GaAs半导体表面的等离子氮钝化特性研究

采用射频(RF)等离子方法,对Ga As样品进行了150 W高功率等离子氮钝化及快速退火处理。经过该方法钝化后的样品,光致发光(PL)强度上升了91%。XPS分析得出,Ga As样品表面的氮化效果随着氮等离子体功率的增加而逐渐趋于明显。氮化后的样品表面未发现氧化物残余。样品在空气中加热放置30 d,PL强度下降不明显,说明表面钝化层具有良好的稳定性。

射频等离子硫钝化GaAs(100)的表面特性

采用射频等离子方法,对Ga As(100)衬底片表面进行干法硫等离子体钝化,旨在得到性能稳定含硫钝化层。样品经过360℃温度条件下的快速热退火,光致发光(PL)测试表明,钝化后的样品PL强度上升了71%。同时,钝化样品的稳定性测试结果表明,样品放置在实验室空气中30 d,其PL强度未出现明显变化,说明Ga As的等离子体干法硫钝化具有较好的性能稳定性。

半导体单晶抛光片清洗工艺研究

半导体单晶抛光片是当前一种十分重要的材料,对于大规模集成电路和半导体器件的应用有着巨大的作用。本文主要以硅、砷化镓、锗等半导体单晶抛光片为例,对其清洗工艺和清洗机理进行了研究。具体来说,先采用氧化性的溶液在抛光片表面产生氧化膜,然后再将形成的氧化膜去除,从而实现抛光片表面杂质和污染物的清除。对这种氧化、剥离的清洗原理进行应用,能够有效的提高半导体单晶抛光片的清洗工艺和技术水平,从而为清洗工艺的优化与改善提供参考和借鉴。

GaAs半导体表面的S-N混合等离子体钝化及在激光器工艺上的应用

利用射频(RF)等离子方法,对GaAs半导体表面进行了S-N混合等离子体钝化实验,并对工作压强、RF功率进行了优化。光致发光(PL)测试结果表明,经过S-N混合等离子体钝化的GaAs样品PL强度提高135%。将本文钝化方法应用到980nm波长InGaAs应变量子阱(QW)激光器的制备工艺,器件的COD阈值功率明显增加。