基于神经网络BP算法PECVDSi_3N_4钝化工艺的模拟

由于ＩＣ制造过程的高度复杂非线性，利用传统的方法进行工艺分析难以获得满意的结果，现描述一种新的途径——神经网络反向传播算法（ＢＰ算法），并介绍了神经网络ＢＰ算法在ＰＥＣＶＤＳｉ３Ｎ４钝化工艺中的应用。通过建立ＰＥＣＶＤ淀积工艺的神经网络模型，对ＰＥＣＶＤＳｉ３Ｎ４钝化工艺进行了计算机模拟，讨论了相关工艺条件对Ｓｉ３Ｎ４介质膜特性的影响。

7.5cm 372×276象素a-Si TFT有源矩阵的优化设计及制作工艺研究

研究了7.5cm372×276象素a－SiTFT有源矩阵的优化设计理论，讨论了材料物理参数和器件结构参数时器件性能的影响，并对其制作工艺进行了系统研究。

自对准结构α－Si：HTFT特性的分析和研究

本文描述了用自对准工艺制各自对准结构的α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ。从理论上分析了有源层α－Ｓｉ：Ｈ的厚度对α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，据此提出一种新型的双有源层结构的α－ＳｉＴＦＴ。它可以有效地提高自对准α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的开态Ｉ＿（ＯＮ），其通断电流比Ｉ＿（ＯＮ）／Ｉ＿（ＯＦＦ）＞１０￣５。

非晶硅薄膜晶体管矩阵的计算机辅助测试(英文)

本文提出了一种通过外接电容的耦和电压推算出晶体管特性的矩阵器件测试方法。利用本系统可以对晶体管进行逐个扫描,并推算出缺陷的类型和分布、矩阵板的均匀性及器件特性。同时文中引入了统计分析以确定标准值的范围。

TFT有源矩阵α－Si∶H薄膜PECVD淀积工艺研究

分析了α－Ｓｉ∶Ｈ薄膜的质量和厚度对α－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ关键性指标的影响，深入、详细地讨论了其ＰＥＣＶＤ淀积工艺，并在实验的基础上确定了最佳淀积工艺参数。

a-Si:H TFT自对准工艺的研究

实验研究了自对准结构的a－Si：HTFT的制备工艺，对其中关键的底部曝光和顶胶工艺进行了详细的研究和分析，对制备工艺和结构参数进行了合理的优化，成功地制备出自对准结构的a－Si：HTFT。对影响自对准结构a－Si：HTFT特性的主要因素进行了详细的分析，提出了一种新颖的双有源层结构的a-Si：HTFT，可以有效地改善a－Si：HTFT的开态特性，其通断电流比比ION／IOFF＞105。

a-Si:H TFT电流-电压特性研究

本文发展了一种研究a－Si：HTFT电流一电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型，提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念，并由此推导出了 a－Si：HTFT电流－电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。该模型可用于a－Si：HTFT静态特性分析及其电路优化。

掺铋钇铁石榴石法拉第效应的增强机理研究

提出用电荷控制法研究ａ－ＳｉＣＣＤ电荷转移特性的理论模型，通过引入平均场效应迁移率的概念，推导出计算ａ－ＳｉＣＣＤ电荷转移损失率的解析解，理论计算与实验结果符合较好．该模型可以较好地反映热扩散、自感应电场和边缘电场的漂移机制对ａ－ＳｉＣＣＤ电荷转移特性的影响，分析结果表明，ａ－ＳｉＣＣＤ的电荷的转移主要是受电场漂移作用控制．

a－S1∶H CCD的转移特性分析

本文从ａ—Ｓｉ∶Ｈ的材料特性出发，采用更为精确的ａ—Ｓｉ∶Ｈ带隙态分布模型计算了ａ—Ｓｉ∶ＨＣＣＤ的转移特性，得出了ａ—Ｓｉ∶Ｈ材料参数对ａ—Ｓｉ∶ＨＣＣＤ的动态特性影响的数值分析结果．理论结果表明，ａ—Ｓｉ∶Ｈ材料带隙中的局域态分布对ａ—Ｓｉ∶ＨＣＣＤ的转移特性有非常大的影响．而且在高频下，ａ－Ｓｉ∶Ｈ中的带尾态对ａ—Ｓｉ∶ＨＣＣＤ转移特性的影响比深局域态要大．