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基于量子点对阻变存储器性能提升的研究进展
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作者 李晓钰 赵莹 +2 位作者 赵建辉 裴逸菲 闫小兵 《微纳电子与智能制造》 2019年第4期103-111,共9页
由于传统的半导体集成电路受工艺和物理尺寸的限制,因此进一步提高它的性能变得愈加困难。与此同时,阻变存储器(RRAM)由于其结构简单、编程/擦除速度快、功耗低等优点逐渐进入人们的视野。目前,基于Ag、Cu为电极的忆阻器,研究者们认为... 由于传统的半导体集成电路受工艺和物理尺寸的限制,因此进一步提高它的性能变得愈加困难。与此同时,阻变存储器(RRAM)由于其结构简单、编程/擦除速度快、功耗低等优点逐渐进入人们的视野。目前,基于Ag、Cu为电极的忆阻器,研究者们认为其阻变机制是其功能层中导电细丝(CFs)的形成和破裂。然而,由于导电细丝是随机形成的,从而使得器件的开关电压参数存在一定的弥散性,因此目前忆阻器还无法代替当今传统的非易失性存储器。为了优化其开关参数的均一性,研究者提出在介质中加入金属纳米团簇的方法来限制导电细丝的位置,降低CFs形成的随机性,但由于金属纳米团簇存在颗粒尺寸不均匀、无法制备更小的纳米团簇等弊端,从而迫使研究者探索新的方法来克服金属纳米团簇的弊端并解决器件开关的弥散性。总结了使用非金属量子点掺杂的方法克服这一技术障碍,掺杂的量子点特性类似金属量子点,不仅在器件中起到局域化电场的作用,同时有效地引导导电细丝的生长方向,提高开关参数的均匀性、降低阈值电压,增强器件的保持性能,实现良好的神经突触仿生特性,而且非金属量子点可以实现更加均匀、尺寸更小、排列更加整齐。这为提高阻变存储器的性能提供了的新方法,也为器件的小型化发展提供了新思路,促进了人工神经网络的发展。 展开更多
关键词 阻变存储器 掺杂 量子点 导电细丝
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利用界面工程来调控铁电隧道忆阻器的生物突触行为
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作者 赵建辉 于天奇 +9 位作者 邵一铎 郭瑞 林伟南 刘公杰 周振宇 裴逸菲 王静娟 孙凯旋 闫小兵 陈景升 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第4期1559-1568,共10页
界面工程一直是调节铁电隧道结忆阻器(FTM)行为的重要途径,且直接影响其生物突触特性.为了研究界面对人工突触性能的影响,本工作中,我们研究了具有Pt/BaTiO_(3)/La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_(3)结构的忆阻器.其中可以通过控制SrTiO_(3)(STO)... 界面工程一直是调节铁电隧道结忆阻器(FTM)行为的重要途径,且直接影响其生物突触特性.为了研究界面对人工突触性能的影响,本工作中,我们研究了具有Pt/BaTiO_(3)/La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_(3)结构的忆阻器.其中可以通过控制SrTiO_(3)(STO)衬底的终止层和BaTiO_(3)(BTO)薄膜层状生长模式来控制忆阻器器件的界面.由于BTO薄膜相反的铁电极化方向以及与之对应的不同的能带结构,具有不同界面的FTM呈现出相反的电阻开关行为.更重要的是,FTM的突触学习特性也可以通过控制界面来调整.具有不同接口终端的FTM可以调节长时程增强、长时程抑制、尖峰时间依赖性可塑性和配对脉冲促进的不同特性.基于这两种接口工程FTM的突触行为,可以构建人工神经网络系统来完成手写数字图像识别过程,两者的准确率都接近90%.我们的结果为通过纳米级界面工程调整忆阻器的功能提供了有用的参考. 展开更多
关键词 数字图像识别 忆阻器 界面工程 控制界面 电阻开关 人工神经网络系统 长时程抑制 长时程增强
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Memristor based onα-In_(2)Se_(3)for emulating biological synaptic plasticity and learning behavior 被引量:5
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作者 Ying Zhao Yifei Pei +8 位作者 Zichang Zhang Xiaoyu Li Jingjuan Wang Lei Yan Hui He Zhenyu Zhou Jianhui Zhao Jingsheng Chen Xiaobing Yan 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第6期1631-1638,共8页
Nowadays,memristors are extremely similar to biological synapses and can achieve many basic functions of biological synapses,making them become a new generation of research hotspots for brain-like neurocomputing.In th... Nowadays,memristors are extremely similar to biological synapses and can achieve many basic functions of biological synapses,making them become a new generation of research hotspots for brain-like neurocomputing.In this work,we prepare a memristor based on two-dimensionalα-In_(2)Se_(3)nanosheets,which exhibits excellent electrical properties,faster switching speeds,and continuous tunability of device conduction.Meanwhile,most basic bio-synapse functions can be implemented faithfully,such as short-term memory(STM),long-term memory(LTM),four different types of spike-timing-dependent plasticity(STDP),and paired-pulse facilitation(PPF).More importantly,we systematically study three effective methods to achieve LTM,in which the reinforcement learning can be faithfully simulated according to the Ebbinghaus forgetting curve.Therefore,we believe this work will promote the development of learning functions for brain-like computing and artificial intelligence. 展开更多
关键词 MEMRISTORS biological synapse learning behaviors 2D In_(2)Se_(3)
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