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阶梯掺杂P柱区二维类超结LDMOS的研究
1
作者
袁晴雯
成建兵
+3 位作者
周骏
陈珊珊
吴宇芳
王勃
《微电子学》
CSCD
北大核心
2017年第4期576-580,共5页
提出了一种阶梯掺杂P柱区二维类超结LDMOS结构。漂移区采用P/N柱交替掺杂的方式形成纵向类超结。漂移区的P柱采用掺杂浓度从源端到漏端逐渐变低的变掺杂结构。这种变掺杂P柱区的引入对衬底辅助耗尽效应所带来的电荷不平衡问题进行了调制...
提出了一种阶梯掺杂P柱区二维类超结LDMOS结构。漂移区采用P/N柱交替掺杂的方式形成纵向类超结。漂移区的P柱采用掺杂浓度从源端到漏端逐渐变低的变掺杂结构。这种变掺杂P柱区的引入对衬底辅助耗尽效应所带来的电荷不平衡问题进行了调制,使得漂移区可以充分耗尽,提高了耐压。P区变掺杂可以提高N区浓度,降低了导通电阻。与常规二维类超结LDMOS结构相比,击穿电压提高了30%,导通电阻下降了10.5%,FOM提升了87.6%,实现了击穿电压与导通电阻的良好折中。
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关键词
类超结
阶梯掺杂
击穿电压
导通电阻
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职称材料
一种具有浮空P型埋层的新型FS-IGBT
被引量:
2
2
作者
陈旭东
成建兵
+3 位作者
郭厚东
滕国兵
周骏
袁晴雯
《微电子学》
CSCD
北大核心
2017年第2期254-257,284,共5页
提出了一种在阳极引入浮空P型埋层的新型场截止绝缘栅晶体管(FS-IGBT)。结合超结与阳极短路的思想,在相同仿真条件下,与传统FS-IGBT相比,新结构的击穿电压提高了13.9%。当通态电流密度为150A/cm^2时,新结构的优化压降增量小于9%,关断时...
提出了一种在阳极引入浮空P型埋层的新型场截止绝缘栅晶体管(FS-IGBT)。结合超结与阳极短路的思想,在相同仿真条件下,与传统FS-IGBT相比,新结构的击穿电压提高了13.9%。当通态电流密度为150A/cm^2时,新结构的优化压降增量小于9%,关断时间比传统结构降低了60%以上,并且工作时无负阻现象,实现了导通压降与关断功耗的良好折中。
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关键词
场截止绝缘栅晶体管
击穿电压
负阻现象
折中关系
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职称材料
基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型SOI LIGBT
3
作者
周骏
成建兵
+3 位作者
袁晴雯
陈珊珊
吴宇芳
王勃
《微电子学》
CSCD
北大核心
2017年第5期714-717,共4页
在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值电阻来使PN结阳极快速导通,阳极P+区中的空穴可以更快地注入漂移区,从而消除负阻效应。仿真结果表明,该新型LT...
在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值电阻来使PN结阳极快速导通,阳极P+区中的空穴可以更快地注入漂移区,从而消除负阻效应。仿真结果表明,该新型LTGBT在保证关断速度不变的情况下,击穿电压为307V(漂移区长度为18μm)比,比常规SA-LIGBT提升了56%,并消除了负阻效应。
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关键词
阳极短路横向绝缘栅双极晶体管
击穿电压
反型层
负微分电阻效应
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职称材料
开发课程资源 多途径课外识字
4
作者
袁晴雯
《安徽教育》
2005年第11期46-46,共1页
关键词
文化环境
活动原则
儿童报
课外生活
字量
汇报课
古诗词
用品类
社会环境
洗涤用品
原文传递
春天来了
5
作者
胡钧博
袁晴雯
《故事作文(低年级版)》
2014年第4期37-37,共1页
春天来了!天上飘着朵朵白云,和煦[xu]的春风吹过,万物变得生机勃勃。小河唱着欢快的歌向前奔去,河里游来游去的小“蝌蚪犹如春天的音符。
关键词
小学生
作文
语文学习
阅读知识
课外阅读
原文传递
题名
阶梯掺杂P柱区二维类超结LDMOS的研究
1
作者
袁晴雯
成建兵
周骏
陈珊珊
吴宇芳
王勃
机构
南京邮电大学电子科学与工程学院
出处
《微电子学》
CSCD
北大核心
2017年第4期576-580,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61274080)
文摘
