红外探测器发展述评

介绍了红外探测器从分立型器件到集成化焦平面阵列的发展和“三代”探测器状况,比较了HgCdTe和A lGaAs/GaAs的各自特点,提出了发展成像传感器的建议。

红外探测器的研究、生产和应用

概述了我国红外光电探测器的发展，“八五”的重要成果之一是实现了红外多元线列器件的产品化。建议研制、生产、开发、应用紧密衔接，以成熟的红外探测器产品为基础，发展整机应用技术。

科技论文的编写要求

文中概述了科技论文应遵守有关法规和标准 ,内容科学、有所创新。还介绍了关于论文题名、摘要、关键词、正文格式和参考文献等标准要求 ,并结合《激光与红外》的来稿 。

加速实现红外探测器商品化

在发展第二代红外探测器──红外焦平面器件的同时，把第一代红外探测器推向市场，尽快在国民经济中发挥作用，是一项重要任务。本文介绍了目前红外探测器达到的水平，实现探测器组件化、标准化、商品化的重要性以及注重解决好使用中关心的问题，为推广应用扫清障碍。

红外成像器件的发展

文章强调了红外成像器件的重要性。指出:红外探测器是红外热像仪的核心部件,它的发展水平在很大程度上决定了红外热成像技术状态,一种新型探测器的诞生就会带来红外成像系统的更新换代。单元器件、线列多元器件和面阵型器件决定了红外热像仪的发展的不同水平。文章对目前红外成像器件的发展进行了分析总结,并按照不同成像方式把成像器件分为扫描成像器件和凝视成像器件两类,对其优缺点进行评述比较。最后。对我国红外成像器件的发展状况进行了概括,并根据国情,提出了我国发展红外成像器件的意见和建议。

结构和工艺对碲镉汞光导探测器响应率的影响

分析了探测器表面复合和扫出效应对光激发非平衡栽流子寿命和响应率的影响。并进行了实例数字计算,提出了表面和扫出的影响是目前8～14μm碲镉汞光导探测器在工艺和结构上必须予以重视的问题。