从有机废料中回收铑的技术进展

有机铑废料中的铑具有很高的价值,且铑资源十分匮乏,从有机废料中回收铑意义重大。目前从含铑有机废料中回收铑的技术主要包括火法工艺、湿法工艺以及其他工艺。火法工艺中焚烧法具有技术简单,铑回收率较高等特点,是目前含铑有机废料回收常用的方法,但焚烧过程温度控制要求比较严格,且存在着环保问题;湿法工艺相对简单,但主要存在铑回收率低等问题;其他工艺尚未得到应用。开发高效清洁的新工艺是今后含铑有机废料回收技术发展的重要方向。

Cu对AgCe合金机械性能及再结晶温度的影响

通过力学性能测试和金相分析,研究了Cu对AgCe合金机械性能和再结晶温度的影响。结果表明:AgCe合金中添加Cu后,使合金的硬度提高48,强度提高178MPa,再结晶温度提高150℃左右,同时在大变形量下延伸率有一定提高。

高纯铂制备技术研究进展

纯度大于99.999%的高纯铂广泛用于电子工业等领域,且需求量越来越大。介绍了高纯铂制备技术研究现状,并对主要制备技术存在的优缺点进行了评述。现有的铵盐沉淀法、氧化水解法、氧化载体水解法、离子交换法和萃取法等都不同程度地存在铂纯度低、流程长、直收率低以及环境污染等问题。未来还需深入研究铂溶液体系中贱金属杂质元素及相似元素的赋存状态等特性,合理设计除杂顺序,开发出高纯铂高效清洁制备技术。

电子行业用高纯钯的制备研究

高纯钯在电子行业等领域应用广泛,需求迫切。以氯化钯为原料,提出采用氯化铵沉淀-氨水配合联合工艺净化钯溶液,水合肼还原纯净钯溶液制备高纯钯。结果表明,固体氯化钯溶解后,在合适的条件下,该钯溶液经过氧化-氯化铵沉淀、氨水配合有效去除杂质元素,获得纯净二氯四氨合钯溶液,再经水合肼还原后,获得纯度99.999%高纯钯,其碳、氧、氮等杂质元素总含量小于355×10-6。

蒸发材料用高纯金的制备研究

采用盐酸+氯酸钠溶解-沉淀除杂-选择性液相还原-煮洗等联合工艺制备蒸发材料用高纯金并进行应用性能分析。结果表明,溶解后的金溶液采用氢氧化钠调整溶液pH值去除部分杂质元素;金溶液采用还原剂选择性还原;得到的金粉用稀硝酸、盐酸煮洗,获得纯度99.999%以上,碳和硫含量均小于1×10^(-6)的高纯金;以制备的高纯金为原料加工的蒸发材料清洁性好,可作为集成电路芯片制造用蒸发材料。

高纯金制备技术研究进展

高纯金广泛应用于电子工业等领域,且需求量越来越大。基于对30篇近期文献的分析,综述了高纯金制备技术研究现状,并对主要制备技术存在的优缺点进行了评述。电解法、化学还原法、溶剂萃取法都在相关企业得到了生产应用,但在产品纯度稳定性、原料适应性、生产周期、环境污染等方面存在着不同程度的问题。随着电子工业技术的不断迭代升级,未来对于金纯度要求将会越来越高。因此,还需要进一步研发高纯金的制备技术,研制出更高纯度的高纯金产品。

键合界面金属间化合物对可靠性影响的研究现状

在微电子封装过程中,键合丝被广泛应用,而键合可靠性对于产品的应用性能有着极大的影响,受到人们的广泛关注。键合丝与常用的铝焊盘之间是异质材料,在应用和服役的过程中会在界面上产生金属间化合物(IMC),对器件可靠性产生影响,同时,键合强度也与键合丝和焊盘之间的界面反应联系密切,因此了解键合丝与铝焊盘之间金属间化合物的形成与演变对键合可靠性的影响是有必要的。本文综述了Au/Al、Ag/Al和Cu/Al三种键合界面上金属间化合物的形成与演变的研究现状,并根据目前的应用状况,展望了未来的应用发展前景。

