期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
PVT法AlN晶体生长模式调控研究
1
作者
覃佐燕
金雷
+3 位作者
李文良
谭俊
何广泽
武红磊
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024年第9期1542-1549,共8页
物理气相传输(PVT)法制备AlN晶体时,亚晶的产生会降低晶体质量,甚至多晶化。本文通过调节热/动力学生长条件,研究AlN晶体中亚晶产生及变化规律,提出抑制方法调控生长模式。实验结果表明,大的温度波动导致晶体表面气相物质过饱和度波动变...
物理气相传输(PVT)法制备AlN晶体时,亚晶的产生会降低晶体质量,甚至多晶化。本文通过调节热/动力学生长条件,研究AlN晶体中亚晶产生及变化规律,提出抑制方法调控生长模式。实验结果表明,大的温度波动导致晶体表面气相物质过饱和度波动变大,增加高指数晶面的形成概率,这些晶面因非一致性难以实现完美聚并。本文还研究了稳定温场条件下,气相物质输运对生长模式的影响。实验及模拟结果显示,传统坩埚内气相物质由晶体边缘向中心迁移,与台阶方向相反,晶体表面易演变成混合生长模式。通过设计的新型坩埚,实现气相物质顺台阶流方向迁移,满足层状可控生长的基本条件。在2 200~2 300℃下,随温度降低,晶体呈c轴优势生长,侧向扩展能力降低;随温度升高,侧向扩展能力变强,但晶体表面高指数晶面形成概率增加;温度约2 250℃时,两者达到平衡,适合亚晶的抑制和消除。结合BCF理论分析,降低过饱和度可增强螺旋位错驱动生长的二维平铺能力,并增大台阶宽度,有利于将亚晶界分散融入台阶流中。优化后的实验,促进了生长模式向螺旋位错驱动生长模式的转变,亚晶逐渐被湮灭,获得高质量AlN晶体,其(0002)面的X射线单晶摇摆曲线半峰全宽为58″,拉曼谱的E_2(High)半峰全宽为3.3 cm^(-1),位错密度为2.87×10^(3) cm^(-2)。
展开更多
关键词
AlN晶体
PVT法
亚晶
混合生长模式
螺旋位错驱动生长
下载PDF
职称材料
AlN晶体PVT生长装置的智能控制系统研究
被引量:
1
2
作者
覃佐燕
庄志贤
+2 位作者
武红磊
郑瑞生
王科
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期770-776,共7页
AlN晶体的物理气相传输(PVT)法生长条件要求苛刻,如0.3~5 atm的高纯氮气生长气氛和2100~2400℃的生长温度。结合AlN晶体PVT生长工艺的特点,通过可编程逻辑控制器(PLC)进行适用于氮化铝(AlN)晶体PVT生长装置的智能控制系统的研究。首先,...
AlN晶体的物理气相传输(PVT)法生长条件要求苛刻,如0.3~5 atm的高纯氮气生长气氛和2100~2400℃的生长温度。结合AlN晶体PVT生长工艺的特点,通过可编程逻辑控制器(PLC)进行适用于氮化铝(AlN)晶体PVT生长装置的智能控制系统的研究。首先,提出了倒置温场的生长工艺以降低AlN晶体PVT生长的成核数量,并通过自动控制程序设计满足不同生长阶段的温场要求;其次,针对设备可能存在超温、超压及冷却水断流等实验安全问题,设计并实现系统的自动化报警及自处理操作;最后,在实验操作上,实现AlN晶体生长的"一键式"全自动化工作。
展开更多
关键词
ALN
PVT
PLC
倒置温场
下载PDF
职称材料
题名
PVT法AlN晶体生长模式调控研究
1
作者
覃佐燕
金雷
李文良
谭俊
何广泽
武红磊
机构
深圳大学电子与信息工程学院
中国电子科技集团有限公司第四十六研究所
深圳大学物理与光电工程学院
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024年第9期1542-1549,共8页
基金
国家重点研发计划(2022YFB3605303)
深圳市计划项目(JCYJ20210324093007020)
+1 种基金
国家自然科学基金(62474113)
广东省重点领域研发计划项目(2020B010169003)。
文摘
物理气相传输(PVT)法制备AlN晶体时,亚晶的产生会降低晶体质量,甚至多晶化。本文通过调节热/动力学生长条件,研究AlN晶体中亚晶产生及变化规律,提出抑制方法调控生长模式。实验结果表明,大的温度波动导致晶体表面气相物质过饱和度波动变大,增加高指数晶面的形成概率,这些晶面因非一致性难以实现完美聚并。本文还研究了稳定温场条件下,气相物质输运对生长模式的影响。实验及模拟结果显示,传统坩埚内气相物质由晶体边缘向中心迁移,与台阶方向相反,晶体表面易演变成混合生长模式。通过设计的新型坩埚,实现气相物质顺台阶流方向迁移,满足层状可控生长的基本条件。在2 200~2 300℃下,随温度降低,晶体呈c轴优势生长,侧向扩展能力降低;随温度升高,侧向扩展能力变强,但晶体表面高指数晶面形成概率增加;温度约2 250℃时,两者达到平衡,适合亚晶的抑制和消除。结合BCF理论分析,降低过饱和度可增强螺旋位错驱动生长的二维平铺能力,并增大台阶宽度,有利于将亚晶界分散融入台阶流中。优化后的实验,促进了生长模式向螺旋位错驱动生长模式的转变,亚晶逐渐被湮灭,获得高质量AlN晶体,其(0002)面的X射线单晶摇摆曲线半峰全宽为58″,拉曼谱的E_2(High)半峰全宽为3.3 cm^(-1),位错密度为2.87×10^(3) cm^(-2)。
关键词
AlN晶体
PVT法
亚晶
混合生长模式
螺旋位错驱动生长
Keywords
AlN crystal
PVT method
sub-grain
Stranski-Krastanov growth mode
screw dislocation-driven growth
分类号
O782 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
AlN晶体PVT生长装置的智能控制系统研究
被引量:
1
2
作者
覃佐燕
庄志贤
武红磊
郑瑞生
王科
机构
深圳大学光电工程学院光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室
深圳市统先科技股份有限公司
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期770-776,共7页
基金
国家自然科学基金(11447029)
深圳市科技计划项目(20160520174438578)
文摘
AlN晶体的物理气相传输(PVT)法生长条件要求苛刻,如0.3~5 atm的高纯氮气生长气氛和2100~2400℃的生长温度。结合AlN晶体PVT生长工艺的特点,通过可编程逻辑控制器(PLC)进行适用于氮化铝(AlN)晶体PVT生长装置的智能控制系统的研究。首先,提出了倒置温场的生长工艺以降低AlN晶体PVT生长的成核数量,并通过自动控制程序设计满足不同生长阶段的温场要求;其次,针对设备可能存在超温、超压及冷却水断流等实验安全问题,设计并实现系统的自动化报警及自处理操作;最后,在实验操作上,实现AlN晶体生长的"一键式"全自动化工作。
关键词
ALN
PVT
PLC
倒置温场
Keywords
aluminum nitride
physical vapor transmission
programmer logic controller
temperature reverse
分类号
TP273.1 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PVT法AlN晶体生长模式调控研究
覃佐燕
金雷
李文良
谭俊
何广泽
武红磊
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024
0
下载PDF
职称材料
2
AlN晶体PVT生长装置的智能控制系统研究
覃佐燕
庄志贤
武红磊
郑瑞生
王科
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部