脉冲送气等离子体枪的实验

用双探针和光谱方法测量了脉冲送气同轴等离子体枪产生的高速等离子体的性质。同轴枪的储能电容器的充电电压1.5—4.0kV,等离子体的电子温度为10—20eV,定向能量为40—310eV,等离子体密度为5×10^(13)—7×10^(14)cm^(-3)。

直流电弧等离子体射流CVD制备多种碳膜

本文报道了在同一直流电弧等离子体射流CVD装置上,采用不同的沉积条件高速合成金刚石、类金刚石、高取向热解石墨以及无定形碳等四种碳膜.经X射线衍射(XRD)、拉曼散射谱(Raman)、扫描电镜(SEM)形貌分析以及显徽硬度测试表明,该方法制得的金刚石膜和高取向热解石墨膜具有很高的纯度和良好的晶性,类金刚石膜具有独特的形貌和Raman散射特征以及可与金刚石膜比拟的硬度。

气体放电中静电探针表面的污染和清洗

本文讨论了在气体放电中静电探针表面的污染及其对等离子体电子密度、电子温度和空间电位等基本参数测量的影响，提出了一种能有效地清除探针表面污染的方法。

表面约束稳态装置中高频离子声波的激发特性

高频离子声波由于Landau阻尼很大,一般难以激发。本文研究了表面约束稳态装置上高频离子声波的激发特性。实验表明,仔细控制放电参数可以激发起纯离子声波,密度涨落n/n_o最大可以达到7.5％。

等离子体放电中的滞后、分岔和多次上跳现象

滞后现象很早就在放电管的伏安曲线上被发现。近年来的研究发现,这种非线性现象存在于多种等离子体放电过程中并伴随着一些不稳定性出现,Knorr利用简单的突变模型对这种现象作了定性的描述。王海达等改进了Knorr的简单模型,以便对他们观察到的三稳现象作唯象的解释。我们在实验中仔细观察了放电伏安特性随气压的变化,发现随着气压的升高,伏安特性逐渐由单稳过渡到简单的滞后,随机分岔、然后再演变成二次上跳、三次三跳。

不同原料气体直流电弧等离子体制备金刚石薄膜的比较研究

迄今,在金刚石的热力学亚稳相气相合成金刚石薄膜已有许多成熟的方法,如热丝法、微波等离子体法、射频等离子体法、直流电弧等离子体法、空心阴极法、以及氧炔焰法等。作为原料气体的碳氢化合物一般选用甲烷。

低压气相CVD制备六方金刚石薄膜及其鉴定

六方金刚石的存在是由Ergun和Alexander在1962年预言的。他们指出,象立方金刚石中那样与四个等距碳原子成键的碳原子,可能有另外一种堆积方式——六方晶体结构。六方金刚石中碳原子的键长及键角与立方金刚石完全相同,所以,二者有相同的密度及相近的物理、化学性质,但二者可以由X射线衍射加以区分。后来,人们分别用静压法、爆炸法合成了六方金刚石,并在陨石中发现了六方金刚石,陨石是天然六方金刚石的唯一来源。