基于均相沉淀法制备高纯度球形钌粉

针对高纯度球形钌粉制备技术难题,基于均相沉淀法制备高纯球形钌粉并分析其过程机理。研究结果表明:三氯化钌溶液经5级离子交换纯化处理后,以尿素为均相沉淀剂,控制钌的质量浓度为10 g/L、尿素与钌的物质的量比为6:1、反应温度为95℃、反应时间为4 h,获得球形或类球形钌粉前驱体,经煅烧氢还原、混酸煮洗后,可获得纯度大于99.999%的球形或类球形钌粉。在均相沉淀过程中,尿素缓慢水解生成的OH-均匀分布在溶液中,与钌络合离子反应,生成球形钌粉前驱体,煅烧后得到球形钌粉。

微电子封装金包银复合键合丝的微结构和性能

采用固相复合及大塑性拉拔技术制备了线径0.020 mm的金包银复合键合丝,并利用扫描电子显微镜、双束电子显微镜、单轴拉伸实验、电阻率实验、键合实验、线弧挑断实验及焊球推力实验等对其微结构和性能进行表征。结果表明：金包银复合键合丝的复层达到纳米级尺度,在芯材表面均匀连续覆盖,与芯材的界面结合力好。芯材横截面组织为等轴晶,晶粒细小弥散且内部有大量的板条状平行的退火孪晶。金包银复合键合丝具有较高的抗拉强度（230 MPa）和延伸率（15%）,其强化机制为界面强化和细晶强化,其电性能受表面/界面以及晶界散射的影响而变差。金包银复合键合线弧形稳定,具有较高的键合可靠性,其挑断力（7.79g）与焊球推力（49.7g）均满足微电子封装技术对键合丝的品质要求。

微电子封装用键合金丝替代产品的研究现状

随着电子封装技术的发展,传统键合金丝在性能和价格上已经不具备优势。采用复合和改性等方法可以开发出满足要求的键合金丝替代品。总结了金包银复合键合丝、钯包铜复合键合丝、金合金键合丝和银合金键合丝共4种键合金丝替代产品的性能特点、成分配比、生产技术难点和关键点,介绍了部分典型产品,并对替代产品的发展趋势进行了展望。

电镀软金用硫基无氰金配合物电解质研究进展

电镀金工艺中金氰化物([Au(CN)_(2)]-)溶液在过程中会释放出剧毒的游离氰化物离子,严重危害到生产人员和自然环境的健康;此外,它们还会对光刻胶造成一定的破坏。近年来无氰电解质得到了发展。基于对50余篇文献的分析,本文比较了亚硫酸金([Au(SO_(3))_(2)]^(3-))、硫代硫酸金([Au(S_(2)O_(3))_(2)]^(3-))和二者混合电解液,以及其他硫基体系的组成、操作条件、电沉积机理和优缺点,并展望了基于无氰配体电解液的软金电镀技术的研究趋势和发展方向。

添加钯和铜元素改善金包银复合键合丝的力学性能

用固相复合技术制备微电子封装用金包银复合键合丝,利用金相显微镜、高低温拉力仪、推拉力计和扫描电镜(SEM),对不同合金成分的金包银复合键合丝的定向凝固组织及力学性能进行表征,获取晶粒尺寸大小及形貌特征,分析钯、铜元素对再结晶温度、力学性能参数及键合强度的影响,阐明钯和铜对金包银复合键合丝的强化机制。结果表明:在金包银复合键合丝芯材中添加铜,组织呈等轴晶,而同时添加钯和铜,铸态组织由胞状树枝晶和胞状晶组成,晶粒细小均匀。钯和铜可以提高复合键合丝的再结晶温度使其具备更高的耐热性。同时添加钯和铜的复合键合丝具有较高的塑/韧性,键合后弧形稳定,拉力及焊球推力最高,键合质量好。钯、铜微合金化金包银复合键合丝的强化机制为:固溶强化和细晶强化。二元复合添加的复合键合丝具有更高的强化增量,其力学性能更为优异。

