白光LED用正交相Gd_2(MoO_4)_3:Dy^(3+)荧光粉的制备与发光性能

利用水热法并经过退火煅烧制备了白光LED用正交相Gd2(MoO4)3∶Dy3+荧光粉,用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对样品的结构和微观形貌进行表征,利用荧光光谱对其发光性质进行了研究。在389 nm的紫外光激发下,4F9/2→6H15/2跃迁产生的蓝光发射和4F9/2→6H13/2跃迁产生的黄光发射最强。发光光谱分析结果表明,Dy3+的最佳掺杂量为x=16%。此时荧光粉最为接近白光,其色坐标和色温分别为(0.326,0.336)和6 389,是一种很有潜力的白光LED用荧光粉。

空穴传输层对有机电致发光器件性能的影响

制备了结构为ITO/MoO3(40 nm)/空穴传输层/CBP∶Ir(ppy)2acac(8%)(30 nm)/BCP(10 nm)/Alq3(40 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm)的器件,其中Ir(ppy)2acac为绿色磷光染料,空穴传输层分别为TAPC(50nm)、TAPC(40 nm)/TCTA(10 nm)、NPB(50 nm)、NPB(40 nm)/TCTA(10 nm)。通过使用4种不同结构的空穴传输层,对器件的发光性能进行了研究。结果表明,空穴传输层对器件的发光性能有较大影响。在电压为6 V、电流密度为2 mA/cm2的条件下,4种结构的器件的电流效率分别为52.5,67.8,35.6,56.6 cd/A。其原因是TAPC/TCTA及NPB/TCTA能级结构更有利于空穴对发光层的注入而且TAPC拥有较高的空穴迁移率;另外,TAPC及TCTA拥有较高的LUMO和三线态能量,可以有效地将电子和三线态激子束缚在发光层内,增加绿光染料的复合发光几率。所制备的器件均表现出良好的色坐标稳定性。

白色有机电致发光器件的制备及掺杂对其色度的影响

采用补色原理,制备黄、蓝双色发光层,且只对黄发光层进行掺杂浓度的调节,得到了较理想的白光器件,改善了工艺制程.所制器件结构为ITO/CuPc/NPB/NPB:DCJTB/NPB/BCP/AlQ/LiF/Al,NPB:DCJTB是黄色发光层.实验发现,器件的色度随着掺杂浓度的变化而变化,当DCJTB掺杂浓度为1.06%时,色度具有最佳值,其色坐标为(0.3149,0.3428),亮度为19000cd/m2,且当电压变化时,器件的色度仍然恒定在白光区.

混合型白色有机电致发光器件的研制

制备了一种"混合型"结构的有机电致发光器件,膜层结构为ITO/MEH-PPV/AND∶TBPE/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(200nm),研究了MEH-PPV的质量以及TBPE的掺杂对器件性能的影响。当MEH-PPV的质量约为0.09mg,TBPE的掺杂浓度为4.5%时,获得了亮度均匀的白光器件。研究中发现器件的电致发光光谱中存在黄光成分,并对此现象进行了讨论。

基于Alq_3掺杂Bphen电子传输层的有机发光二极管

制备了结构为ITO/MoO_3(30 nm)/NPB(40 nm)/TCTA(10 nm)/CBP∶R-4B(8%)(30 nm)/电子传输层(40 nm)/Li F(1 nm)/Al(150 nm)的器件,其中R-4B为红色磷光染料,电子传输层分别采用Alq_3、Bphen∶Alq_3(x%)和Bphen,对3种不同电子传输层器件的发光性能进行了研究。结果表明:Bphen∶Alq_3(x%)作为电子传输层的器件与Alq_3或Bphen作为电子传输层的器件相比,亮度提高了约3.5倍,电流效率提高了1.1~2.5倍,效率滚降变得平缓。采用Bphen∶Alq_3作为电子传输层,不仅减小了电子在LUMO能级传输时的跳跃传输距离,而且在一定程度上抑制了Bphen的结晶,使器件的电子传输能力和效率滚降性能得到改善。

OLED中NEA材料复合阴极影响电子注入效率的作用机理

负电子亲和势材料具有较窄的禁带宽度、功函数低,在OLED的工作电场强范围内可以发射电子,同时在吸收有机材料所发光子能量后可以产生光电子发射,再次注入有机层,提高了电子注入效率。介绍了负电子亲和势材料的形成,理论上分析了其对有机半导体能级的影响以及如何改善有机电致发光器件中电子注入水平,从而提高发光效率。

