一种低成本UHF RFID芯片集中CP测试方法

随着电子产品日新月异的发展,在产品品质提高的同时,产品价格的下降也越来越被消费者重视。为了降低电子产品的价格,首先需要降低核心芯片的生产成本。UHF RFID芯片的设计成本很低,因此测试成本在芯片生产成本中占有很大比重。为此,提出了一种新颖的集中CP测试方案来降低芯片CP测试的成本。与最基本的8芯片同测方案相比,不仅芯片面积变小,单组集中CP测试方案可对测试时间至少优化68%。如果单个测试单元的芯片个数改变,或者同时采用多组同测,还可以进一步降低测试成本,增强产品的市场竞争力。

伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型的研究进展

随着金属氧化物半导体（MOS）集成电路工艺的飞速发展,体硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模型经历了从物理到经验,最后到半经验物理的转变。介绍了以阈值电压和反转电荷为建模基础的伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型（BSIM）,以及该模型中阈值电压、饱和电流和电容的基本建模理论。回顾了近年来体硅MOSFET BSIM的研究进展,着重从各种模型的优缺点、建模机理和适用范围方面分析了4种最有代表性的BSIM,即BSIM3v3,BSIM4,BSIM5和BSIM6。从模型的发展历史可以看出模型是随着MOSFET尺寸的缩小而不断完善和发展的。最后,对体硅MOSFET的模型发展趋势进行了展望。