提出了一种阶梯掺杂P柱区二维类超结LDMOS结构。漂移区采用P/N柱交替掺杂的方式形成纵向类超结。漂移区的P柱采用掺杂浓度从源端到漏端逐渐变低的变掺杂结构。这种变掺杂P柱区的引入对衬底辅助耗尽效应所带来的电荷不平衡问题进行了调制,使得漂移区可以充分耗尽,提高了耐压。P区变掺杂可以提高N区浓度,降低了导通电阻。与常规二维类超结LDMOS结构相比,击穿电压提高了30%,导通电阻下降了10.5%,FOM提升了87.6%,实现了击穿电压与导通电阻的良好折中。
关键词
类超结
阶梯掺杂
击穿电压
导通电阻
Keywords
Pseudo-super-junction
Step-doping
Breakdown voltage
On-resistance
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种具有浮空P型埋层的新型FS-IGBT
被引量:
2
2
作者
陈旭东
成建兵
郭厚东
滕国兵
周骏
袁晴雯
机构
南京邮电大学电子科学与工程学院
东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
出处
《微电子学》
CSCD
北大核心
2017年第2期254-257,284,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61274080)
中国博士后科学基金资助项目(2013M541585)
文摘
提出了一种在阳极引入浮空P型埋层的新型场截止绝缘栅晶体管(FS-IGBT)。结合超结与阳极短路的思想,在相同仿真条件下,与传统FS-IGBT相比,新结构的击穿电压提高了13.9%。当通态电流密度为150A/cm^2时,新结构的优化压降增量小于9%,关断时间比传统结构降低了60%以上,并且工作时无负阻现象,实现了导通压降与关断功耗的良好折中。
关键词
场截止绝缘栅晶体管
击穿电压
负阻现象
折中关系
Keywords
FS-IGBT
Breakdown voltage
Snapback
Trade-off relationship
分类号
TN321 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型SOI LIGBT
3
作者
周骏
成建兵
袁晴雯
陈珊珊
吴宇芳
王勃
机构
南京邮电大学电子科学与工程学院射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室
出处
《微电子学》
CSCD
北大核心
2017年第5期714-717,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(61274080)
文摘
在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值电阻来使PN结阳极快速导通,阳极P+区中的空穴可以更快地注入漂移区,从而消除负阻效应。仿真结果表明,该新型LTGBT在保证关断速度不变的情况下,击穿电压为307V(漂移区长度为18μm)比,比常规SA-LIGBT提升了56%,并消除了负阻效应。
关键词
阳极短路横向绝缘栅双极晶体管
击穿电压
反型层
负微分电阻效应
Keywords
SA LIGBT
Breakdown voltage
Inversion layer
Negative differential resistance effect
分类号
TN324.3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
开发课程资源 多途径课外识字
4
作者
袁晴雯
机构
合肥市红星路小学
出处
《安徽教育》
2005年第11期46-46,共1页
关键词
文化环境
活动原则
儿童报
课外生活
字量
汇报课
古诗词
用品类
社会环境
洗涤用品
分类号
G623.22 [文化科学—教育学]
原文传递
题名
春天来了
5
作者
胡钧博
袁晴雯
机构
安徽合肥市红星路小学三(
出处
《故事作文(低年级版)》
2014年第4期37-37,共1页
文摘
春天来了!天上飘着朵朵白云,和煦[xu]的春风吹过,万物变得生机勃勃。小河唱着欢快的歌向前奔去,河里游来游去的小“蝌蚪犹如春天的音符。
关键词
小学生
作文
语文学习
阅读知识
课外阅读
分类号
G633.34 [文化科学—教育学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
阶梯掺杂P柱区二维类超结LDMOS的研究
袁晴雯
成建兵
周骏
陈珊珊
吴宇芳
王勃
《微电子学》
CSCD
北大核心
2017
0
下载PDF
职称材料
2
一种具有浮空P型埋层的新型FS-IGBT
陈旭东
成建兵
郭厚东
滕国兵
周骏
袁晴雯
《微电子学》
CSCD
北大核心
2017
2
下载PDF
职称材料
3
基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型SOI LIGBT
周骏
成建兵
袁晴雯
陈珊珊
吴宇芳
王勃
《微电子学》
CSCD
北大核心
2017
0
下载PDF
职称材料
4
开发课程资源 多途径课外识字
袁晴雯
《安徽教育》
2005
0
原文传递
5
春天来了
胡钧博
袁晴雯
《故事作文(低年级版)》
2014
0
原文传递
已选择
0
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