蓝光LED激发MPR-1003红色荧光粉器件性能研究

采用蓝光LED芯片激发MPR-1003荧光粉,并对其光谱和光效特性进行了研究.结果表明:涂覆荧光粉后,光谱中包含了蓝光和红光两种成分.随着荧光粉比例的增加,蓝光强度逐渐减小,而红光强度增强.当荧光粉和胶的比例为4∶6时,蓝光波段的峰值完全消失,只在红光波段出现一个发射峰值,器件变为纯红色,色纯度达到99.7%;当荧光粉比例增加时,光效呈下降趋势,分析了光谱及光效变化的原因.最后,对器件的亮度、芯片温度及电压随时间的变化等进行了测试,分析了亮度、温度及电压变化等之间的关系.

微腔OLED的视角特性研究

文章研究了微腔OLED的视角特性,结果表明,亮度和发光效率随着视角的增加逐渐减小,当视角增加到50°时,其亮度降为正面输出的1/3;发光效率下降了约40%左右;色坐标随着视角的增加产生漂移,而光谱峰值和半高宽基本不随视角的变化而变化。同时分析并讨论了视角特性产生的原因。

具有双掺杂发射层白光OLED器件结构的研究

白光有机电致发光器件是获得全色器件的基础。制备了一种具有双掺杂发射层的白光OLED器件，其结构为ITO／CuPc／NPB／ADN：TBP以ALQ：DCJTB／ALQ，Mg：Ag，将2，5，8，11-tetra-tertbutylperylen-e（TBPe）掺杂到蓝光主体材料ADN中作为蓝色发光层，4-（dicyanome-thylene）-2-t-butyl-6-（1，1,7，7tetramethyljul-olidyl-9-enyl）-4H-pyran（DCJTB）掺杂到AIQ中作为红色发光层，通过实验结果对比，研究了TBPe以及DCJTB的掺杂浓度对器件性能的影响，确定了当TBPe浓度为3％（质量分数），DCJTB浓度为1．8％（质量分数），时，获得的白光器件性能最优。

基于有机荧光材料的红光LED光谱特性分析

采用蓝光LED芯片激发有机荧光材料2,3,5,6-tetrakis(3,6-di-t-Butylcarbazol-9-yl)-1,4-dicyanobenzene(4CzTPN-Bu),对其光谱、光效、色度特性进行了研究。结果表明,随着4CzTPN-Bu质量分数的提高,LED蓝光芯片光谱逐渐减小并消失,4CzTPN-Bu荧光粉的光谱逐渐增强,且当4CzTPN-Bu质量分数为7%时,蓝光芯片与4CzTPN-Bu之间的能量转移最彻底;在光效方面,随着质量分数的增加,器件的光效先增加后减小,7%时达到最大,之后再减小。该过程的发生主要是荧光粉的被激发程度与能量传递过程中的损耗相互抗衡的结果。当4CzTPN-Bu质量分数增加时,器件色坐标经历了蓝色-蓝偏紫-红偏蓝-纯红的变化,纯红器件的色纯度达到99.8%。

三维光数据存储的分析与计算

三维多层光折射数字存储是一种新型的高密存储技术,对于克服目前的光存储系统的容量限制具有很大的潜力。文章用埃瓦得球结构分析了此种存储方法的横向与纵向带宽,从而在空域内计算了存储的密度。存储容量可以达到1Tb/cm3,用于光通信系统中是可行的;根据该存储系统在更深层聚焦时产生的球差,提出了一种全息校正装置。

底发射OLED中阳极形状对器件性能的影响

通过改变有机电致发光显示器件的阳极形状,制备了三种具有不同表面状态及形状阳极的器件,对它们的电流-电压、亮度、电流效率等特性进行了测试和分析.结果表明,阳极出光侧采用凹凸结构、且Al膜连续、致密,器件的亮度和电流效率相比于传统器件分别增加了40%和10%.当阳极薄膜制备于凹凸面上时,器件性能较差.分析了三种器件性能差距较大的原因.

