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等电子施、受主杂质共掺的磷化镓发光特性和能量转移
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作者 刘晓 江炳熙 +2 位作者 林秀华 廖远琰 袁路娃 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第2期93-99,共7页
本文研究了液相外延生长的不同掺Bi,N浓度GaP∶(Bi_7N)材料的低温光致荧光光谱,观察到了N谱线“猝灭”和Bi束缚激子发光增强的现象.这可以解释为束缚激子由等电子受主N向等电子施主Bi隧穿能量转移的结果.变激发密度下各中心发光强度的... 本文研究了液相外延生长的不同掺Bi,N浓度GaP∶(Bi_7N)材料的低温光致荧光光谱,观察到了N谱线“猝灭”和Bi束缚激子发光增强的现象.这可以解释为束缚激子由等电子受主N向等电子施主Bi隧穿能量转移的结果.变激发密度下各中心发光强度的变化关系以及与GaP∶(Bi)材料的实验结果比较,为这一能量转移过程提供了进一步的论据. 展开更多
关键词 磷化镓 等电子陷阱 光致发光
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