楔焊金丝的强韧性及微观组织

采用双束电子显微镜和单纤维拉力测试仪对楔焊金丝和高纯金丝的微观组织和力学性能进行表征,利用有限元数值计算方法模拟拉拔过程中楔焊金丝的轴向、径向及表面应力分布,探索微量元素对高纯金的强化机制。结果表明:经单向深度拉拔,楔焊金丝的纵截面晶粒呈细长纤维状,沿径向分布均匀,有明显的[111]丝织构,晶粒在拉拔过程中发生了转变,晶界的取向差角度分布呈“双峰”特征,小角度晶界所占比例较高。而高纯金丝的纵截面晶粒沿径向方向差别较大,芯部呈细长纤维状,边缘由细小的等轴晶组成,沿[001]方向择优生长。楔焊金丝比高纯金丝的抗拉强度提高了250 MPa,再结晶温度提高了100℃,最大延伸率达到25%,具有良好的拉伸断裂韧性。楔焊金丝在拉拔过程中沿径向方向应力分布不均匀,芯部的轴向压应力和表面残余应力要低于高纯金丝。镍和镧复合添加到金基体中产生晶格畸变,阻碍位错滑移和晶界滑动,通过固溶强化、细晶强化和加工硬化获得适合楔焊用的强韧性。

金丝的力学特征对球键合的微观组织和性能的影响

用电子背散射衍射仪对具有不同力学特征金丝的微区组织进行表征,采用扫描电镜和光学显微镜观察线弧轮廓、热影响区和焊点形貌,并通过推拉力测试仪测量线弧拉力和焊球剪切力,分析金丝力学特征对球键合质量的影响。结果表明:半硬态1和半硬态2的金丝芯部保持纤维状组织,边缘晶粒为细小的等轴晶,沿径向微区组织形貌有明显差异。打火烧球后形成的热影响区长度短,球颈部的组织有明显的梯度性,键合后弧高较小。软态金丝的组织为粗大的等轴晶,沿径向分布均匀,键合拉力低,易发生滑球现象。半硬态2金丝与焊盘的结合力强,引线键合拉力高,综合键合质量优,是最适合球键合工艺的金丝。

金包银复合键合丝的组织演变及变形行为

采用金相显微镜、双束离子显微镜、高低温拉力仪及纳米压痕仪对不同真应变条件的金包银复合键合丝的组织和力学性能进行表征,研究了金包银复合键合丝的组织结构演变、力学性能及变形行为特点。结果表明:金包银复合键合丝的银合金芯材沿着拉伸方向从胞状树枝晶演变为纤维组织,靠近界面的过渡层始终保持细小的等轴晶或球状晶粒,金包覆层在变形过程中均匀连续。各组分在变形过程中尺寸变化不一致,拟合后的尺寸变化常数与试样直径的变化不成正比。显微硬度、抗拉强度、延伸率均随着变形量的增加而增大。在单轴拉伸过程中,金包银复合键合丝组分之间相互制约,使单向拉应变变为复杂的二维应力状态,交替变化的应力状态可抑制裂纹的形核,提高材料的塑性和韧性。

Ni含量对Au-12Ge合金组织及欧姆接触性能的影响

研究了Ni含量对Au-12Ge共晶合金组织、欧姆接触性能的影响。结果发现,随着Ni含量增加,合金偏析加剧,最低接触电阻值先减小后增加,对应的欧姆接触热稳定性先变好后变差,Au-12Ge-3Ni/Au在425℃×1min的退火处理后接触电阻率最佳,为5.04×10^(-6)Ω·cm^2,对应的Au-12Ge-3Ni/Au系统稳定性最佳。