶ中子能区用活化法以２７Ａｌ（ｎ，α）１４Ｎａ的反应截面为中子注量标准测得的１５４Ｓｍ（ｎ，２ｎ）１５３Ｓｍ和１４８Ｓｍ（ｎ，ｐ）１４８ｇＰｍ反应截面，并将其与已有的数据进行了比较。中子能量用铌锆截面比法测定。

康普顿散射检测管壁厚度和缺陷的研究

介绍了利用康普顿散射对管壁厚度和缺陷进行无损检测的基本原理和方法。同时用^(137)Cs和^(60)Co辐射源对不同厚度的钢管和管内壁不同大小的空穴进行了刻度试验,结果表明:对Φ100 mm×1mm—Φ100 mm×6 mm不同厚度的钢管,检测精度约为0.1—0.2 mm;对管内壁的空穴,检测灵敏度可达Φ5 mm×0.5 mm;具有实际应用的价值。

^（60）Ni（n，p）^（60）Co反应截面测量

^（６０）Ｎｉ（ｎ，ｐ）^（６０）Ｃｏ反应截面测量仇九子，袁俊谦（兰州大学现代物理系，兰州７３００００）镍是聚变堆不可缺少的合金材料。６０Ｎｉ（ｎ，ｐ）６０Ｃｏ反应生成的Ｐ进而会形成Ｈ２，在聚变堆结构材料中产生气泡；这将直接影响聚变堆的安全运行。所以，...

用^（90）Zr（n，2n）^（89m＋g）Zr和^（93）Nb（n，2n）~（

叙述了用９０Ｚｒ（ｎ，２ｎ）８９ｍ＋ｇＺｒ和９３Ｎｂ（ｎ，２ｎ）９２ｍＮｂ反应截面比测定Ｄ－Ｔ中子平均能量的方法。用硅探测器对中子平均能量进行监测，测量了６个不同能点的铌锆截面比值，得到了铌锆截面比与中子平均能量的关系曲线。

用于放射性测量的快响应单板机计数率仪

本文介绍了一种结构简便、响应速度快、测量精度高的单板机计数率仪,可用于放射性计数率或积分计数的自动监测记录。由于采用了单板计算机,该装置能数字显示及自动打印测量结果。

14MeV快中子反应截面测量的进展

１４ＭｅＶ快中子反应截面测量的进展孔祥忠，王永昌，袁俊谦，胡尚斌，杨景康（兰州大学现代物理系，兰州，７３０００１）随着核聚变技术的不断发展、核聚变能利用接近工程阶段，聚变堆所需核数据越来越重要。聚变堆主要是ｄ－Ｔ反应，产生大量１４ＭｅＶ中子，这些中子...

^（92）M_o（n，p）^（92m）Nb，^（98）M_o（n，p）^（98m）Nb和^（94）M_o（n，2n）^（93m）M_o反应截面测量

报告了Ｅｎ＝１３．４０～１４．７９ＭｅＶ中子能区用活化法以２７Ａｌ（ｎ，α）２４Ｎａ截面为中子注量标准测得的９２Ｍｏ（ｎ，ｐ）９２ｍＮｂ．９８Ｍｏ（ｎ，ｐ）９８ｍＮｂ和９４Ｍｏ（ｎ，２ｎ）９３ｍＭｏ的反应截面．还列举了尽可能收集到的数据，并将９２Ｍｏ（ｎ，ｐ）９２ｍＮｂ和９８Ｍｏ（ｎ，ｐ）９８ｍＮｂ两反应过的实验测量值与理论计算值进行了比较．中子能量是用铌锆截面比法测定的．