基于非对称脊波导的缝隙天线研究与设计

研究了一种基于非对称单脊波导的宽边缝隙天线.在Taylor综合法的基础上计算了非对称单脊波导缝隙天线的缝隙辐射参数,设计了一个11元副瓣电平为-25dB的非对称单脊波导缝隙天线,利用HFSS软件对其进行建模仿真,并对缝隙天线的参数特性作了分析和优化.结果表明,所设计的非对称波导缝隙天线不仅尺寸较小,而且具有良好的带宽和低副瓣特性.

亚阈值状态下MOSFET二维双区和单区静电势模型的比较

定义一个平均误差,该误差可以估算求解MOSFETs二维双区和单区静电势模型电势分布所用源漏端边界条件的偏差情况。首先根据长沟道模型近似确定衬底耗尽层厚度,通过平均误差计算发现双区模型最大源漏偏差远小于0.06 V,而单区模型相应的源漏偏差大于0.1 V。当器件沟道长度为亚微米级时,利用电压掺杂转换模型的耗尽层厚度计算方法对两种模型做出校正,双区电势模型在校正后的源漏条件偏差有明显的减小,单区模型的源漏偏差却会增大,尤其在短沟道以及衬底高掺杂浓度时误差较大。结果表明,双区静电势模型更为精准。