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GaAs/AlGaAs异质结的界面束缚二维激子效应
被引量:
1
1
作者
袁祐荣
周济
+1 位作者
曹望和
冯禹臣
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989年第2期130-139,共10页
本文讨论了GaAs/AlGaAs异质结界面的H线发光及其性能。用双晶X射线衍射及皮秒光致发光证明了H线与界面质量密切相关,并且有相似于激子跃迁的寿命行为。用限制于异质结界面势阱的二维电子(或空穴)与分布于GaAs边的三维空穴(或电子)组成...
本文讨论了GaAs/AlGaAs异质结界面的H线发光及其性能。用双晶X射线衍射及皮秒光致发光证明了H线与界面质量密切相关,并且有相似于激子跃迁的寿命行为。用限制于异质结界面势阱的二维电子(或空穴)与分布于GaAs边的三维空穴(或电子)组成的二维激子效应,解释了H线的实验结果。并讨论了不同外延生长的异质结与界面有关的发光行为。
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关键词
GAAS/ALGAAS
异质结
界面
激子
下载PDF
职称材料
题名
GaAs/AlGaAs异质结的界面束缚二维激子效应
被引量:
1
1
作者
袁祐荣
周济
曹望和
冯禹臣
机构
中国科学院长春物理研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989年第2期130-139,共10页
基金
科学院基金
文摘
本文讨论了GaAs/AlGaAs异质结界面的H线发光及其性能。用双晶X射线衍射及皮秒光致发光证明了H线与界面质量密切相关,并且有相似于激子跃迁的寿命行为。用限制于异质结界面势阱的二维电子(或空穴)与分布于GaAs边的三维空穴(或电子)组成的二维激子效应,解释了H线的实验结果。并讨论了不同外延生长的异质结与界面有关的发光行为。
关键词
GAAS/ALGAAS
异质结
界面
激子
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs/AlGaAs异质结的界面束缚二维激子效应
袁祐荣
周济
曹望和
冯禹臣
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989
1
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