光输出增强型微腔OLED器件研究

文章利用特制的玻璃作为OLED基板,一面为平整光滑的平面,另一面为具有规则凹凸形貌的粗化面。采用光输出增强型微腔OLED结构,器件结构为:玻璃基板(光面)/Al(15nm)/MoO3(40nm)/NPB(30nm)/Alq3(30nm):C545T(3%)/Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(150nm),研究了器件的电流密度、亮度、发光效率、光致发光光谱等特性。结果表明,这种结构的器件相比于传统微腔型器件,相同电压下亮度约增加了40%,发光效率约提高了15%,具有更强的光萃取能力。

ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究

以氯化铟和氯化锡为前驱物,采用溶胶 凝胶法在玻璃基片上制备了ITO薄膜。研究了掺锡浓度、热处理温度和热处理时间等工艺条件对ITO薄膜光电特性的影响。制备的ITO薄膜的方阻为300Ω/□,可见光平均透过率为80%,电阻率为4×10-3Ω·cm,其光电特性已达到了TN LCD透明电极的要求。

发光层混合掺杂的白光OLED器件

制备了白光OLED器件,器件结构为:ITO/2T-NATA(15nm)/NPB(25nm)/ADN:TBPe[(20-x)]nm、ADN:TBPe:DCJTB(xnm)/Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。研究了ADN:TBPE:DCJTB层厚度从0～8nm变化时对器件发光的影响。实验结果表明,当ADN:TBPE:DCJTB层厚度为0时,器件发蓝光;随着ADN:TBPE:DCJTB层厚度的增加,器件发光的色坐标从蓝光区进入白光区,在ADN:TBPE:DCJTB层厚度为6～8nm时得到色坐标较好的白光器件。

锡掺杂对ITO膜方阻和结构的影响

以铟、锡氯化物为前驱物，采用溶胶-凝胶法在玻璃基体上制备不同锡掺杂的ITO膜，在热处理温度为450℃条件下制备不同锡掺杂（质量分数11％～33％）的ITO膜，研究锡掺杂对ITO膜方阻和结构特性的影响。用四探针法测量ITO膜的方阻并对样品进行X射线衍射分析，结果表明：锡掺杂量在20％时ITO膜的方阻最小，不同锡掺杂的ITO膜均为立方铁锰矿结构，锡掺杂会影响ITO膜晶粒尺寸、晶格常数和晶面取向等结构特性，ITO膜的晶粒较大、晶格畸变小、择优取向小时薄膜方阻较小。

21.4MHz宽带分立式压电石英晶体滤波器研制

采用四节八晶体宽带型差接桥型电路,设计和研制出了一种用于通讯系统中进行较宽范围选频的中高频宽带型带通分立式压电石英晶体滤波器新产品。该产品在中心频率为21.4MHz时达到160kHz以上的通带宽度,相对带宽达到74‰。解决的关键技术问题是:滤波电路的设计、21.4MHz中高频基频滤波晶体半成品的设计、160kHz通带范围内波动调平的展宽线圈设计及滤波器的插损IL≤4.5dB、6dB带宽度Bw6dB≥168kHz、通带波动≤1.5dB、阻带衰减≥70dB等技术指标的实现。

70MHz宽带晶体滤波器的研制

采用三节六晶体宽带差接桥型电路,设计和研制出了一种用于通讯系统进行较宽范围选频的中高频宽带型带通分立式压电石英晶体滤波器新产品。该产品在中心频率为70 MHz时达到130 MHz以上的通带宽度,相对带宽达到1.8‰。本设计实现了70 MHz中高频基频滤波晶体半成品的设计、130 MHz通带范围内波动的调平及滤波器的插损、阻带宽度、阻带衰减等技术指标。

偏光干涉法检测LCD间隔子的均匀性

由于液晶显示器中间隔子的均匀性影响着对比度、色调变化等性能,因此,本文对液晶显示屏间隔子均匀性的检测方法进行了研究。首先分别利用干喷和湿喷法制备了对应的液晶盒,然后采用偏光显微镜研究了所制备液晶显示屏间隔子的分布特性。研究发现,正常情况下,液晶盒内间隔子最小距离接近20μm,最大距离超过100μm;间隔子分布不良的主要缺陷为间隔子团聚;在实验室条件下,干喷法间隔子团聚比较严重,湿喷法基本上无此现象。所以,利用偏光干涉法,通过调节偏光显微镜上下偏光片的相对角度,可以在不破坏液晶显示屏的前提下直接观察到其内部的间隔子及间隔子的分布情况。文中还分析了利用偏光干涉检验间隔子均匀性的原理。

界面对液晶分子锚定作用的探讨

在热平衡条件下 ,对液晶显示器中的锚定作用以及液晶体系的自由能进行了理论分析 ,指出界面对液晶分子锚定作用的强弱可以由外推长度b来描述 ,b的大小主要取决于分子的平均线度a、表面能的各向异性部分EWN 以及液晶分子之间的相互作用能E。强锚定时 ,EWN ≈E ,b≈a ,表面作用可以能忽略不计 ,液晶体系的自由能主要表现为体畸变能 ;弱锚定时 ,E EWN,b a ,这时表面能不能忽略 。