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中文检索期刊的现状及改进意见 被引量:4
1
作者 袁炳辉 韩瑞平 《河北科技图苑》 2001年第3期43-44,67,共3页
简述了中文检索期刊的现状及特点,指出了存在的问题,提出了改进意见。
关键词 中文检索期刊 信息服务 现状 特点 收录范围 检索途径 出版周期 数据库建设
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对“文献检索”课的思考 被引量:2
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作者 袁炳辉 《河北科技图苑》 2003年第5期70-71,共2页
提出了高校现行的“文献检索”课教学内容应作必要的调整 ,以中文检索工具作为入门 ,利用外文检索工具充实扩展 ,加大计算机检索的教学内容 ,不断扩充实习场所。
关键词 文献检索教育 高校 检索工具 计算机检索 检索期刊 中文检索 外文检索 素质教育
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用Te、Sn双掺杂改善GaAs液相外延层载流子浓度纵向分布均匀性
3
作者 袁炳辉 +1 位作者 杨瑞霞 王林海 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期39-41,共3页
探索用Te、Sn双掺杂实现掺杂剂分布正负梯度互补改善杂质纵向分布均匀性的外延工艺,讨论了有关问题,报道了主要结果。
关键词 砷化镓 液相外延 载流子浓度 分布
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化学方法实现GaAs表面Cu的沉积 被引量:1
4
作者 于海霞 付浚 +1 位作者 杨瑞霞 袁炳辉 《河北工业大学学报》 CAS 2000年第4期21-23,共3页
用一种简单的化学方法在LEC GaAs晶体表面实现了Cu的沉积,沉积的Cu层均匀性、牢固性良好,厚度达到无限源扩散的要求.本文介绍了化学镀铜液的配制及镀铜工艺,并对化学镀铜的机理进行了讨论。
关键词 砷化镓 化学方法 化学镀铜 化学沉积法
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清洁验证风险分析---应用典型风险管理流程图进行清洁验证风险分析工作
5
作者 袁炳辉 贾晓艳 《流程工业》 2013年第19期66-69,共4页
近年来,制药行业中很多规范和指南都对清洁验证提出了最新的验证标准,比如中国GMP2010年版提出清洁验证前应进行风险评估,同时也明确对清洁验证提出了很多最新的要求;2010年9月国际制药工程协会(ISPE)基准指南第七卷中第七章提出... 近年来,制药行业中很多规范和指南都对清洁验证提出了最新的验证标准,比如中国GMP2010年版提出清洁验证前应进行风险评估,同时也明确对清洁验证提出了很多最新的要求;2010年9月国际制药工程协会(ISPE)基准指南第七卷中第七章提出对清洁工艺进行风险评估;2010年美国注射剂协会(PDA)出版第49号技术报告第十章也提出清洁验证要进行风险管理。一个良好的清洁验证风险分析绝不仅仅用于清洁验证,还可以指导工艺设备的操作使用、清洁、维护保养和清洁程序的日常监控。 展开更多
关键词 清洁验证 风险分析 风险管理 流程图 应用 风险评估 验证标准 制药行业
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ZQ正向饱和压降的研究
6
作者 袁炳辉 付濬 王林海 《河北工学院学报》 1989年第1期49-53,共5页
通过理论分析和实验研究,找出了影响 ZQ 正向饱和压降的主要因素,提出了改进 ZQ 正向饱和压降的可行性措施:减薄高阻区厚度,提高合金温度等.取得了较显著的效果.
关键词 ZQ 正向饱和压降 电子整流元件
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高纤伏摄影在尘肺诊断中的应用
7
作者 肖友立 袁炳辉 +2 位作者 言自强 唐伟 李再勤 《实用预防医学》 CAS 1996年第1期42-43,共2页
高纤伏摄影在尘肺诊断中的应用肖友立,袁炳辉,言自强,唐伟,李再勤(湖南省劳动卫生职业病防治研究所410007)高纤伏摄影用于尘肺诊断已日益受到重视[1~4]。为进一步探讨其实用价值,我们对不同期别的尘肺患者进行了高、... 高纤伏摄影在尘肺诊断中的应用肖友立,袁炳辉,言自强,唐伟,李再勤(湖南省劳动卫生职业病防治研究所410007)高纤伏摄影用于尘肺诊断已日益受到重视[1~4]。为进一步探讨其实用价值,我们对不同期别的尘肺患者进行了高、低纤伏的对比研究。1对象及方法1.... 展开更多
关键词 尘肺 诊断 高纤伏摄影
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高迁移率GaAs外延片制备的研究
8
作者 王林海 袁炳辉 +1 位作者 付浚 陆永庆 《河北工学院学报》 1995年第2期76-79,共4页
提出了在GaAs液相外延过程中,采用生长高纯度缓冲层、高温烘烤生长系统以及回熔衬底片等工艺,获得具有电参数n=1016~1017cm-3,μ=4~5×103cm2/v·s(300K)的GaAs液相外延片.总结... 提出了在GaAs液相外延过程中,采用生长高纯度缓冲层、高温烘烤生长系统以及回熔衬底片等工艺,获得具有电参数n=1016~1017cm-3,μ=4~5×103cm2/v·s(300K)的GaAs液相外延片.总结出生长高迁移率GaAs外延片的制备方法. 展开更多
关键词 液相外延 烘烤 衬底回熔 缓冲层 砷化镓
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砷化镓液相外延片均匀性的研究
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作者 王林海 袁炳辉 付浚 《河北工学院学报》 1994年第1期65-69,共5页
介绍了在GaAs液相外延过程中,通过改变源溶液的配比及处理方法、外延生长温度、降温速率、石墨舟的结构等工艺条件,制做出厚度均匀、掺杂浓度分布均匀的GaAs外延片,并确定了比较好的生长工艺条件.这对生长高质量的GaAs... 介绍了在GaAs液相外延过程中,通过改变源溶液的配比及处理方法、外延生长温度、降温速率、石墨舟的结构等工艺条件,制做出厚度均匀、掺杂浓度分布均匀的GaAs外延片,并确定了比较好的生长工艺条件.这对生长高质量的GaAs外延片及制做参数一致性好、可靠性高的化合物半导体器件有一定实际意义. 展开更多
关键词 液相外廷 均匀性 生长温度
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